| Читайте также: 
 | 
Расчет схемы коммутации, показанной на рис. 100,а, сводится к определению сопротивления  в цепи базы транзистора при заданных управляющем напряжении, напряжении питания и сопротивлении нагрузки. В большинстве случаев полярность управляющего напряжения неизменна, поэтому в схеме коммутации реализуют режим пассивного запирания.
 в цепи базы транзистора при заданных управляющем напряжении, напряжении питания и сопротивлении нагрузки. В большинстве случаев полярность управляющего напряжения неизменна, поэтому в схеме коммутации реализуют режим пассивного запирания.
Расчет сопротивления  производится по выходной характеристике транзистора (рис. 100,б). Ток базы транзистора
 производится по выходной характеристике транзистора (рис. 100,б). Ток базы транзистора  выбирается исходя из заданного коэффициента насыщения
 выбирается исходя из заданного коэффициента насыщения  . Очевидно, что данный ток обеспечивается при следующем сопротивлении в цепи базы:
. Очевидно, что данный ток обеспечивается при следующем сопротивлении в цепи базы:

Существуют упрощенные методики расчета сопротивления  , не требующие знания характеристик транзистора. Например, сопротивление
, не требующие знания характеристик транзистора. Например, сопротивление  может быть рассчитано из требования, чтобы базовый ток транзистора
 может быть рассчитано из требования, чтобы базовый ток транзистора  составлял десятую часть коллекторного тока, рассчитываемого приближенно как
 составлял десятую часть коллекторного тока, рассчитываемого приближенно как  .
.
Дата добавления: 2015-07-14; просмотров: 289 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> | 
| Общая характеристика | | | Повышение быстродействия ключей на биполярных транзисторах |