Исследование внутреннего фотоэффекта в полупроводниках

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 7-9

Цель работы: получение вольт-ампеpной, световой и спектральной характеристик фоторезистора, оценка ширины запрещенной зоны полупроводника.

Студент………………………………

Группа………………………………..

Подпись преподавателя…………….

Дата…………………………………..

1. Приборы и их характеристики.

Свет от источника 1 фокусируется на входную щель монохpоматоpа 2. За входной щелью монохpоматоpа установлен исследуемый фоторезистор 3. Регулируемое напpяжение от источника питания БП, подаваемое на фоторезистор 3 измеряется вольтметром V, а ток - миллиамперметром mA. Для измерения светового потока между выходной щелью монохpоматоpа и фоторезистором может быть помещен ослабитель.

2. Расчетные формулы.

3.Исходные данные.

Таблица 1. Спектральная характеристика.

№ п/п	, нм	, мкА		, мкА
1.			0.0369	135.50
2.			0.0562	177.94
3.			0.0809	642.77
4.			0.1111	666.07
5.			0.1466	613.91
6.			0.1877	591.37
7.			0.2319	582.15
8.			0.2802	538.90
9.			0.3314	512.98
10.			0.3845	457.74
11.			0.4388	410.21
12.			0.4934	334.41
13.			0.5476	264.79
14.			0.6009	199.7
15.			0.6568	152.25
16.			0.7024	108.20
17.			0.7499	82.68
18.			0.7946	62.92
19.			0.8366	46.62

Спектральная характеристика

l_кр = 850 нм

Таблица 2. Вольт-амперная характеристика.

U, B
I, мА

Вольт-амперная характеристика

Дата добавления: 2015-10-21