Читайте также: |
|
Після кожної операції формування ІМС виконують контроль: спочатку візуальний (після окислення та фотолітографії), а потім перевіряють електричні параметри. Забраковані ІМС позначають фарбою.
Після контролю пластини розрізають на окремі кристали. Кристали, на яких є придатні до роботи мікросхеми, передають на складання.
Брак у процесі виготовлення напівпровідникових ІМС дуже великий: чим більший ступінь інтеграції, тим більший відсоток браку. Так, вихід придатних для роботи НВІМС становить 5—15 %, а мікросхем з меншим ступенем інтеграції— 40—80 %.
Кристали монтують у корпусах. Корпус ІМС є важливою частиною її конструкції. Він забезпечує електричний зв'язок ІМС із зовнішніми виводами корпусу, захищає кристал від дії зовнішнього середовища, відводить теплоту, яка виділяється під час роботи ІМС.
Корпуси виготовляють із металів, пластмас, кераміки та скла.
Завершальною стадією виробництва ІМС є контрольно-випробувальна. На дільницях перевіряють електричні параметри мікросхем, проводять механічні та інші випробування, маркують, пакують і передають на склад, а звідси — до споживача.
Основними показниками ефективності технології виробництва продукції мікроелектроніки є витрата сировини на одиницю продукції; вихід придатної для використання продукції (у відсотках), собівартість продукції.
Загальна вартість напівпровідникових ІМС визначається затратами на вирощування монокристалів кремнію та утворення в приповерхневому шарі кремнієвої пластини ІМС.
Затрати на утворення ІМС залежать від ступеня інтеграції: чим більший ступінь інтеграції, тим більші затрати.
Контрольні запитання
1. Що таке електроніка, мікроелектроніка, інтегральна мікросхема (ІМС)?
2. Де використовуються компоненти електронного устаткування?
3. Які періоди розвитку пройшла електроніка та мікроелектроніка?
4. За якими ознаками класифікуються інтегральні мікросхеми?
5. В чому суть заготівельних, оброблювальних, складальних, контрольно-випробувальних процесів виробництв ІМС?
6. Які перспективи розвитку мікроелектроніки?
Література
1. Збожна О.М. Основи технології. — Тернопіль: Карт-бланш, 2002. — 486 с.
2. Курнасов А.И. Основы полупроводниковой микроэлектроники. — М., 1990. - 238 с.
3. Лукин А.Н. Радиоматериалы, радиокомпоненты и основы микроэлектроники: Учеб. пособие. — Воронеж: Высшая шк. МВД, 1995. — 238 с.
4. Остапчук М.В., Рибак А.І. Система технологій (за видами діяльності): Навч. посіб. - К., 2003. - 888 с.
5. Парфенов О.Д. Технология микросхем. — М.: Высшая шк., 1986. — 318 с.
6. Пекелис В.Д. Кибернетическая смесь. — М., 1991.— 168 с.
7. Смирнов Ю.П. История вычислительной техники. — Чебоксари,
1994. - 129 с. 8. Э ндерлайн Р. Микроэлектроника для всех: Пер. с нем. Ю.А. Савастьянова / Под. ред. И.М. Цирильковского. — М., 1989. — 192 с.
ЛЕКЦІЯ 35
Дата добавления: 2015-11-16; просмотров: 68 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Поняття про напівпровідники | | | Класифікація торгівлі, форми торгівлі |