Читайте также: |
|
1.НТ1(3). Выражение имеет смысл.. *A) энергии фотонного газа в единице объёма;
2.НТ1(3). Энергия квантового гармонического осциллятора равна *B) ;
3.НТ1(С). Для каждого типа частиц выберите все их характеристики:
A)Фотоны B)Фононы | A) кванты электромагнитного поля |
B) кванты колебаний атомов кристалла | |
C) = pc; с - скорость света | |
D) = pc; с – скорость звука | |
E) Бозоны | |
F) Спин S=1 | |
G) Спин S=0 | |
H) фермионы |
Ответ:AA, AC, AE, AF, BB, BD, BE, BG
4.НТ1(3). Для электронного газа в металле имеет смысл
*B) количества электронов в зоне проводимости;
5.НТ1(3). При равновесном тепловом излучении тело излучает и поглощает одно и то же количество энергии...
*C) за одно и то же время с одной и той же площади в одном и том же интервале частот dv;
6.НТ1(3). Формуле планка имеет смысл...
*A) Энергии фотонов, находящихся в единичном малом интервале частот;
7.НТ1(3). Для малых частот спектральная плотность энергии фотонного газа зависит от частоты по закону... *A) ;
8.НТ1(3). Для больших частот спектральная плотность энергии фотонного газа зависит от частоты по закону...*C) ;
9.НТ1(3). Система фононов описывается статистикой *B) Бозе-Эйнштейна;
10.НТ1(0). Запишите формулу для температуры Дебая по шаблону
a
b
c .
Ответ:
11.НТ1(О). Химический потенциал фононов µ = … Ответ: 0
12.НТ1(3) Распределение фононов по состояниям имеет вид: *B) ;
13.НТ1(3). В модели Эйнштейна - Дебая постулируется, что N атомов кристалла должны иметь...
*A) 3 N колебательных мод с одинаковой фазовой скоростью;
14.НТ1(3). Для кристалла, состоящего из N атомов равен *C)3 N
15.НТ1(О). Отношение количества атомов в двух кристаллах , отношение температур Дебая .... Фазовая скорость одинакова. Ответ:2
16.НТ1(3). Зависимость теплоёмкости твёрдого тела от температуры приведена на графикe …
Ответ: А
17.НТ1(3). При низких температурах теплоёмкость твёрдого тела зависит от температуры по закону *A) , т.к. новые моды упругих колебаний оказываются возбуждёнными;
18.НТ2(3). При высоких температурах теплопроводность твердого тела зависит от температуры по закону...
*C) , т.к. энергия колебаний ~ T, а количество возбуждённых мод не меняется;
19.НТ1(3). Энергетический спектр электронов в кристаллах...
*D) состоит из разрешённых и запрещённых зон различной ширины.
20.НТ1(3). Зонный характер энергетического спектра электронов в кристаллах связан с...
*B) перекрытием волновых функций электронов из соседних атомов;
21.НТ1(3). Электроны, находящиеся в верхних разрешённых электрических зонах движутся...
*B) хаотически по всему кристаллу в периодичном поле всех ядер;
22.НТ1(С). Выберите все соответствия между веществами и структурой энергетических зон
A) металл; B) полупроводник; C) диэлектрик
A) | Свободная зона | B) | Свободная зона |
Валентная зона, заполненная полностью при . | Запрещённая зона | ||
Валентная зона, заполненная частично при | |||
С) | Свободная зона | D) | Свободная зона |
Запрещённая зона эВ | Запрещённая зона эВ | ||
Валентная зона, заполненная полностью при | Валентная зона, заполненная полностью при |
Ответ:AA, AB, BC, CD
23.НТ1(3). Между свободной и валентной зонами находится запрещённая зона шириной =1,1 эВ. Валентная зона при заполнена на половину. Кристалл является... *A) проводником
24.НТ1(3). Между свободной и валентной зонами находится запрещённая зона шириной = 5 эВ. Валентная зона при заполнена полностью. Кристалл является...*C) изолятором;
25.НТ1(3). В одновалентных металлах валентная зона заполнена …*А) наполовину
26.НТ1(3). Теплоёмкость электронного газа в металлах …
*В) С~Т, т.к. средняя энергия теплового движения электронов в металле ;
27.НТ1(3). Отношение теплоёмкости вырожденного электронного газа и теплоёмкости не вырожденного классического газа равно: *А) ;
28.НТ1(3). Отношение электронной и решеточной теплоёмкостей для твёрдого тела при высоких температурах составляет … *С) ;
29.НТ1(3). Каждому типу полупроводника проводника выберите энергетическую диаграмму
A) собственный; B) примесный n –типа; C) примесный p –типа
А) В)
С)
Ответ:AB, BA, CC
30.НТ1(3). В собственном полупроводнике проводимость обусловлена переходом электронов …
*C) из валентной зоны в зону проводимости;
31.НТ1(3).Носителями тока в собственном полупроводнике являются …
*A) электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне;
32.НТ1(3). Для невырожденного полупроводника функция распределения электронов по энергиям в зоне проводимости имеет вид *А) ;.
