Библиографический список. 3. Лачин В. И. , Савелов Н. С

1. Гальперин М.В. Практическая схемотехника в промышленной автоматике. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 320 с.

2. Коломбет Е.А. Микроэлектронные средства обработки аналоговых сигналов. — М.: Радио и связь, 1991. — 376 с.

3. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. пособие. — Ростов н/Д: Изд-во «Феникс», 2000. — 448 с.

4. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов. — М.: Горячая линия — Телеком, 2000. — 768 с.

5. Теория автоматического управления: Учеб. для машиностроит. спец. вузов/ В.Н. Брюханов, М.Г. Косов, С.П. Протопопов и др.; Под ред. Ю.М. Соломенцева. — М.: Высш. шк., 1999 — 268 с.

6. Фолкенберри Л. Применение операционных усилителей и линейных ИС / Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 572 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ

1. Полупроводниковые приборы........................................................................ 3

1.1. Полупроводники

1.2. Электронно-дырочный переход.............................................................. 6

1.3. Вентильное свойство идеального p-n перехода...................................... 8

1.4. Емкость идеального p-n перехода......................................................... 10

1.5. Полупроводниковый диод..................................................................... 10

1.6. Вольт-амперная характеристика реального p-n перехода. Пробой... 11

1.7. Полупроводниковые приборы с одним выпрямляющим переходом. 13

1.8. Биполярный транзистор........................................................................ 19

1.9. Полевые транзисторы............................................................................ 27

1.10. Особенности мощных высоковольтных транзисторов........................ 33

1.11. Однопереходные транзисторы.............................................................. 35

1.12. Тиристоры.............................................................................................. 38

2. Усилители....................................................................................................... 43

2.1. Каскадирование как принцип построения электронных устройств

2.2. Классификация усилителей.................................................................... 44

2.3. Основные параметры усилителей.......................................................... 45

2.4. Обратные связи в усилителях................................................................ 50

2.5. Усилители на биполярных транзисторах............................................. 55

2.5.1. Обеспечение начального режима работы усилителя................... 55

2.5.2. Усилитель с эмиттерной стабилизацией........................................ 59

2.5.3. Математические модели биполярного транзистора..................... 61

2.5.4. Расчет усилителя с эмиттерной стабилизацией по переменному току 63

2.5.5. Усилитель с ОК.............................................................................. 67

2.5.6. Фазоинверсный каскад................................................................... 69

2.6. Усилители постоянного тока................................................................. 70

2.7. Дифференциальный усилитель.............................................................. 71

2.8. Выходные каскады................................................................................. 75

2.9. Операционный усилитель...................................................................... 81

2.9.1. Операционный усилитель как идеальный усилитель

2.9.2. Передаточная характеристика ОУ................................................ 83

2.9.3. Скорость нарастания ОУ............................................................... 84

2.9.4. Упрощенная внутренняя структура ОУ........................................ 85

2.9.5. Основные схемы включения ОУ.................................................... 86

2.9.6. Компенсация смещения.................................................................. 92

2.9.7. Ослабление синфазных сигналов.................................................. 94

2.9.8. Частотная коррекция операционного усилителя.......................... 95

2.9.9. Использование ОУ при однополярном питании........................ 100

2.10. Усилители с промежуточным преобразованием

3. Импульсные усилители................................................................................ 101

3.1. Общие требования к ключевым каскадам

3.2. Ключи на биполярных транзисторах................................................. 102

3.2.1. Общая характеристика......................................................................

3.2.2. Расчет ключа на биполярном транзисторе................................. 107

3.2.3. Повышение быстродействия ключей на биполярных транзисторах.......................................................................................... 107

3.3. Ключи на полевых транзисторах........................................................ 111

3.3.1. Общая характеристика

3.3.2. Особенности управления мощными полевыми транзисторами. 114

3.4. Регулирование мощности с использованием ключевых схем............ 116

4. Схемы формирования заданного тока и напряжения................................ 118

5. Источники вторичного электропитания..................................................... 123

5.1. Структура и основные параметры

5.2. Выпрямители........................................................................................ 125

5.3. Устройства стабилизации мгновенных значений напряжения........... 128

5.4. Устройства стабилизации среднего значения напряжения................ 130

5.5. Импульсные стабилизаторы напряжения........................................... 135

6. Генераторы сигналов................................................................................... 138

7. Частотно-зависимые устройства................................................................. 142

7.1. Аналоговые фильтры

7.2. Синтез корректирующих звеньев........................................................ 149

7.3. Схемная реализация корректирующих звеньев................................. 151

7.4. Схемная реализация регулятора......................................................... 156

Библиографический список............................................................................... 158

* Cоответственно от negative — отрицательный и positive — положительный.

* Термин «экстракция» будет расшифрован далее.

* В англоязычной литературе полевые транзисторы называются транзисторами FET типа, от Field Effect Transistor.

* В англоязычной литературе применяют сокращения MOSFET и MISFET соответственно.

[*] В иностранной и отечественной литературе эти транзисторы называют также IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor

*Т. е. при протекании через эти элементы синусоидального тока его форма не меняется.

* Изменение операции сложения на вычитание эквивалентно дополнительному сдвигу фазы гармонического сигнала на радиан.

* Это справедливо только при значительном (1000 и более) коэффициенте усиления собственно ОУ.

*Октава — отношение частот в два раза, декада — в десять раз.

Дата добавления: 2015-07-14