Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Прямая ветвь ВАХ

Fкв(W)—0,5 | Расположение уровня Ферми в п/п. | DP/dX<0 | Условия равновесия | Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе | Дырочный ток. | ВАХ p-n-перехода | Несимметричный переход | Контакт металл - п/п | Контакт Ме – п/п p-типа |


Читайте также:
  1. Г) Прямая коллективная сдельная система
  2. Не прямая ложь, а умолчание
  3. Не прямая ложь, а умолчание.
  4. Неделя 10. Практика 5.11.2014 прямая в 3-мерном пространстве, кривые
  5. Обратная ветвь ВАХ
  6. Прямая атака духа
  7. Прямая биоконверсия растительного сырья микроорганизмами

Теоретически прямой ток зависит от напряжения по экспоненциальному закону. Однако реально это не выполняется по ряду причин. Начальный участок прямой ВАХ для реального диода более пологий, чем идеальная характеристика. Причиной этого является тепловой ток в германиевом диоде и ток рекомбинации в переходе у кремниевых диодов (процессы рекомбинации преобладают над процессами генерации).

Вторая причина заключается в том, что сопротивление базы (омическое) равно:

 

W – длина базы

S – площадь p-n-перехода

Ранее мы учитывали, что всё внешнее напряжение прикладывается к ЗС. На самом деле при токе, большем 2 мА, весьма значительным оказывается падение напряжения на базе Uб. Поэтому крутой участок ВАХ диода практически линеен. Резкий рост прямого тока у германиевого диода наблюдается при меньшем напряжении, чем у кремниевого.

I

Ge Si

 

U

 

Для анализа ВАХ иногда используют не зависимость I(U), a U(I).

 


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 76 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Обратная ветвь ВАХ| Статические параметры диодов

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)