Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Основные оптические характеристики полупроводников

Читайте также:
  1. I. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ПОЛИТИКИ ПЕРЕМЕН
  2. II. 1. ОСНОВНЫЕ ПОТРЕБНОСТИ ЧЕЛОВЕКА.
  3. II. НАЗНАЧЕНИЕ, ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ И ФУНКЦИИ ПОДРАЗДЕЛЕНИЯ
  4. II. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ПО ОРГАНИЗАЦИИ ПРАКТИКИ
  5. IV. основные направления военно-патриотического воспитания.
  6. АДАПТАЦИИ К ПАРАЗИТИЧЕСКОМУ ОБРАЗУ ЖИЗНИ. ОСНОВНЫЕ ТЕНДЕНЦИИ
  7. Архитектура и структура современных ЭВМ. Основные устройства и их назначение.

Пусть на полупроводниковую пластинку толщиной d падает пучок монохроматического излучения интенсивностью I0, который частично отражается, а частично поглощается.

Если IR — интенсивность отражённого света, то доля отражённого излучения характеризуется коэффициентом отражения:

Часть интенсивности света I(х), которая остается после прохождения расстояния х в полупроводнике, можно определить следующим образом: пусть dI — количество световой энергии, поглощаемой слоем толщиной dx с единичной площадью. Тогда

где α — коэффициент пропорциональности.

Знак «минус», свидетельствует о том, что поглощение ведет к уменьшению I.

Следовательно,

где I0 — интенсивность света на границе пластинки (х = 0).

Таким образом, коэффициент пропорциональности α численно равен обратной толщине слоя полупроводника, в котором интенсивность света уменьшается в е раз. Коэффициент α является важнейшей оптической характеристикой полупроводниковых материалов и называется коэффициентом поглощения.

Закон Бугера-Ламберта:

Коэффициент пропускания (прозрачности) Т представляет собой отношение интенсивности света I(d), прошедшего через образец толщиной d, к интенсивности падающего света I0. С учётом многократного внутреннего отражения коэффициент пропускания:

В соответствии с законом сохранения энергии для непоглощающих сред:

 


Дата добавления: 2015-10-13; просмотров: 59 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Экспериментальное определение ширины запрещённой зоны полупроводников | Практическая часть | При помощи программы MS Excel произвести расчет значений (a×hn)1/2 и (a×hn)2 и занести в табл 1. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Тестування| Механизмы поглощения света в полупроводниках

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)