Читайте также:
|
|
По разрешению преподавателя включите установку. Нагретым жалом термозонда кратковременно и осторожно касайтесь хрупкого кристалла во избежание его повреждения. Одновременно фиксируйте направление отклонения (отброс вправо или влево) стрелки гальванометра (табл. 2.6).
1.3. Проведя анализ схемы, заполните таблицу 2.6 и определите тип носителей кристалла для:
а) трех произвольных одиночных образцов, установленных на стенде;
б) для модели, имитирующей диод и содержащей один p - n -переход;
в) для модели, имитирующей транзистор (два p - n -перехода).
Таблица 2.6
Определение типа носителей с помощью термозонда
Условие эксперимента | Возможные результаты испытаний | Образцы | |||||||
№1 | №2 | №3 | диод | транзистор | |||||
Термозонд касается электрода | Верхнего или нижнего | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Термозонд связан с клеммой гальванометра | Связан с "+" или с ″–″ клеммой | Связан с "+" клеммой | |||||||
Стрелка индикатора отклонилась | По часовой стрелке или против нее | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
На "+" клемму прибора подается потенциал | "-" или "+" | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Основные носители | Электроны или дырки | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Неосновные носители | То же | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Полупроводник | Донорный или акцепторный | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
1.4. Выключите установку.
1.5. Сделайте заключение о типе материала. Зарисуйте зонную диаграмму данных полупроводниковых структур, отметив примерное положение уровня Ферми Е ф.
Дата добавления: 2015-07-17; просмотров: 39 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Определение концентрация и подвижности носителей | | | Исследование вольтамперной характеристики датчика |