Концентрация дырок в валентной зоне полупроводника p-типа

из валентной зоны на акцепторный уровень

Каноническое распределение Гиббса ,

Концентр электрв в зоне пров собств п/п возр с повыш Т из вал зы в зону пров

Каждому типу п/п энерг диаг собствен(E_c E_v)прим N(E_c E_D E_v) прим Р(E_c E_а E_v)

Концентр дырок в вал зоне собств п/п зависит от темп:

Концентрация электронов собственного п/п зависит от темп

Между своб и вал Вал T=0. Кристалл явл изолятором

Между своб и вал зон Вал з Т=0 з Кристалл яв. проводником

Молекулы идеального газа: могут иметь как целый, так и полу целый спин

На рис привед граф из, изоб, изот, ад: 1-ади, 2-изох, 3-изоб, 4-изот

На рис показ распр Максве по мод скор (S_i) и (Т_i): S₁= S₂= S₃=1,Т₃> Т₂> Т₁
На рис приведено распр Бо-Эйн для двух температур. T₂ … T₁. Т₁<< Т₂
На рис прив распр Фе-Дир по эн. чис част, эн которых наход в инт E;E+dE
На рис привед распр Фе-Дир. полн, в каж наход один фермион
На рис привед распред Фе-Дир по сост, кр 1 соот Т=0, кр 2 – Т>0
На рис изобр функ распр Фе-Дир по мод имп. Т₁=0; Т₂>0
На рис изобр функ распр Фе-Дир по эн. Т₁=0; Т₂>0
На рис приведено распределение Фе-Дир по сост при T=0
На рис приведено распределение Фе-Дир. Интервал эн E₁<E<E₂ 2KT
На рис приведено распр Фе-Дир. E₁<E<E₂ заполнено Частично
Найдите неправил утвер. Фаз прост для N: представить как

3N-мерный интеграл, где q_i={x_i y_i z_i}, p_i={p_xi p_yi p_zi}

Неправильным утвержд явл. Вероят случ события Р: Р изменяется от 0 до ∞

Носителями тока в собств п/п явл электроны в з провод и дырки в вал зоне

Наиболее вероятное значение проекции скорости v_x для молекул: 0

Наиболее вероятное значение эн для молекул: не зависит от m

Необход и достаточ услов равнов сост сист: замкн сист и стацион макроп

Дата добавления: 2015-07-10