Снятие входных характеристик транзистора.

Входные характеристики, т.е. зависимости IБ = f(UБЭ) при постоянных значениях напряжения UКЭ. Три значения параметра Uкэ, при которых снимаются характеристики, задаются преподавателем.

Входное напряжение U_БЭ изменяется через небольшие интервалы, в

зависимости от изменения тока I_Б, при этом следует помнить, что предельно допустимый ток I_Б весьма мал, поэтому его следует ограничивать в соответствии с предельно допустимым током базы данного типа транзистора. При исследовании транзистора необходимо выполнять условие I_Б < 0,7 I_{Б max.доп.}

Таблица 1

UКЭ = 0	UКЭ =	UКЭ =
UБЭ	IБ	UБЭ	IБ	UБЭ	IБ
В	мА	В	мА	В	мА
	0,05		0,05		0,05
	0,10		0,10		0,10
	0,15		0,15		0,15
	0,20		0,20		0,20
	0,30		0,30		0,30
	0,40		0,40		0,40
	0,50		0,50		0,50

Для контроля за ходом снятия отдельных характеристик одновременно с наблюдениями строят графики.

Снятие выходных характеристик транзистора.

Выходными характеристиками транзистора при схеме включения с общим эмиттером называются зависимости I_К= f(U_КЭ) при I_Б= const.

Ток базы устанавливается равным 0; 0,1; 0,2; 0,3; 0,5 мА. Напряжение Uкэ берется 0; 2; 5 и 10 В.

Для снятия выходных характеристик используется прежняя схема. Блоком питания G1 устанавливается необходимый ток I_Б, который в процессе снятия каждой характеристики поддерживается постоянным. Так же необходимо помнить, что протекающий ток коллектора постепенно нагревает транзистор, поэтому исследования необходимо проводить как можно быстрее, что уменьшит погрешности измерений.

Для измерения тока коллектора при токе I_Б = 0, на выход подключают микроамперметр, отключив предварительно блок питания G1. При закороченном входе измеренный ток коллектора составляет Iко - обратный ток коллекторного перехода. При разомкнутом входе транзистора коллекторный ток увеличивается за счет усилительных свойств транзистора. Этот ток есть обратный ток коллекторного перехода Iко. Он может привести к выходу из строя транзистора, поэтому измерение Iко производится только до Uкэ < 5В. Обратный ток резко увеличивается с

увеличением температуры. В этом можно убедиться путем нагрева транзистора (например, нагревая его рукой). Результаты измерений заносим в таблицу 2.

Таблица 2

IБ = 0	IБ = 0,1 мА	IБ = 0,2 мА	IБ = 0,3 мА	IБ = 0,4 мА
UКЭ	IК	UКЭ	IК	UКЭ	IК	UКЭ	IК	UКЭ	IК
В	мА	В	мА	В	мА	В	мА	В	мА

Следует помнить, что в начальной области каждой характеристики при незначительном увеличении напряжения U_КЭ происходит значительное увеличение тока I_К, поэтому с особой тщательностью необходимо снимать характеристику именно в начальной области с тем, чтобы правильно определить точку перегиба кривой и наступление режима насыщения.

Дата добавления: 2015-07-08