Исследование амплитудных детекторов

Лабораторная работа №2

Преподаватель:

________ А.В.Сочилин

“__” __________ 2010 г

Выполнил:

студенты гр. 7011

Огарков А.А.

Соловьев А.Э.

“__” __________ 2010 г

Великий Новгород

2010 г.

1 Цель работы:

В работе исследуются основные характеристики последовательного амплитудного детектора на полупроводниковом диоде. Исследования проводятся в широком диапазоне сигналов, охватывающем области как линейного, так и квадратичного детектирования. Работа дает представление о принципах построения амплитудных детекторов на транзисторах.

2 Схемы установки:

Рисунок 1 – Диодный амплитудный детектор

Рисунок 2 – Коллекторный амплитудный детектор

Рисунок 3 – Эмиттерный амплитудный детектор

Рисунок 4 – Амплитудный детектор с комбинированной коллекторно-базовой схемой

3 Результаты измерений и вычислений:

3.1 Снятие семейства выпрямительных характеристик:

Таблица 1 – Результаты исследования

Fпр=465 кГц m=0

Uω=0 В

U, В	-0,5	-0,4	-0,3	-0,2	-0,1
I, мА	0.7	0.58	0.45	0.35	0.25	0.15

Uω=0,3 В

U, В	-0,25	-0,1		0.1	0.2	0.3
I,мА	0,85	0.6	0.4	0.2	0.1

Uω=0,6 В

U, В	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7
I, мА		0.85	0.6	0,35	0.15	0.0 5

Uω=0,9 В

U, В	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9
I, мА		0,8	0,6	0,35	0,2	0.05

Рисунок 5 – Семейство выпрямительных характеристик

3.2 Снятие семейства детекторных характеристик:

Таблица 2 – Результаты измерений

fпр=465 кГц m=0

R1

Uвх		0.05	0.06	0.08	0.1	0.15	0.18	0.3	0.5	0.94
Uвых			0.025	0.03	0.04	0.05	0.075	0.1	0.18	0.3

R2

Uвх		0.05	0.06	0.08	0.1	0.15	0.18	0.3	0.5	0.94
Uвых		0.001	0.025	0.03	0.04	0.05	0.06	0.1	0.16	0.26

R3

Uвх		0.05	0.06	0.08	0.1	0.15	0.18	0.3	0.5	0.94
Uвых		0.001	0.025	0.03	0.04	0.05	0.06	0.1	0.15	0.3

Рисунок 5 – Семейство детекторных характеристик

Дата добавления: 2015-07-26