Биполярные транзисторы. Устройство, принцип действия. Схнма с ОБ.

Биполярным транзистором называется трехслойная полупроводниковая структура с последовательным чередованием слоев «n» и «p» (рис. 2.23, а, б). Таким образом, биполярный транзистор имеет два p - n -перехода, взаимодействующих друг с другом. Несмотря на кажущуюся симметрию, этот прибор асимметричный. Один из крайних слоев, имеющий большую концентрацию и меньшую площадь, называется эмиттером, а второй, с меньшей концентрацией и большей площадью, – коллектором. Средний слой получил название – база. Ширина базы W очень маленькая, составляет величину единицы мкм и меньше. Конструктивно биполярный транзистор может быть получен разными способами. Сплавные транзисторы по лучаются путем вплавления акцептора или донора в n - или р -полупровод-ник (рис. 2.24).

Эпитаксиально-диффузионные транзисторы образуются путем наращивания монокристаллического слоя на подложке и создания p - n -пере-ходов в этом слое (рис. 2.25).

Планарные транзисторы позволяют получить трехслойную структуру на поверхности кристалла (рис. 2.26). Высокочастотные транзисторы могут быть получены, используя технологию получения меза-диода.

При изготовлении транзисторов концентрация примеси в базе может быть постоянной от эмиттера к коллектору или переменной. В первом случае носители в базе перемещаются за счет диффузионных сил, и транзистор носит название диффузионного или бездрейфового. Во втором случае носители перемещаются в базе за счет дрейфовых сил, образованных внутренним полем и за счет диффузионных сил, но первые являются преобладающими, поэтому такие транзисторы получили название дрейфовые транзисторы.

Для того, чтобы на электронных схемах можно было отличать эмиттер и коллектор, при условно-графическом изображении транзистора эмиттер обозначается стрелкой (рис. 2.27,а,б).

Дата добавления: 2015-07-25