Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочным переходом называется обедненный свободными носителями зарядов слой полупроводника, разделенный на электронную и дырочную области. Рассмотрим свойства равновесного полупроводника при отсутствии внешнего напряжения (рис. 6.2. а). Предположим, что кристалл разделен на две области: левая область р -дырочная, а правая п -область-электронная.

Дырки под действием сил теплового движения из области р переходят в область п, где они уже будут не основными носителями, а электроны из области п переходят в область р, где тоже будут не основными носителями. Из-за ухода через переход на его правой границе создается пространственный заряд отрицательный, а с левой стороны образуется положительный пространственный заряд из-за ухода электронов.

Рис. 6.2. Условное изображение p - n, перехода (а) с прямым и обратным напряжением (в, б)

Образование пространственных зарядов в р-п переходе приводит к появлению контактной разности потенциалов. За счет контактной разности потенциалов создается электрическое поле. Оно препятствует диффузии дырок и электронов через переход и стремится вернуть дырки и электроны в свои области. Поэтому в центральной части перехода образуется слой с малой концентрацией носителей зарядов и поэтому с большим сопротивлением. Этот слой называется запирающим т.е. препятствующим прохождению тока. Внутреннее поле подхватывает не основные носители каждой области и переносит их в соседнюю, образуя дрейфовый ток. В состоянии равновесия дрейфовый и диффузионный токи равны и противоположны. Общий ток равен нулю.

Если к пластине полупроводника с р-п переходом подключить источник постоянного тока напряжением V плюсом к p - области, а минусом к n -области (рис. 6.2. б), в полупроводнике возникает электрическое поле Еnр, направленное навстречу полю пространственных зарядов Ек и результирующее поле Ер в р-п. переходе будет меньше поля Ек понизится потенциальный барьер, ток диффузии увеличится. Такое включение р-п перехода называется прямым включением, а внешнее напряжение такой полярности прямым напряжением Unp. Так как диффузионный ток стал больше дрейфового тока, то через переход, а следовательно, и через пластину начнет проходить прямой ток Inр. Если прямое напряжение плавно увеличивать, ток Iпр будет расти, сопротивление запирающего слоя уменьшается. Этот процесс называется инжекцией.

Если к р-п переходу приложить напряжение обратной полярности (рис. 6.2в), то в полупроводнике возникнет электрическое поле Еобр, совпадающее по направлению с полем Ек, и результирующее поле Ер станет больше поля Ек. Потенциальный барьер увеличится, сопротивление запирающего слоя увеличивается. Такое включение р-п перехода называется обратным включением, а внешнее напряжение обратным напряжением Uобр. Ток, обусловленный преимущественно неосновными носителями зарядов, называется обратным током Iобр. Вольт- амперная характеристика р-п перехода (рис. 6.3а). Основные свойства р-п перехода - зависимость его сопротивления от полярности приложенного напряжения. При прямом включении оно мало, а при обратном - велико, таким образом р-п переход обладает односторонней проводимостью.

Дата добавления: 2015-08-21