33.НТ1(3) Для электронов в зоне проводимости невырожденного полупроводника следует применить распределение …
* B) Ферми-Дирака; *C) Максвелла;
34.НТ1(3). Распределение электронов по состояниям в зоне проводимости невырожденного полупроводника приведено на рис....
f *B)
ε
35.НТ1(3). Распределение электронов по энергиям в зоне проводимости невырожденного полупроводника приведено на рис....
F *B)
ε
36.НТ1(3). Химический потенциал собственного полупроводника при Т=0 находится
*B) в середине запрещенной зоны;
37.НТ1(3). Формула представляет собой зависимость химического потенциала от температуры для... *A) собственного полупроводника;
38.НТ1(3). Концентрация электронов в зоне проводимости собственного полупроводника возрастает с повышением Т за счёт перехода электронов *B) из валентной зоны в зону проводимости;
39.НТ1(3). Концентрация электронов собственного полупроводника зависит от температуры следующим образом … *А) ;
40.НТ1(3). Концентрация дырок в валентной зоне собственного полупроводника зависит от температуры следующим образом: *А) ;
41.НТ1(О). Ширина запрещённой зоны германия эВ. Отсчет энергии от дна зоны проводимости. Химический потенциал при Т= 0 равен... эВ. Округлить до сотых. Ответ: - 0,37
42.НТ1(3). При увеличении температуры основная причина роста электропроводности собственного полупроводника …*А) увеличение концентрации носителей тока;
43.НТ1(3). Для получения полупроводника n -типа подбирают пятивалентную примесь, донорный уровень которой находится... *В) в запрещённой зоне вблизи дна зоны проводимости;
44.НТ1(3). Концентрация электронов в зоне проводимости примесного проводника n -типа в области низких температур увеличивается за счёт перехода электронов … *С) с донорного уровня в зону проводимости;
45.НТ1(3). Для получения полупроводника p -типа подбирают трехвалентную примесь, акцепторный уровень которой находится …*С) в запрещённой зоне вблизи потока валентной зоны;
46.НТ1(3). Концентрация дырок в валентной зоне полупроводника p -типа в области низких температур увеличивается за счёт перехода электронов … *С) из валентной зоны на акцепторный уровень;
47.НТ1(3). Формула для концентрации электронов в зоне проводимости полупроводника n-типа имеет вид
*A) ;
Задачи
1НТ1(О). На рисунке представлены распреде-ления Ферми-Дирака по состояниям для двух систем частиц; , . Отношение масс частиц =...
Ответ:
2.НТ1(О). На рисунке представлены распреде-ления Ферми-Дирака по состояниям для двух систем частиц; , . Отношение концентраций ...
Ответ:
3.НТ1(О). На рисунке представлены распреде-ления Ферми-Дирака по энергиям для двух систем частиц; , . Отношение концентраций ...
Ответ: 8
4.НТ1(О). На рисунке представлены распреде-ления Ферми-Дирака по энергиям для двух систем частиц; , . Отношение концентраций =...
Ответ:2
< n >
ε
<n>
F
ε
F
ε
5.НТ1(О). Энергия Ферми металла эВ, квазиимпульс электронов при этой энергии кг·м/c. Масса свободного электрона кг, эффективная масса электрона . Отношение равно... Ответ округлить до целых. Ответ:3
6.HT1(0). Энергия Ферми металла эВ. Эффективная масса электронов . Максимальная скорость электронов при Т=0 равна … км/с. Ответ округлить до сотен. Ответ:1900
7.HT1(0). Энергия Ферми металла эВ. Эффективная масса электронов . Средняя скорость электронов при Т=0 равна … км/с. Ответ округлить до сотен. Ответ:1300
8.HT1(0). Энергия Ферми для меди , для цинка . Эффективная масса электронов . Отношение концентраций свободных электронов n2/n1 равно …. Ответ округлить до целых. Ответ:2
9.HT1(0). Энергия Ферми для меди . Средняя скорость электронов при Т=0 равна …. Ответ округлить до десятых. Ответ:4,2
10.HT1(0). Средняя скорость электронов в калии при Т=0 равна 1,2эВ. Эффективная масса . Средняя скорость электронов при Т=0 равна … км/с. Ответ округлить до сотен.
