Читайте также: |
|
При анализе обратной ВАХ p-n-перехода мы считали, что обратный ток обусловлен только дрейфом неосновных носителей, т.е. тепловым током I0.
1. I0 зависит от концентрации неосновных носителей, от интенсивности их генерации вблизи перехода, а также от подвижности, т.е. от типа материала п/п. I0Ge >>I0Si
2. I0 зависит от площади p-n-перехода (чем больше площадь, тем больше ток)
3. Обратный ток может включаться за счёт генерации пар зарядов в самом переходе Iд и за счёт процессов, происходящих на поверхности контакта п/п Iпов. IдGe мал, IдSi обусловлен преобладанием тепловой генерации пар зарядов над процессами рекомбинации, он больше I0
4. Поверхностные явления образуют ток, величина которого сравнима в германиевых диодах с током I0, в кремниевых – с током Iд. Ток растёт пропорционально величине обратного напряжения, зависит от окружающей среды и от длительности работы диода.
I I
U Iпов U
Iпов
I0
I0
Iобр = Iпов + I0
Iобр = Iпов + I0
Ge Si
Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 64 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Контакт Ме – п/п p-типа | | | Прямая ветвь ВАХ |