Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Работающего в режиме А

Читайте также:
  1. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР В РЕЖИМЕ УСИЛЕНИЯ
  2. В режиме автономной работы
  3. В стационарном режиме
  4. Введены новые рекомендации в отношении подготовки персонала, работающего на судах в полярных водах и персонала, работающего на судах с системами динамического позиционирования.
  5. Внешняя характеристика трансформатора. Падение напряжения в номинальном режиме.
  6. ВОЗБУЖДЕНИЕ ТЯГОВОГО ГЕНЕРАТОРА В РЕЖИМЕ ХОЛОСТОГО ХОДА
  7. Выбор мощности при кратковременном режиме работы двигателя

 

В режиме А обычно работают усилители, на вход которых подаются сигналы с малыми амплитудами.

В этом случае усилитель можно считать линейным и представлять линейным активным четырехполюсником. В режиме А рабочая точка (РТ) должна находиться в активной (рабочей) области ВАХ транзистора.

Рассмотрим ВАХ биполярного транзистора, выполненного по схеме с общим эмиттером ОЭ (рисунок 14.5). Рабочая область ограничена линиями, отделяющими области насыщения, отсечки, и линиями допустимых значений коллекторного тока Iкдоп, коллекторного напряжения Uкдоп и рассеиваемой мощности Ркдоп.

 

В области насыщения и отсечки транзистор теряет свои усилительные свойства.

Превышение Uкдоп и Ркдоп приводит к выходу транзистора из строя. Превышение Iкдоп - значительно ухудшает усилительные свойства.

Нерабочие области мы штрихуем.

Для ВАХ полевого транзистора с n-p-переходом, включенного по схеме с ОИ (рисунок 14.6), условия будут следующими.

Рабочая область ограничена линиями допустимых значений напряжения на стоке Uсдоп и тока стока Iсдоп, линией перегиба характеристик, где транзистор выходит из режима насыщения, и линией допустимой мощности рассеивания Ркдоп.

Что нужно для выбора рабочей точки биполярного транзистора? Необходимо задать UОКЭ, IОК, IОБ, UОБЭ (о - рабочая точка). Из входных характеристик следует, что IОБ однозначно связаны с UОБЭ (рисунок 14.7).

Выбор рабочей точки начинается с определения коллекторного тока, так как от него зависят практически все параметры. Часто в качестве исходного выбирают режим, при котором измерялись параметры, указанные в справочнике.

Для полевого транзистора при выборе рабочей точке задают IОС, UОСИ и UОЗИ.

На проходной характеристике полевого транзистора выбранное значение смещения UОЗИ соответствует току IОС, обеспечивающему требуемое значение крутизны (рисунок 14.8).

Рассмотрим простейшую схему, позволяющую выбрать режим для биполярного транзистора (рисунок 14.9).

Для коллекторной цепи транзистора этой схемы справедливы уравнения:

В координатах IК, UКЭ это уравнение соответствует прямой линии, проходящей через точки Е0 на оси напряжений и Е 0 /Rк на оси токов под углом к оси напряжений. Эта линия называется прямой нагрузочной или линией нагрузки. Если источник EБ, включенный в цепь базы, обеспечивает напряжение между базой и эмиттером UОБЭ (напряжение смещения) и ток базы IБ, то пересечение прямой нагрузочной с выходной характеристикой соответствует IОБ и определяет положение рабочей точки. Рассмотренная схема установки рабочей точки требует двух источников питания и на практике не используется.

Обеспечить выбранный режим при использовании только одного источника можно с помощью схем, приведенных на рисунках 14.10‑14.13.

В схемах, изображенных на рисунках 14.10 и 14.11, необходимые значения базового и коллекторного токов обеспечиваются выбором сопротивления RБ:

(для рисунка 14.10),

(для рисунка 14.11).

 

В схеме на рисунке 14.12 заданное смещение UОБЭ получается за счет выбора резисторов R 1 R 2:

.

Для схемы, приведенной на рисунке 14.13, рабочая точка задается резисторами R 1, R 2 , Rэ и . Базовое смещение и коллекторный ток определяются следующим образом:

Схема, приведенная на рисунке 14.13, используется чаще, так как обеспечивает высокую стабильность режима при значительных изменениях температуры и ЭДС источника.

В усилителях на полевых транзисторах с n-p-переходом для задания рабочей точки наиболее часто используется схема с автоматическим смещением (рисунок 14.14).

Чтобы обеспечить требуемое на затворе транзистора напряжение UОЗИв цепь истока включают резистор RИ, а затвор заземляют через резистор RЗ.

При протекании тока IОСчерез RИна нем появляется падение напряжения U=IОСRИ. Так как ток затвора IЗ, протекающий через RЗ,мал, то падение напряжения на RЗпрактически равно нулю (U=0).

Исходное смещение на затворе транзистора UОЗИпрактически равно U:

,

за счет RИвозрастает ООС по постоянному току, поддерживающая установленный режим стабильным.

 

Лекция №15

 


Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 266 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Классификация и основные характеристики усилителей | Коэффициент усиления | Характеристики усилителей | КПД усилителя | Входная и выходная проводимости | Усилитель - как линейный активный четырехполюсник | Усилителя | Учет инерционности биполярного транзистора | Анализ искажений импульсного сигнала | Коррекция искажений в апериодическом усилителе |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Классы усилителей| Апериодического усилителя

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)