Ответ:600
11.HT1(0). Импульс, соответствующий энергии Ферми Масса электрона . Средняя энергия электронов равна … эВ. Ответ округлить до целых. Ответ:6
12.HT1(0). Если абсолютную температуру абсолютно черного тела увеличить в n=2 раза, его энергетическая светимость увеличивается в k раз. Ответ:8
13. HT1 (0). Максимум спектральной энергетической светимости излучения Солнца находится при мкм. Постоянная в законе смещения Вина b = Температура на поверхности Солнца приблизительности равна … К. Ответ:5800
14.HT1(З). Температура абсолютного черного тела равна Т= К. Постоянная в законе смещения Вина в = Максимум спектральной плотности излучения находится при частоте *А)
15.HT1(0). Среднее время пролета валентного электрона в поле действия ядра в кристалле Ширина валентной зоны . Постоянная Планка . Ответ округлить до десятых. Ответ:1,6
16.HT1(3). В кристаллическом натрии электрон в состоянии 1S находится в поле действия ядра в среднем Ширина соответствующей уровню 1S энергетической зоны равна …. .
*В)
17.HT1(3). Ширина разрешенной энергетической зоны в одновалентном кристалле имеется N= атомов. Расстояние между соседними подуровнями в зоне равно* В)
18. НТ1(0). Ширина запрещенной зоны в кремнии =1,1 эВ. Если температуру увеличить от =300К до =400К, концентрация электронов в зоне проводимости увеличится в … раз. Постоянная Больцмана к=0,86 эВ/K. Ответ округлить до сотен. Ответ: 300
19. НТ1(0). Ширина запрещенной зоны в кремнии =1,1 эВ. Если температуру увеличить от =300К до =400К, концентрация дырок в валентной зоне увеличится в … раз. Постоянная Больцмана к=0,86 эВ/K. Ответ округлить до сотен. Ответ: 300
20.НТ1(0). Температура полупроводника постоянна и меньше температуры истощения примеси. Если концентрацию донорной примеси увеличить в 16 раз, концентрация электронов в зоне проводимости увеличится в … раз. Ответ: 4
21.НТ1(0). Температура примесного полупроводника постоянна и выше температуры истощения примеси. Если концентрацию донорной примеси увеличить в 8 раз, концентрация электронов в зоне проводимости увеличится в … раз. Ответ: 8
22.НТ2(0). Донорный уровень фосфора ниже дна зоны проводимости на =0,013 эВ в германии. Концентрация электронов в зоне проводимости в кремнии n1 в германии-n2. При Т=10К n2/n1= , где x равно …. Постоянная Больцмана к=0,86 эВ/K. Ответ округлить до целых. Ответ: 19
23.НТ2(0). Ширина запрещенной зоны для германия , для кремния =1,1 эВ. Концентрация электронов в зоне проводимости для германия n1, для кремния n2. При Т=300К отношение n1/n2 равно …. Постоянная Больцмана к=0,86 эВ/К. Ответ округлить до десятков. Ответ: 1070
24. НТ1. При Т=0 химический потенциал собственного полупроводника запрещенной зоны рана … эВ. Ответ: 1
25. НТ1. При Т=0 химический потенциал полупроводника n-типа =-0,005 эВ. Донорный уровень расположен ниже дна зоны проводимости на … эВ. Ответ: 0,01
1)Для молекул идеального газа значения интегралов и , где - наиболее вероятная энергия: I1<I2
2)Функция распределения Бозе-Эйнштейна по энергиям имеет вид...
