Статические характеристики в схеме с ОБ.

Реальные ВАХ имеют небольшое увеличение тока при увеличении . Это объясняется явлением, получившим название модуляции базы. Суть модуляции базы в следующем. При увеличении обратного напряжения на коллекторном переходе увеличивается ширина обедненного слоя p - n -перехода в основном за счет базовой области, при этом ширина базы (l ₁) уменьшается (рис. 2.35), а, следовательно, уменьшается время пробега электрона по базе от эмиттера к коллектору, что снижает вероятность рекомбинации электронов в базе и приводит к увеличению тока коллектора. Однако это увеличение не может быть большим, поскольку ток базы имеет величину менее 2 % от тока эмиттера. С учетом модуляции базы реальные выходные ВАХ в режиме усиления могут быть построены, используя следующее уравнение

, (2.15)

где – дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, которое количественно учитывает эффект модуляции базы. Величина этого сопротивления единицы, десятки мегом.

Используя уравнение (2.15), можно построить реальные выходные ВАХ транзистора (рис. 2.36).

На рис. 2.36 пунктиром показаны предельно допустимая мощность рассеивания на коллекторе и предпробойное состояние коллектор-базового перехода. Как видно, с увеличением тока коллектора допустимое напряжение на коллекторе уменьшается.

Поскольку тепловой ток I _ко зависит от температуры, то и характеристики тоже зависят от температуры. С увеличением температуры при одном и том же токе эмиттера выходные ВАХ смещаются вверх на величину , а входная ВАХ с учетом того, что смещается влево (уменьшение , показано пунктиром на рис. 2.33).

Дата добавления: 2015-07-25