Основные оптические характеристики полупроводников

Пусть на полупроводниковую пластинку толщиной d падает пучок монохроматического излучения интенсивностью I0, который частично отражается, а частично поглощается.

Если I_R — интенсивность отражённого света, то доля отражённого излучения характеризуется коэффициентом отражения:

Часть интенсивности света I(х), которая остается после прохождения расстояния х в полупроводнике, можно определить следующим образом: пусть dI — количество световой энергии, поглощаемой слоем толщиной dx с единичной площадью. Тогда

где α — коэффициент пропорциональности.

Знак «минус», свидетельствует о том, что поглощение ведет к уменьшению I.

Следовательно,

где I0 — интенсивность света на границе пластинки (х = 0).

Таким образом, коэффициент пропорциональности α численно равен обратной толщине слоя полупроводника, в котором интенсивность света уменьшается в е раз. Коэффициент α является важнейшей оптической характеристикой полупроводниковых материалов и называется коэффициентом поглощения.

Закон Бугера-Ламберта:

Коэффициент пропускания (прозрачности) Т представляет собой отношение интенсивности света I(d), прошедшего через образец толщиной d, к интенсивности падающего света I₀. С учётом многократного внутреннего отражения коэффициент пропускания:

В соответствии с законом сохранения энергии для непоглощающих сред:

Дата добавления: 2015-10-13