3)Для N квантовых частиц объем минимальной фазовой ячейки, приходящейся на одно квантовое микросостояние системы, ΔГmin равен
· h3N
7)Изменение энтропии при переходе из состояния (1) в состояние (2):
·
15)Для электронного газа в металле имеет смысл
18)На рисунке приведены графики изохоры, изобары, изотермы, адиабаты. Правильные названия графиков:
1-адиабата, 2-изохора, 3-изобара, 4-изотерма
35)F(x) – плотность вероятности или функция распределения случайной величины х. Среднее значение равно:
42)Основной постулат статической физики утверждает, что микросостояния, принадлежащие одной …., равновероятны
45)При T=const максимальное значение функции распределения по проекции импульса f(px):
48)Плотность вероятности или функция распределения молекул идеального газа по проекции скорости имеет вид , где нормированный множитель C равен:
+ 2) Основной постулат квантовой статистики - это...
принцип тождественности частиц
+ 3) Плотность квантовых состояний в энергетическом пространстве – это...
число состояний в единичном малом интервале энергии
+ 4) F(x) – плотность вероятности или функция распределения случайной величины х. Среднее значение на интервале от х1 до х2 равно:
+ 5) Графики 1,2,3 соответствуют трем функциям распределения Максвелла по модулю импульса для одного и того же газа в сосуде V при разных T. Наименьшей энтропии соответствует график …..
Ответ: 1
+ 6) На рисунке показано распределение Максвелла по модулю скорости для некоторого газа при разных температурах. При этом площади под кривыми (Si) и температуры (Тi) удовлетворяют соотношению:
+ 7) Распределение электронов по состояниям в зоне проводимости невырожденного полупроводника приведено на рис....
+ 8) Концентрация электронов в зоне проводимости собственного полупроводника возрастает с повышением Т за счёт перехода электронов
+ 9) На рисунке приведено распределение Бозе-Эйнштейна для двух температур. Соотношение температур T2 … T1.
Для кривых выполняется соотношение:
+ 10) Если функция распределения по энергии для молекул идеального газа пронормирована на число частиц , то интеграл равен:
суммарной энергии всех частиц, у которых
+ 11) Функция распределения Ферми-Дирака по энергиям имеет вид...
+ 12) Газ из состояния (1) переходит в состояние (2) в одном случае по прямой 1-2, а в другом – по линии 1-3-4-2. При этом изменение энтропии:
+ 13) Вероятность Р наступления любого из двух независимых событий А или В равна:
сумме вероятностей Р(А)+Р(В)
+14) На рисунке приведено распределение Ферми-Дирака по энергиям. Площадь заштрихованной области соответствует...
числу частиц, энергия которых находится в интервале
+ 15) Распределение электронов по энергиям в зоне проводимости невырожденного полупроводника приведено на рис....
+ 16) Функция распределения молекул идеального газа по проекции скорости , пронормированная на 1, имеет вид:
+ 17) Объем элементарной фазовой ячейки для одной квантовой частицы равен: h3
+ 18) Функция распределения Ферми-Дирака по энергиям при Т=0 представлена на рисунке...
+ 19) Одному квантовому состоянию для N частиц (без учёта спина) соответствует фазовый объём … h3N
+ 20) Функции распределения молекул идеального газа по проекции скорости (плотность вероятности) для разных газов, у которых m2>m1, a T1=T2, показаны на рисунке:
+ 21) На рисунке приведено распределение Ферми-Дирака.
Состояния с энергиями в интервале заполнены...
полностью, в каждом находится один фермион
+ 22) Химический потенциал собственного полупроводника при Т=0 находится
в середине запрещенной зоны
+ 23) Функция распределения . Это означает, что...
+ 24) - плотность вероятности или функция распределения молекул идеального газа по энергии. Заштрихованная площадь равна:
относительному числу молекул , имеющих энергию от до
+ 25) На рисунке изображена функция распределения Ферми-Дирака по энергиям при разных температурах.
Кривая 1 соответствует Т1
Кривая 2 соответствует Т2
Т1=0; Т2>0
+ 26) Если - плотность вероятности или функция распределения случайной величины х (х изменяется от - ∞ до + ∞), то справедливо любое выражение, кроме:
+ 27) Из приведенных величин: m –масса газа, S – энтропия, Т –температура, V –объем, Ω -статистический вес, n –концентрация частиц, p –давление - аддитивными являются:
m, S, V
+ 28) Для распределения Ферми-Дирака по энергии выражение имеет смысл …
+29) Основной постулат квантовой статистики (принцип тождественности) является следствием того, что...
