Входное сопротивление последовательного АД на диоде в режиме сильного сигнала

Для оценки входного сопротивления АД необходимо выделить из тока, протекающего через диод, составляющую I _ω0 на частоте ω₀, При идеальном диоде

(18)

Тогда при малых углах θ входное сопротивление АД составит

(19)

Выражение (19) используют на практике для оценки входного сопротивления АД на вакуумных или на полупроводниковых диодах, если (R_i)_ОБР >> R _Н.

При рассмотрении влияния (R_i)_ОБР на R _ВХ следует оценить амплитуду тока первой гармоники, учитывая величину и разнополярность импульсов прямого и обратного тока, протекающего через диод. При этом можно показать, что при малых углах θ

(19)́

Проанализируем зависимость R _ВХ(R _Н). При R _H=0 угол отсечки θ = π / 2, поэтому, как следует из (18),

и (20)

При R _H→∞из (19') вытекает, что R _ВХ→(R_i)_ОБР/3. Таким образом, с увеличением сопротивления нагрузки величина входного сопротивления АД возрастает от R _BX = 2/ S при R _H= 0 до значения (R_i)_ОБР/3 при R _H→∞. Физически это объясняется тем, что источник сигнала шунтируется диодом, который открыт только часть периода входного сигнала, равную 2θ. При увеличении величины R _H уменьшается угол отсечки от π/2 до значений, близких к нулю. Это приводит к уменьшению амплитуды тока первой гармоники, протекающей через диод, следовательно, к возрастанию величины R _BX.

В общем случае при рассмотрении входного сопротивления АД следует учитывать и реактивную составляющую.

Эта составляющая обусловлена емкостью р-n перехода диода паразитной емкостью монтажа. Она невелика и составляет единицы пикофарад, однако может привести к смещению резонансной кривой входного контура АД.

Дата добавления: 2015-07-26