Температура подложки.

При повышении температуры подложки роль поверхностной миграции атомов усиливается, рост плёнки осуществляется в основном за счёт достраивания атомарных ступенек, что ведёт к получению крупнокристаллической структуры плёнки. При гораздо более высоких температурах подложки кинетической энергии может хватить, чтобы вызвать обратное испарение атомов с поверхности. Высокая температура подложки может существенно изменять и электрофизические свойства подложки. Поэтому температуру подложки, как правило, выбирают минимальной.

4. Получение плёнок равномерной толщины.

Наибольшее влияние на равномерность плёнки по толщине оказывают эмиссионные характеристики испарителей, форма приёмной поверхности карусели, на которой размещаются подложки, взаимное расположение и перемещение испарителя и подложек во время процесса осаждения. Когда испаритель плоский или точечный с малой поверхностью испарения расположен соосно с подложкой и на расстоянии L от неё отношение толщины плёнки t на расстоянии r от центра подложки к толщине плёнки t₀ в центре подложки определяется соответственно из соотношений:

; (1)

. (2)

Когда испаритель плоский или точечный и неподвижен, а подложка совершает вращение, вместе с каруселью с частотой n, то:

, (3)

где е - расстояние от испарителя до оси вращения карусели;

r - расстояние от оси вращения карусели;

t₀ - толщина плёнки в центре подложки при r =0.

Наилучшая однородность плёнок по толщине вблизи центра подложки наблюдается на подложках, расположенных от оси вращения на расстоянии , если расположение испарителя определено расстоянием 0,7< < 0,8. Если в данной схеме расположения обеспечить вращение под-ложки вокруг собственной оси с частотой n₀, неоднородность по толщине значительно уменьшится.

Дата добавления: 2015-11-14