Оборудование, приборы и материалы. В данной работе будет использовано следующее оборудование:

В данной работе будет использовано следующее оборудование:

- Сканирующий электронный микроскоп Hitachi S-2300.

- Рентгеноспектральный микроанализатор Oxford Instruments Link ISIS-300.

- Шлифы поперечного сечения Nb₃Sn и NbTi сверхпроводников различной конструкции, изготовленных разными методами, до и после травления.

- Изломы поперечных сечений Nb₃Sn сверхпроводников, изготовленных по бронзовой технологии и методом внутреннего источника олова.

4. Содержание и порядок выполнения работы

В работе используются образцы композиционных сверхпроводников на основе NbTi сплавов и интерметаллического соединения Nb₃Sn различных конструкций, изготовленные для исследования структуры сверхпроводников с использованием методов сканирующей электронной микроскопии и микрорентгеноспектрального анализа, а также для контроля качества полуфабрикатов на отдельных стадиях технологических операций.

В работе проводится:

- Ознакомление с устройством сканирующего электронного микроскопа Hitachi S-2300 и рентгеноспектрального микроанализатора Oxford Instruments Link ISIS-300.

- Ознакомление с основными этапами фрактографического анализа при работе на сканирующем электронном микроскопе.

- Ознакомление с основными этапами микрорентгеноспектрального анализа при работе на микроанализаторе.

- Ознакомление с основными приемами подготовки образцов сверхпроводников различных типов для проведения анализа на сканирующем микроскопе и микроанализаторе.

В работе выполняется:

- Размещение подготовленных образцов сверхпроводников на предметном столике микроскопа, с последующей его установкой в вакуумной камере микроскопа.

- Установка и настройка параметров сканирующего микроскопа и микроанализатора для проведения анализа.

- Фотосъёмка фрагментов поперечных сечений сверхпроводников различных типов с целью определения диаметра волокна и межволоконных расстояний. (Работа проводится на шлифах поперечных сечений сверхпроводников после химического травления)

- Фотосъёмка фрагментов поперечных сечений Nb₃Sn сверхпроводников с целью определения толщины диффузионного барьера. (Работа проводится на шлифах поперечных сечений сверхпроводников после химического травления)

- Фотосъёмка излома Nb₃Sn сверхпроводника с целью определения размеров зон столбчатых и равноосных зёрен интерметаллида Nb₃Sn. (Работа проводится на изломе поперечного сечения провода)

- Количественный анализ химического состава волокон и матрицы в сверхпроводниках различных типов. (Работа проводится на шлифах поперечных сечений сверхпроводников после химического травления)

- Анализ полученных результатов и составление отчета по итогам работы, в соответствии с индивидуальным заданием.

Дата добавления: 2015-07-08