|
Читайте также: |
В данном случае исследуемый диэлектрик представляется в виде параллельной схемы замещения с емкостями С х = С р; Rx = Rр. В плечо СВ схемы (рис. 4.2) включается реальная схема параллельно включенных резистора и конденсатора с параметрами R 2, С 2.
Аналогично изложенному выше, можно получить ряд соотношений:
Rр = R 3 R 2/ R 4;
Cр = C 2 R 4/ R 3; (4.26)
tgd = X / Y = 1/ R 2 C 2w,
из которых видно, что величина емкости С x определяется c учетом значений сопротивления переменного резистора R 4, а tgd – с помощью параметра R 2.
4.1.4. Зависимость tg d от температуры и частоты
Дата добавления: 2015-07-17; просмотров: 69 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Последовательная схема замещения образца | | | Влияние температуры |