Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Задание 5

Читайте также:
  1. Аналогичное задание
  2. Ваше задание
  3. Выполните задание
  4. Выполните задание по следующему образцу.
  5. Глава 5.Секретное задание
  6. ДАЙ ЗАДАНИЕ ИГРУШКАМ
  7. Домашнее задание

Привести схему простейшего усилителя электрических колебаний на транзисторе p-n-p-типа, включенном по схеме с общим эмиттером, и кратко описать процесс усиления колебаний.

Питание входной и выходной цепей транзистора производится или от двух независимых источников питания или от одного источника. (рис.5)

       
 
   
 

 

 


а) б)

Рис. 5 Практические схемы транзисторных усилителей

с общим эмиттером

Для нормальной работы транзистора необходимо между эмиттером базой иметь постоянное напряжение, называемое напряжением смещения базы, примерно 0,5В, различное для различных типов транзисторов.

По входной характеристике транзистора можно найти соответствующий ток IA.

На схеме с ОЭ для получения напряжения смещения базы применен резистор R, включенный между базой и отрицательным полюсом источника питания. При отсутствии входного напряжения сумма падения напряжения на резисторе IA R, созданного постоянного тока базы IA и напряжения на участке база – эмиттер UэА, равна напряжению Е источника питания, т.е.

IA + UэА = Е,

откуда определяется необходимое сопротивление резистора:

R= (E- UэА)/ IA,

или, приняв во внимание, что UэА < Е, получим:

R = Е/ IA

Для получения напряжения смещения базы применен делитель напряжения R1R2.

Обозначив ток деления Iд, сопротивление первого резистора можно найти по формуле:

R1= (Е-Uэ)/ Iд + IA = Е/ Iд + IA,

а сопротивление второго резистора

R2= UэА/ Iд.

Температура оказывает значительное влияние на параметры и работу полупроводниковых приборов. В частности, повышение температуры приводит к увеличению токов, в следствии чего, изменяются режимы работы транзисторов.

Для уменьшения влияния температуры на режим работы транзистора применяется температурная стабилизация.

Литература

1 Данилов И.А., Иванов П.М. «Общая электротехника с основами электроники», М., «Высшая школа», 1998г., 2000г.

2 Харченко В.М. «Основы электроники», Москва, «Энергоиздат», 1987г.

3 Березкина Т.Ф., Гусев Н.Г., Масленников В.В. «Задачник по общей электротехнике с основами электроники», Москва, «Высшая школа», 1997г.

4 Новиков П.М., Кауфман В.Я., Толчеев О.В. и др. «Задачник по электротехнике», Москва, «Академия», 1998г.

5 Евдокимов Ф.Е. «Общая электротехника», Москва, «Высшая школа», 1994г.


Дата добавления: 2015-10-21; просмотров: 84 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Задача 3| Основные теоретические сведения

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)