МДП-транзистор со встроенным каналом

Структура такого транзистора представлена на рис. 3.11. Как видно из рисунка, на подложке р -типа образуются две области n -типа, соединенные между собой тонким приповерхностным слоем также n -типа. Две области представляют собой исток и сток, а приповерхностный слой – канал. Над каналом расположена металлическая пленка – затвор, которая отделена от канала пленкой диэлектрика. Таким образом, получается структура металл-диэлектрик-полу-проводник. Эта структура и дала название транзистору МДП-транзистор. Так как в качестве диэлектрика в интегральной технологии применяется окисел кремния SiO₂, то второе название транзистора – МОП-транзистор. Если в качестве подложки использовать кремний n -типа, то исток, сток и канал должны быть р -типа, в остальном структура и принцип работы ВАХ транзистора такие же, как и у транзистора с р -подложкой. При напряжении сток-исток, неравном нулю, через канал будет протекать ток, определяемый величиной напряжения и сопротивлением канала. Если теперь приложить отрицательное напряжение к затвору относительно истока, то за счет эффекта поля электроны будут выталкиваться из канала (или дырки подтягиваться к каналу) и канал обедняется основными носителями, сопротивление его возрастает, а ток стока уменьшается. Такой режим работы носит название режима обеднения. Если к затвору приложить положительный потенциал относительно затвора, то электроны из подложки будут подтягиваться в канал, канал обогащается основными носителями, сопротивление его уменьшается, а ток стока возрастает. Такой режим работы носит названия режима обогащения. Характеристика изменения тока стока при изменении напряжения затвор-исток, показанная на рис. 3.11 носит название сток-затворной ВАХ МДП-транзистора. Выходные вольтамперные характеристики показаны на рис. 3.12. Участок насыщения на этих ВАХ объясняется теми же причинами, что и у полевого транзистора с управляемым p - n -переходом.

Дата добавления: 2015-07-25