описание движения отдельной частицы носит вероятностный характер
+ 30) Одному квантовому состоянию (без учёта спина) соответствует фазовый объём …
+ 31) Система фононов описывается статистикой
Бозе-Эйнштейна
+ 32) На рисунке приведено распределение
Ферми-Дирака по состояниям при
+ 31) Между свободной и валентной зонами находится запрещённая зона шириной Валентная зона при заполнена на половину. Кристалл является...
проводником
+ 32) Принцип Паули утверждает, что...
в одном квантовом состоянии может находиться не более одного фермиона
+ 33) При увеличении температуры основная причина роста электропроводности собственного полупроводника …
увеличение концентрации носителей тока
+ 34) Вероятность Р одновременного наблюдения 2-х независимых событий А и В равна:
произведению вероятностей Р(А)•Р(В)
+ 35) Одному квантовому состоянию для одной частицы в трехмерном пространстве соответствует фазовый объем
+ 36) Функция распределения Ферми-Дирака по модулю импульса при Т=0 представлена на рисунке …
+ 37) Среднее значение можно найти, пользуясь любым выражением, кроме…
+ 38) Каждому типу полупроводника проводника выберите энергетическую диаграмму
+ 39) Функция распределения Бозе-Эйнштейна находится путём усреднения по формуле , где K – это …
набор квантовых чисел, задающих данное квантовое состояние свободного бозона
+ 40) Изменение энтропии при плавлении льда (m-масса, λ -удельная теплота плавления) равно:
+ 41) Статический вес системы:
зависит от числа частиц системы
+42) Зависимость теплоёмкости твёрдого тела от температуры приведена на графикe …
+ 43) Функции распределения по проекции импульса рх (плотность вероятности) для разных газов, у которых m2>m1, а T1=T2, показаны на рисунке:
+ 44) Распределение Больцмана применимо для...
систем частиц малой плотности, у которых не проявляются квантовые свойства
+ 45) Распределение Максвелла по модулю скорости для некоторого идеального газа при Т1>Т2 показано на рисунке:
+ 46) Формула представляет собой зависимость химического потенциала от температуры для...
собственного полупроводника
+ 47) Функция распределения Ферми-Дирака по состояниям может быть получена, исходя из формулы:
, где вероятность нахождения фермионов в k -том квантовом состоянии
+ 48) При конденсации пара энтропия системы:
уменьшается
+ 49) На рисунке приведено распределение Ферми-Дирака. Интервал энергий примерно равен…
2KT
+ 50) Вероятность достоверного события равна ….Ответ: 1
+ 51) Реальные процессы в изолированных системах протекают:
в направлении увеличения хаотичности движения частиц в системе
+ 52) Для электронов в зоне проводимости невырожденного полупроводника следует применить распределение …
Укажите все возможные варианты.
Максвелла
Ферми-Дирака
+53) Если F(x) – функция распределения случайной величины х, а f(x2) – некоторая функция этой величины, то
+ 54) Распределение Бозе-Эйнштейна по энергиям – это …
среднее число бозонов в единичном малом интервале энергии
+ 55) Если свойства системы частиц сильно зависят от квантовых свойств частиц, система является... вырожденной
+ 56) На рисунке приведено распределение Ферми-Дирака.
Каждое состояние с энергией в интервале заполнено
Частично
+ 57) Неправильным утверждением является.
Вероятность случайного события Р:
+ 58) Второе начало термодинамики утверждает, что в замкнутой системе:
ΔS≥0
+ 59) Теплоёмкость электронного газа в металлах …
т.к. средняя энергия теплового движения электронов в металле
+ 60) Энергетический спектр электронов в кристаллах...
Или этот * состоит из разрешённых и запрещённых зон одинаковой ширины
* сплошной
* состоит из дискретных уровней, разделённых большими промежутками
Или этот * состоит из разрешённых и запрещённых зон одинаковой ширины
+ 61) Молекулы идеального газа:
могут иметь как целый, так и полу целый спин
+ 62) Условием нормировки функции распределения Максвелла по модулю скорости для молекул идеального газа является выражение:
+ 63) Изменение энтропии при изотермическом квазиравновесном процессе 1-2:
ΔS12 = 0
+ 64) Функция распределения Ферми-Дирака по состояниям находится по формуле , где k – это...
+ 65) Функция распределения частиц по энергиям в квантовой статистике определяется по формуле …
+66) В равновесной системе 0
+ 67) Для кристалла, состоящего из N атомов равен
+ 68) Функция распределения молекул идеального газа по модулю скорости (плотность вероятности) имеет размерность:
+ 70) При равновесном тепловом излучении тело излучает и поглощает одно и то же количество энергии...
