Определение h-параметров биполярных транзисторов

Рассчитать h-параметры h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂ биполярного транзистора в заданной исходной рабочей точке.

транзистор	Параметры h11, h12, ИРТ	Параметры h21, h22, ИРТ
IБ, мА	UКЭ, В	IБ, мА	UКЭ, В
КТ104В	0.4		0.4

Параметры h11э и h12э определяют по входным статистическим характеристикам(Рисунок 2.1). Для того что бы нанести положение ИРТ возьмем характеристику Uкэ=5В и на ней отметим точку соответствующую Iб=20мА. После этого можем для ИРТ найти Uбэо=0.82В.

Рисунок 2.1-Определение параметра h11э биполярного транзистора КТ104В

Определение параметров h11э:

Для выполнения условий Uкэ=const выбираем две точки на характеристики Uкэ=5В рядом с ИРТ(Рисунок 2.1).

Для точки А: Uбэа=0.85В; Iба=0.6мА; Uкэа=5В;

Для точки В: Uбэв=0.76В; Iбв=0.2мА; Uкэв=5В;

Для ИРТ: Uбэо=0.82В; Iбо=0.4мА; Uкэо=5В.

Как видно для всех трех точек выполняется равенство Uкэ=5В=const по графикам (Рисунок2.1) определяем приращение точками А и В находим параметры h11э:

h11э= (Uбэа-Uбэв)/(Iба-Iбв)=(0.85В-0.76В)/(0.6мА-0.2мА)=225Ом.

Определение параметров h12э:

Рисунок 2.2-Определение параметра h12э биполярного транзистора КТ104В

Для выполнения условий Iб=const на характеристике Uкэ=0В выбираем точку С для которой Iб=0.4мА.(Рисунок 2.2).

Для точки С: Uбэс= 0.64В Uкэс=0В Iбс=0.4мА;

Для ИРТ: Uбэо=0.82В Uкэо=5В Iбо=0.4мА.

Как видно для этих двух точек выполняется условие Iб=20мА=const. По графикам находим (Рисунок2.2) определяем приращение между точками С и ИРТ находим параметры h12э:

h12э= (Uбэо-Uбэс)/(Uкэо-Uкэс)=(0.82В-0.64В)/(5В-0В)=0.036Ом.

Параметры h21э и h22э определяют по выходным статистическим вольт-амперным характеристикам (Рисунок 2.3).Для того чтобы найти положение ИРТ: Iбо=200мкА Uкэо=10В выходную характеристику при Iб=0.4мА и на ней отметим точку соответствующую Uкэо=10В. После этого для заданной ИРТ найдем: Iко=14мА.

Рисунок 2.3-определение параметра h21э биполярного транзистора КТ104В

Определение параметров h21э:

Для выполнения условий Uкэ=const выберем две точки т.Д и т.Е выше и ниже ИРТ на характеристиках Iб=400 мкА и Iб=0мкА для которых Uкэ=10В (Рисунок 2.3)

Для точки Д: Iкд=27мА; Iбд=400мА; Uкд=10В;

Для точки Е: Iке=4м; I бе=0мА; Uке=10В;

Для ИРТ: Iко=14мА; Iбо=200мА; Uко=10В.

Как видно для этох трех точек выполняется условие Uкэ=10В=const. По графикам (Рисунок2.3) определяем приращение между точками Д и Е находим параметры h21э:

h21э= (Iкд-Iке)/(Iбд-Iбе)=

=(27мА 4мА)/(400мА-200мА)=115.

Определение параметров h22э:

Рисунок 2.4-определение параметра h22э биполярного транзистора КТ104В

Для выполнения условия Iб=const выбераем на характеристике Iб=200мА две точки F и G (Рисунок2.4)

Для точки G: Iкg=16мА; Uкэg=15В; Iбg=200мкА;

Для точки F: Iкf=12мА; Uкэf=5В; Iбf=200мкА;

Для ИРТ: Iко=14мА; Uкэо=10В; Iбо=200мкА.

Как видно для этих точек выполняется следующие условия Iб=200мкА=const. По графикам (Рисунок2.2) определяем приращение между точками G и F находим параметры h22э:

h22э= (Iкg-Iкf)/(Uкэg-Uкэf)=(16мА-12мА)/(15В-5В)=0.4.

Отметим важную особенность что приращение токов и напряжений при определении различных параметров находятся при разных условиях и поэтому не равны между собой. Например при расчете h21э и h22э используется приращение тока коллектора Однако в первом случае оно определяется при Uкэ=сonst а во втором при Iб=const как было показано ранее

.

Дата добавления: 2015-10-13