Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Примеси внедрения. Ковалентные структуры типа алмаза

Читайте также:
  1. I. Анализ методической структуры и содержания урока
  2. IV. Соответствие содержательной структуры теста требованиям ГОС специальности «география», «биология», «биохимия», «экология» .
  3. Адаптивные структуры управления.
  4. Анализ имущественного состояния и структуры капитала предприятия
  5. Анализ структуры и качества продукции предприятия
  6. Анализ структуры интегрированной информационной системы управления предприятием регионального оператора связи
  7. Анализ структуры личностных конструктов субъектов по взаимодействию.

 

На основе экспериментальных исследований было установлено следующее. При попадании в междоузлие кристаллической решетки германия лития
(I группа) он, вопреки правилам валентности, создает донорную примесь. Это обеспечивается за счет ионизации атома Li в среде с большой диэлектрической проницаемостью. В результате образуется ион Li меньших размеров, а освободившийся электрон, оторвавшийся от атома Li, начнет блуждать по кристаллу и создаст электропроводимость n –типа.

Если в междоузлие кристаллической решетки германия внедряется электроотрицательный атом О (VI группа), имеющий небольшие размеры, то благодаря его электроотрицательности он начнет захватывать электроны у атомов германия и создаст электропроводность р –типа.

Если атом Gе или Si под влиянием энергетического воздействия перебрасывается в междоузлие, то образуются два примесных уровня: донорный внедренного атома и акцепторный пустого узла.

 

ПРИМЕСИ ВНЕДРЕНИЯ. ИОННЫЕ СТРУКТУРЫ

 

Большая часть металлов из-за больших размеров их атомов не может проникать в междоузлия плотных ионных кристаллических решеток. Такое проникновение возможно только лишь в случае ионизации этих атомов в среде с большой диэлектрической проницаемостью, что приводит к уменьшению их размеров и отрыву внешних электронов, которые будут блуждать по кристаллу и создадут электропроводность n -типа.

 

 

ВОЗДЕЙСТВИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

 

Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 52 | Нарушение авторских прав

Читайте в этой же книге: ВЛАЖНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИКОВ | ВЛАЖНОСТЬ ИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ | ВЛАГОПРОНИЦАЕМОСТЬ ИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ | МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИКОВ | ВЯЗКОСТЬ ИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ | НАГРЕВОСТОЙКОСТЬ ДИЭЛЕКТРИКОВ. КЛАССЫ НАГРЕВОСТОЙКОСТИ | ВОЗДЕЙСТВИЕ ИЗЛУЧЕНИЙ ВЫСОКОЙ ЭНЕРГИИ НА ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ | ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ ЛИНЕЙНОГО РАСШИРЕНИЯ ПРОВОДНИКОВ | РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ ПРОВОДНИКОВ | СВЕРХПРОВОДНИКИ И КРИОПРОВОДНИКИ |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ. КОВАЛЕНТНЫЕ СТРУКТУРЫ ТИПА АЛМАЗА| ВЛИЯНИЕ СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)