за одно и то же время с одной и той же площади в одном и том же интервале частот dν
+71) Носителями тока в собственном полупроводнике являются …
электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне
+ 72) Термодинамическая система находится в равновесном состоянии, если:
+ 73) Концентрация электронов собственного полупроводника зависит от температуры следующим образом …
+ 74) Энергия Ферми – это …
максимальная энергия фермионов при Т=0
+75) F(x) – плотность вероятности или функция распределения случайной величины х. Среднее значение равно:
+ 77) Формула для концентрации электронов в зоне проводимости полупроводника n-типа имеет вид...
+ 78) При высоких температурах теплопроводность твердого тела зависит от температуры по закону...
, т.к. энергия колебаний ∼T, а количество возбуждённых мод не меняется нет
+ 79) Наиболее вероятное значение проекции скорости для молекул идеального газа равно: 0
+ 81) Распределение Больцмана по состояниям имеет вид...
+ 82) - это
средняя квадратичная скорость, где m – масса одной молекулы
+ 83) Для получения полупроводника n-типа подбирают пятивалентную примесь, донорный уровень которой находится...
в запрещённой зоне вблизи дна зоны проводимости
+ 84) Для получения полупроводника p-типа подбирают трехвалентную примесь, акцепторный уровень которой находится …
в запрещённой зоне вблизи потока валентной зоны
+ 85) Энергия квантового гармонического осциллятора равна
+ 86) Точка в фазовом пространстве для системы из N частиц характеризует: микросостояние системы
+ 90) Средние скорости молекул идеальных газов, у которых , а массы молекул
+ 91) Длина волны де Бойля , среднее расстояние между частицами l. Для невырожденной системы выполняется условие...
+ 92) В замкнутой системе энтропия может меняться со временем, как показано на участках:
1-2-3
+ 93) Отношение электронной и решеточной теплоёмкостей для твёрдого тела при высоких температурах составляет …
94)
+ 95) функция распределения Ферми-Дирака по модулю квазиимпульса равна …
+ 100) - плотности вероятности или функции распределения молекул по проекциям скорости, для которых справедливо любое соотношение, кроме…
+ 101) Необходимым и достаточным условием равновесного состояния системы является:
+ 102) В одновалентных металлах валентная зона заполнена …
+ 103) Если - плотность вероятности или функция распределения молекул идеального газа по энергии, то среднее значение на интервале энергий от до равно:
+ 104) Число возможных состояний системы из N =100 квантовых частиц (электронов) в конечном элементе объема равно:
1.В интервале число квантовых состояний , число частиц . Для невырожденной системы выполняется условие
2. Плотность квантовых состояний в энергетическом пространстве – это...
4. Функция распределения Бозе-Эйнштейна по состояниям имеет вид...
6. - это
7. Графики 1,2,3 соответствуют трем функциям распределения Максвелла по модулю импульса для одного и того же газа в сосуде V при разных T. Наименьшей энтропии соответствует график …..
8. если:
10. При Т=0 химический потенциал собственного полупроводника μ= –0,5 эВ. Ширина запрещенной зоны рана … эВ.
11. В собственном полупроводнике проводимость обусловлена переходом электронов …
12. - плотность вероятности или функция распределения молекул идеального газа по энергии. Среднее значение молекулы идеального газа равно:
13. Для равновесия двух подсистем замкнутой системы достаточно, чтобы у них были равны только:
15. Для функций распределения Максвелла по проекциям импульсов 1/4
16. Формула для концентрации электронов в зоне проводимости полупроводника n-типа имеет вид...
17. На рисунке приведено распределение Ферми-Дирака. Интервал энергий примерно равен…
18. Химический потенциал собственного полупроводника при Т=0 находится
19. При равновесном тепловом излучении тело излучает и поглощает одно и то же количество энергии...
20. Значения интегралов для разных газов при одинаковых температурах:
22. Функция распределения Ферми-Дирака по состояниям может быть получена, исходя из формулы:
23. Изменение энтропии и для процессов, изображенных на P-T диаграмме:
24. -плотность вероятности или функция распределения молекул идеального газа по модулю скорости, для которой справедливо любое соотношение, кроме:
25. Распределение Больцмана по состояниям применимо при условии …
26. Если - функции распределения по проекциям скоростей для молекул идеального газа, то:
27. Распределение электронов по состояниям в зоне проводимости невырожденного полупроводника приведено на рис....
