Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Объект исследования и основные теоретические положения

Читайте также:
  1. B. ПРОГРАММНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ НЕЙТРАЛЬНОГО ПОЛОЖЕНИЯ КОРОБКИ ПЕРЕДАЧ ДЛЯ АВТОМОБИЛЕЙ С НЕАВТОМАТИЧЕСКОЙ ТРАНСМИССИЕЙ (петля фиолетового провода должна быть перерезана)
  2. D. Функциональная, организационная, персональная и финансовая независимость органов государственного финансового контроля и их должностных лиц от объектов контроля.
  3. Field-фобии в практике качественного социологического исследования
  4. I этап. Теоретический этап исследования (Постановка проблемы).
  5. I. Защита населения и объектов от чрезвычайных ситуаций
  6. I. Методы исследования в акушерстве. Организация системы акушерской и перинатальной помощи.
  7. I. Общие методические требования и положения

УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Цель работы

Изучение схемы и работы однокаскадного усилителя напряжения переменного тока, построенного на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером, и измерение характеристик усилителя.

Объект исследования и основные теоретические положения

Усилительный каскад с емкостными связями на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером (ОЭ) широко применяется для усиления сигналов переменного тока как в исполнении на дискретных компонентах, так и в составе интегральных микросхем. На рисунке 1 приведена схема каскада с ОЭ.

 
 

 

 


Рис. 1. Схема усилительного каскада с емкостной связью на биполярном транзисторе с общим эмиттером

 

Резистор Rбв цепи базы обеспечивает ток базы покоя Iб.о, который задает требуемую точку покоя (Iк.о;Uкэ.о) в статическом режиме.

Конденсатор С1 изолирует вход каскада по постоянному току и соединяет его с источником сигнала по переменному току. Конденсатор С2 выполняет такую же функцию по отношению к выходу каскада и нагрузке. Оба конденсатора должны иметь достаточно малое сопротивление на частоте сигнала.

В статическом состоянии (в покое) рабочая точка характеризуется током коллектора покоя Iк.о и напряжением коллектор-эмиттер Uкэ.о. Эти значения связаны уравнением статической линии нагрузки:

Uкэ.о = Eк – Iк.о·Rк. (1)

Для переменного тока (т. е. сигнала) реактивное сопротивление конденсатора С2 мало и поэтому сопротивления нагрузки и коллектора включены параллельно: Rк.н = Rк || Rн. Колебания тока коллектора и напряжения на коллекторе связаны динамической линией нагрузки, которая проходит через точку покоя О под большим углом к оси Uкэ, чем статическая:

Uкэ = Eк.экв – Iк ·Rк.н, (2)

где Eк.экв – напряжение эквивалентного источника:

. (3)

Статическая и динамическая линии нагрузки показаны на рисунке 2.

 

Рис. 2. Графики статической и динамической линий нагрузки

Для малых приращений тока коллектора и напряжения коллектор–эмиттер уравнение динамической линии нагрузки имеет вид

DU кэ = – DI к R к.н .

При усилении гармонических колебаний амплитуды переменных составляющих напряжения на коллекторе и тока коллектора связаны соотношением

U кэ.m = I к.m R к.н .

Положение точки покоя (Iк.о;Uкэ.о) на статической линии нагрузки удобно определять графо-аналитическим методом, располагая графиками выходных характеристик. Для того, чтобы обеспечить симметричные условия для положительной и отрицательной полуволн колебаний выходного напряжения, точку покоя (I к.о; U кэ.о) следует выбирать в середине активного участка динамической линии нагрузки.

Напряжение U кэ.о можно принять равным четверти напряжения питания:

U кэ.о = 0,25 E к. (4)

Из этого условия можно вычислить ток коллектора в статическом режиме I к.о:

. (5)

 

и ток базы I б.о:

, (6)

после чего рассчитать сопротивления R б:

. (7)

Выходную проводимость h 22э в (6) принять равной 0,02 мСм, напряжение на эмиттерном переходе U бэ.о = 0,6 В.

Резистор R ос в цепи эмиттера, как правило, имеет небольшое сопротивление и не влияет на статический режим. Но он оказывает заметное влияние на переменном токе, так как является элементом отрицательной обратной связи.

Коэффициент усиления по напряжению усилительного каскада в области средних частот равен

, (8)

где R вх.тр – входное сопротивление транзистора.

Без резистора R ос в цепи эмиттера R вх.тр = h 11э, и усиление максимально. Резистор R ос увеличивает входное сопротивление транзистора R вх.тр:

R вх.тр.ос = h 11э + (h 21э + 1) R ос. (9)

Величина называется «петлевым усилением» и характеризует глубину обратной связи. Отрицательная ОС снижает усиление в раз, т. е.

(10)

и во столько же раз увеличивает входное сопротивление:

.

Необходимо выбрать величину R ос, исходя из заданного коэффициента усиления K u.

В области низких частот (НЧ) усиление каскада уменьшается из-за влияния разделительных конденсаторов C1 и C2:

 

,

где τ н – постоянная времени усилителя в области НЧ.

Нижняя граничная частота, на которой усиление уменьшается в раз, равна

. (11)

Величина τн определяется постоянными времени двух цепей, в которые входят указанные выше конденсаторы:

. (12)

Здесь постоянная времени входной цепи равна

t н1 = R вх.тр.ос· C 1, (13)

где R вх.тр.ос – входное сопротивление каскада с учетом влияния ООС,

постоянная времени выходной цепи равна

t н2 = (R к + RнC 2. (14)

Исходя из заданной нижней частоты усилителя f н, с помощью (11) можно определить требуемую величину постоянной времени τн и найти значения tн1 и tн2. Целесообразно принять постоянные времени обеих цепей одинаковыми: tн1 = tн2 = 2 tн, после чего рассчитать емкости конденсаторов по формулам (13) и (14).

С повышением частоты также происходит уменьшение коэффициента усиления по сравнению с областью средних частот:

, (15)

где t в – постоянная времени усилителя в области высоких частот (ВЧ).

Снижение усиления на ВЧ обусловлено двумя факторами:

1) уменьшением модуля дифференциального коэффициента передачи тока базы β диф по сравнению с h 21э;

2) влиянием выходной емкости транзистора С вых и емкости нагрузки С н, шунтирующих выходную цепь усилителя.

Поэтому t в определяется и частотными свойствами транзистора (с учетом ООС), и паразитными емкостями.

Верхняя частота усилителя f в, на которой усиление уменьшается в раз по сравнению с областью средних частот, равна

. (16)


Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 59 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Операционные мощности| Программа исследований

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)