II. Укажите какие из данных утверждений соответствуют содержанию текста.

1) The conductive properties of semiconductors may be modified.

2) A donor atom takes weakly – bound valence electrons off the material.

3) Semiconductors doped with donor impurities are called p-type.

4) The concentration of dopant introduced to an intrinsic semiconductor determines its electric properties.

5) Doped semiconductors have conductivity levels comparable to metals.

III. Выберите правильные ответы на вопросы.

1) How is the process of introduction of impurities into the crystal lattice of semiconductors called?

a) Etching.

b) Doping.

c) Oxidation.

2) What does the choice of materials as dopants depend on?

a) The atomic properties.

b) The electric properties.

c) The weight of materials.

3) What is the most important factor that doping directly affects?

a) The temperature of the material.

b) The presence of an electric field in the material.

c) Material’s carrier concentration.

IV. Прочитайте предложения. Выберите правильный вариант перевода.

The materials chosen as suitable dopants depend on the atomic properties of both the dopant and the material to be doped.

a. Выбор подходящего для легирования материала зависит от атомных свойств как примеси, так и легируемого материала.

b. Материалы в качестве легирующих зависят от атомных свойств обоих материалов: и примеси, и легируемого.

c. Выбор подходящих для легирования материалов зависит как от примесного, так и легируемого материалов.

Therefore, a silicon crystal chopped with boron creates a p-type semiconductor, whereas one doped with phosphorus result in n-type material.

Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает р-тип полупроводника, в то время, как он, легируемый фосфором, результирует в n-тип материала.

Таким образом, в результате легирования бором кристалла кремния создается полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа.

Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа.

It is useful to note that even degenerate levels of doping imply low concentrations of impurities with respect to the base semiconductor.

Следует отметить, что даже высокие степени легирования подразумевают низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику.

Следует отметить, что даже высокие степени легирования предполагали низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику.

Следует отметить, что даже высокие уровни легирования предполагают низкие концентрации примесей по отношению к базовому полупроводнику.

V. Переведите письменно абзацы 1 – 3 текста.

Дата добавления: 2015-08-03