Енергетичний розрахунок вхідного ланцюга для схеми із загальним емітером.

Передбачається, що між базовим і емітерним кінцям по РЧ включений додатковий резистор

.

1. Амплітуда струму бази

,

де к = 1+2 πC_кR_к ƒ _Тγ ₁(θ) - коефіцієнт, що враховує вплив прохідної ємкості транзистора на коефіцієнт посилення по струму в схемі із загальним емітером; γ₁(θ) = α₁(θ)(1 - cosθ).

2. Максимальна зворотна напруга на емітерному переході

.

3. Постійні складові базового і емітерного струмів:

, .

4. Напруга зсуву на емітерному переході:

.

5. Значення R_вхОЕ, r_вхОЕ, L_вхОЕ, С_вхОЕ в еквівалентній схемі вхідного опору транзистора на мал. 2.5:

; ;

;

.

Мал. 2.5

6. Резистивна і реактивна складові вхідного опору транзистора:

;

.

Залежності цих опорів від частоти приведені на мал. 2.6, а для окремого випадку при ƒ _Т = 4·10⁹ Гц, С_к = 20 пФ, R_к = 10 Ом, r'_б = 0,5 Ом, r'_е = 1 Ом, L_б =1 нГн, L_е = 0,1 нГн, β₀ = 40, θ = 90°, R_доп = 10 Oм.

Мал. 2.6

7. Вхідна потужність (потужність збудження):

.

8. Коефіцієнт посилення транзистора по потужності:

.

Залежність коефіцієнта посилення по потужності від частоти приведена на мал. 2.6, б.

Розрахунок вхідного ланцюга для схеми із загальною базою (ЗБ)

1. Амплітуда струму емітера:

,

де ƒ_α = (1,2...1,6)ƒ _Т - гранична частота по струму в схемі ЗБ, - коефіцієнт посилення по струму в схемі з загальною базою на низькій частоті.

2. Максимальна зворотна напруга на емітерному переході:

.

3. Постійні складові базового і емітерного струмів:

, .

4. Напруга зсуву на емітерному переході:

.

5. Значення L_вхОБ, r_вхОБ, R_вхОБ, С_вхОБ в еквівалентній схемі вхідного опору транзистора (мал. 2.5):

L_вхОБ = L_е = к L_б,

,

,

.

6. Резистивна і реактивна складові вхідного опору транзистора:

,

.

7. Потужність збудження:

.

8. Коефіцієнт посилення по потужності:

.

Дата добавления: 2015-09-06