Существование градиента плотности частиц будет вызывать диффузионный поток в сторону меньшей концентрации. Это движение не связано с взаимным отталкиванием одноименно заряженных частиц или взаимным притяжением электронов и дырок. Причиной движения частиц является только различная их концентрация по обе стороны от границы.
EК
W p eφ0p n W,E p eφк n X
0 x eφ0p
ЗП ЗП eφ0n WА WФ
WД WФ
ЗС ЗС N,P 2L
WА WФ
Pp NP PN NN
ВЗ ВЗ X
φ
eφк = eφ0p - eφ0n 
X
 |
E
X
В результате ухода электронов в полупроводнике n-типа возникает область повышенной концентрации положительных неподвижных зарядов, поскольку вблизи границы остаются ионы. Это область, обеднённая электронами.
В полупроводнике p-типа в результате ухода дырок возникает область повышенной концентрации отрицательных зарядов, т.е. область, обеднённая дырками.
Двойной слой электрических зарядов по обе стороны границы разделения создаётся за счёт разности потенциалов jК и ЕК.
Таким образом, в приконтактной области р-n – перехода образуется слой, обедненный основными носителями и имеющий пониженную электропроводность. Он называется запирающим.
Вектор ЕК направлен так, что препятствует диффузионному движению основных носителей.
Поле ЕК ускоряет неосновные носители. Под его влиянием дырки легко перемещаются из n-п/п в p-п/п, а электроны – в обратном направлении.
Движение неосновных носителей образует дрейфовый ток, направленный навстречу диффузионному току.
Возникновение и развитие поля ЕК, а вместе с ним и дрейфового тока будет происходить, пока не установится динамическое равновесие.
Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 50 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Расположение уровня Ферми в п/п. | | | Условия равновесия |