Испытание 2

Исследование конденсаторов с помощью моста Р5026

Проведите анализ влияния величины напряжения и температуры на емкости конденсаторов № 3 (конденсатор К10 на основе пассивного диэлектрика – слюды) и № 4 (конденсатор вариконд ВК-2 на основе активного диэлектрика – сегнетоэлектрической керамики).

2.1. Изучите схему включения моста переменного тока Р5026 (перевернутая схема Шеринга) для исследования емкости и тангенса угла диэлектрических потерь (см. тему 1).

2.3. Балансируя мост Шеринга в соответствии с его описанием (глава 1), научитесь рассчитывать величину емкости C _x образцов по значению потенциометра R ₃.

2.3. Попеременно измеряя емкость образцов № 3 и № 4, снимите показания в процессе повышения напряжения U на образцах (табл. 3.8) при комнатной температуре t ₀.

2.4. С учетом взаимосвязи емкости С (U) и относительной диэлектрической проницаемости e рассчитайте по (1.5) значение e(U) и К _≈ = С (U)/ С _5В (табл. 3.8).

Уточненные геометрические параметры образцов приведены на стенде.

2.5. Постройте зависимости ε(U) и коэффициента нелинейности К _≈(U) (на одном графике для образцов № 3 и № 4).

Таблица 3.8

Результаты измерений

Номер образца	Параметр	t 0 =? ^оС
Напряжение U, В,
			Через 10
	R 3	?	?	?	?	?
С 1, пФ	?	?	?	?	?
ε1	?	?	?	?	?
К »	?	?	?	?	?
	R 3	?	?	?	?	?
С 2, пФ	?	?	?	?	?
ε2	?	?	?	?	?
К »	?	?	?	?	?

Дата добавления: 2015-07-17