Читайте также:
|
|
Низкое сопротивление нагрузки 3 Ома требует большого усиления в оконечном каскаде. Усиление возможно будет достигнуто в предварительных каскадах, однако входные каскады работают в режиме А, который не должен работать на низкоомные нагрузки из-за низкого КПД. Для создания большого коэффициента усиления по току воспользуемся схемой Дарлингтона.
Рисунок 6 – составной транзистор Дарлингтона
Тогда оконечный каскад может выглядеть следующим образом:
Рисунок 7 – оконечный каскад
Сопротивление R служит для улучшения частотных свойств транзисторов в момент закрывания. Им часто пренебрегают, однако в идеализированном случае транзисторы вообще не могут закрыться полностью при оборванной базе.
Описываем математически данный каскад. Транзисторы еще не выбраны, поэтому значения усиления выбираются приблизительно. После выбора конкретных изделий требуется вторая итерация.
%%%%Pre_iterate
H21_op4_min=10;
H21_op3_min=15;
%%%%absolute maximum
I_op4_max=(Ucc/2)/R_load; %Ток выходных транзисторов в пике
R_in_op4_=R_load*H21_op4_min; %Входное сопротивления op4 без учета подпорки
R9=R_in_op4_; %Подпорочный резистор
R_in_op4=(R9*R_in_op4_)/(R_in_op4_+R9); %Сопротивление нагрузки op3/ полное входное op4
I_op3_max=(Ucc/2)/R_in_op4; %Выходной ток op3
R_in_op3_=R_in_op4*H21_op3_min; %Входное сопротивление op3 без учета делителя
P_diss_op4=((1/pi^2)*((Ucc/2)^2)/R_load)*2; %Максимальная рассеиваемая мощность op4
P_diss_op3=((1/pi^2)*((Ucc/2)^2)/R_in_op4)*2; %Максимальная рассеиваемая мощность op4
P_out_max=((Ucc/(2*sqrt(2)))^2)/R_load; %Мощность RMS
Полученные значения:
I_op4_max =5
I_op3_max =1
P_diss_op4 =15.1982
P_diss_op3 =3.0396
P_out_max =37.5000
Приведем графики зависимости рассеиваемой и выходной мощности:
Рисунок 8 – Рассеиваемая, полезная и требуемая мощности
Syms t;
for i=1:Ucc/2
U_out=i-1;
P_diss(i)=int(((Ucc/2-U_out*sin(t))*(U_out*sin(t))/R_load),t,0,pi)/pi;
P_out_plot(i)=int(((U_out*sin(t))*(U_out*sin(t))/R_load),t,0,pi)/pi;
P_nom_plot(i)=2.5;
End;
plot(0:Ucc/2-1,P_diss,0:Ucc/2-1,P_out_plot,0:Ucc/2-1,P_nom_plot);
Напряжение приложенное к транзисторам будет равно напряжению питания 30 вольт. В результате поиска в каталогах фирмы Fairchild были найдены комплиментарные пары:
BD244 BD234
BD135 BD136
BC547 BC557
Даташиты в приложении А.
Произведем на основании данных из документации вторую итерацию:
%%%%Second_iterate
H21_op4_min=40;
H21_op3_min=70;
Uke_op4=1;
Uke_op3=1;
Ube_op4=1;
Ube_op3=1;
I_op4_max=((Ucc/2-Uke_op4-Uke_op3-Ube_op4-Ube_op3))/R_load; %Ток выходных транзисторов в пике
R_in_op4_=R_load*H21_op4_min; %Входное сопротивления op4 без учета подпорки
R9=R_in_op4_; %Подпорочный резистор
R_in_op4=(R9*R_in_op4_)/(R_in_op4_+R9); %Сопротивление нагрузки op3/ полное входное op4
I_op3_max=(Ucc/2-Uke_op3-Ube_op3)/R_in_op4; %Выходной ток op3
R_in_op3_=R_in_op4*H21_op3_min; %Входное сопротивление op3 без учета делителя
P_diss_op4=((1/pi^2)*((Ucc/2)^2)/R_load)*2; %Максимальная рассеиваемая мощность op4
P_diss_op3=((1/pi^2)*((Ucc/2)^2)/R_in_op4)*2; %Максимальная рассеиваемая мощность op4
P_out_max=((((Ucc/2-Uke_op4-Uke_op3-Ube_op4-Ube_op3))/sqrt(2))^2)/R_load; %Максимальная выходная мощность RMS
Результат пересчета:
I_op4_max =3.6667
I_op3_max =0.2167
R_in_op3_ =4200
P_diss_op4 =15.1982
P_diss_op3 =0.7599
P_out_max =20.1667
Мощности рассеивания показаны суммарно для обоих плеч. Как видно реальный усилитель может дать значительно меньше максимальную мощность. Усиление реальных транзисторов оказалось больше, поэтому снизились потери и увеличилось входное сопротивление.
Дата добавления: 2015-10-29; просмотров: 69 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Предварительный расчет | | | Расчет входных каскадов |