Читайте также:
|
|
Электропроводность полупроводников зависит от напряженности электрического поля. При низких значениях напряженности поля (до некоторого критического значения Ек) соблюдается закон Ома, и удельная проводимость не зависит от напряженности поля, а при более высоких напряженностях поля начинается интенсивный рост удельной проводимости по экспоненциальному закону, приводящий к разрушению структуры полупроводника. С ростом температуры кривая удельной проводимости перемещается вверх, а наклон возрастающей части становится меньше (рисунок 36).
Рисунок 36
Для некоторых полупроводников зависимость удельной проводимости от напряженности поля описывается выражением
,
где γ — удельная проводимость полупроводника при Е < Ек, См/м,
β — коэффициент, характеризующий полупроводник, .
Возрастание проводимости обусловлено ростом числа носителей заряда, так как под влиянием поля они легче освобождаются тепловым возбуждением. При дальнейшем росте поля может появиться механизм ударной ионизации, иногда приводящий к разрушению структуры полупроводника.
Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 101 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
ПРИМЕСИ ВНЕДРЕНИЯ. КОВАЛЕНТНЫЕ СТРУКТУРЫ ТИПА АЛМАЗА | | | Основные виды магнитных потерь |