Сборка и опробование схемы для испытания транзистора.

Исследование транзистора включенного по схеме с общим эмиттером.

Цель работы: Снять статические характеристики транзистора и определить по опытным данным его параметры.

Программа работы

1. Предварительная подготовка к работе.

2. Сборка схемы для исследования биполярного транзистора.

3. Снятие входных характеристик транзистора.

4. Снятие выходных характеристик транзистора.

5. Построение входных и выходных характеристик транзистора.

6. Определение h-параметров по характеристикам.

7. Составление эквивалентной схемы замещения.

Рабочее задание

Все студенты выполняют одно рабочее задание. Однако каждая бригада исследует разные типы транзисторов.

Выполнение работы

Предварительная подготовка к работе.

1.1. Ознакомиться с лекциями, с одним из источников литературы. Изучая данный материал, студент должен хорошо усвоить:

а) принцип действия биполярного транзистора;

б) входные и выходные характеристики триода в схеме с общим эмиттером;

в) определение h-параметров по статическим характеристикам;

г) построение эквивалентной схемы замещения транзистора.

1.2. Приготовить бланк для отчета и в него занести:

а) название, номер, цель и программу работы;

б) номинальные электрические данные и предельно допустимые электрические величины исследуемого транзистора, к которым относятся:

Ø тип и проводимость транзистора;

Ø I _{К. МАХ} ─ максимально допустимый постоянный ток через коллектор;

Ø U_{КЭ. МАХ} ─ максимально допустимое постоянное напряжение на коллекторном переходе;

Ø Р _{К. МАХ} ─ максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе;

в) схему для снятия характеристик транзистора;

г) таблицы 1 и 2 для записи результатов;

д) два листа миллиметровой бумаги формата А4 с нанесёнными осями координат, для построения статических характеристик исследуемого транзистора.

Сборка и опробование схемы для испытания транзистора.

Схема установки для снятия статических характеристик транзистора при его включении с общим эмиттером приведена на рис. 1.

Рис. 1 Схема для снятия характеристик транзистора.

На схеме приняты следующие обозначения:

G1, G2 ─ стабилизированные блоки питания (U = 0÷30 В)

VТ ─ исследуемый транзистор

PА1, PV1 ─ измерительные приборы входной цепи

PА2, PV2 ─ измерительные приборы выходной цепи

Измерительные приборы и блоки питания подключаются к панели при помощи гибких соединительных шнуров с цветной маркировкой. При сборке схемы необходимо соблюдать правильную полярность подключения источников питания G1 и G2: для p-n-p транзисторов плюс на эмиттере, минус на коллекторе; для n-p-n транзисторов наоборот.

После сборки проводится опробование схемы. Для этого при величине напряжения Uкэ = 0 на базу подается ток от источника питания G1 порядка 0,3 ÷ 0,5 мА. Затем, поддерживая неизменным установленное значение тока базы, подаём напряжение U_КЭ = 5 В. При правильно собранной схеме и исправном транзисторе ток коллектора I_К будет в К_I раз больше тока I_Б, где К_I – коэффициент усиления по току собранной схемы.

Дата добавления: 2015-07-08