29. Если F(x) – плотность вероятности или функция распределения случайной величины х, то выражение f(x)
30. Если число молекул идеального газа выросло в четыре раза (N2=4N1), а и , то относительное число молекул, имеющих скорости от до :
31. Распределение Бозе-Эйнштейна по состояниям – это...
34. Формуле планка имеет смысл...
35. В одновалентных металлах валентная зона заполнена … наполовину
36. Распределение Больцмана по состояниям имеет вид...
37. Температура вырождения системы . Для невырожденной системы выполняется условие...
38. Формула представляет собой зависимость химического потенциала от температуры для... примесного полупроводника n–типа
40. Зависимость теплоёмкости твёрдого тела от температуры приведена на графикe …
44. Необходимым и достаточным условием равновесного состояния системы является:
45. Число возможных состояний системы из N =100 квантовых частиц (электронов) в конечном элементе объема равно:
47. Для молекул идеального газа значения интегралов и , где - наиболее вероятная энергия:
48. Между свободной и валентной зонами находится запрещённая зона шириной Валентная зона при заполнена на половину. Кристалл является...
49.На рисунке изображена функция распределения Ферми-Дирака по энергиям при разных температурах.
Кривая 1 соответствует Т1 Кривая 2 соответствует Т2 Т1=0; Т2>0
50. Функция распределения Бозе-Эйнштейна по энергиям имеет вид...
52. Изменение энтропии при плавлении льда (m-масса, λ -удельная теплота плавления) равно:
53. Функция распределения молекул идеального газа по проекции скорости , пронормированная на 1, имеет вид:
54. Концентрация электронов в зоне проводимости собственного полупроводника возрастает с повышением Т за счёт перехода электронов
55. Точка в фазовом пространстве для системы из N частиц характеризует:
56. Одному квантовому состоянию (без учёта спина) соответствует фазовый объём …
57. Энергия Ферми – это … максимальная энергия фермионов при Т=0
59. Если свойства системы частиц сильно зависят от квантовых свойств частиц, система является... вырожденной
60. Найдите неправильное утверждение. Фазовое пространство для N независимых частиц можно:
61. Перейти от классической функции распределения по модулю импульса к функции распределения по модулю скорости f(u):
62. Функция распределения Ферми-Дирака по модулю квазиимпульса равна …
63. Функция распределения Бозе-Эйнштейна находится путём усреднения по формуле , где K – это …
64. Из приведенных величин: m –масса газа, S – энтропия, Т –температура, V –объем, Ω -статистический вес, n –концентрация частиц, p –давление - аддитивными являются:
65. - плотность вероятности или функция распределения молекул идеального газа по энергии. Заштрихованная площадь равна:
относительному числу молекул , имеющих энергию от до
66. Если - плотность вероятности или функция распределения случайной величины х (х изменяется от - ∞ до + ∞), то справедливо любое выражение, кроме:
66. Для - плотности вероятности или функции распределения Максвелла по модулю скорости, справедливо выражение:
67. Функция распределения молекул идеального газа по модулю скорости (плотность вероятности) имеет размерность:
68. Объем элементарной фазовой ячейки для одной квантовой частицы равен: h3
69. Концентрация электронов собственного полупроводника зависит от температуры следующим образом …
70. Плотность квантовых состояний в энергетическом пространстве – это...
71. Для распределения Ферми-Дирака по энергии выражение имеет смысл …
72. На рисунке представлены распределения Ферми-Дирака по состояниям для двух систем частиц; , . Отношение масс частиц =...
73. Для невырожденной системы среднее количество частиц в одном квантовом состоянии равно
74.Газ из состояния (1) переходит в состояние (2) в одном случае по прямой 1-2, а в другом – по линии 1-3-4-2. При этом изменение энтропии:
75. На рисунке приведено распределение Ферми-Дирака по энергиям. Площадь заштрихованной области соответствует...
77. Для кристалла, состоящего из N атомов равен 3N
78. В функции распределения Максвелла по проекции скорости
масса одной молекулы определенного газа
79. Плотность вероятности или функция распределения молекул идеального газа по проекции скорости имеет вид
Дата добавления: 2015-07-10; просмотров: 73 | Нарушение авторских прав