Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа КП303И.

Читайте также:
  1. A)бронхоскопию с цитологическим исследованием промывных вод
  2. Cудебно-медицинское исследование тел Юрия Дорошенко, Георгия Кривонищенко, Зинаиды Колмогоровой и Игоря Дятлова.
  3. А) исследование органов и систем с помощью ядерно-магнитного резонанса
  4. Бланк формализованного наблюдения за проведением забора мазков на бактериологическое исследование.
  5. Ваше исследование было проведено и опубликовано в 1980х. Что происходило в эти годы, когда эти группы находились здесь уже более десяти лет?
  6. Вклад отечественных ученых в развитие полевого травосеяния
  7. Влагалищное исследование: влагалище нерожавшей, шейка матки укорочена, мягкая, наружный зев пропускает кончик пальца. Предлежат ягодицы. Мыс не достигается. Деформаций таза нет.

2.1 Определите напряжение отсечки UОТС транзистора. Для этого:

2.1.1 Установите перемычку J1 в положение 1.

2.1.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «−».

2.1.3 Установите тумблер К1 в положение «U».

2.1.4 Потенциометром R1 установите стоковое напряжение UСИ=10 В.

2.1.5 Установите тумблер К1 в положение «UR».

2.1.6 Установите тумблер К2 в положение «U».

2.1.7 Потенциометром R2 изменяйте напряжение на затворе U от 0 В до тех пор, пока ток стока транзистора IC по данным вольтметра V1 не станет равным 0. При этом показания вольтметра V2 будут соответствовать искомому напряжению отсечки транзистора UОТС. Сравните полученное напряжение со справочными данными.

2.2 Для снятия статических характеристик транзистора:

2.2.1 Установите перемычку J1 в положение 1.

2.2.2 Установите тумблер К4 в положение «+», К5 в положение «−».

2.2.3 Установите тумблер К2 в положение «U».

2.2.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U согласно табл. 4.1 (например, −0,25 В).

2.2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

2.2.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение UСИ согласно табл. 4.1 (например, 0,5 В).

2.2.7 Установите тумблер К1 в положение «UR». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 4.1 (в данном примере на пересечении колонки −0,25 В и строки 0,5 В).

2.2.8 Повторите действия согласно п.2.2.4…2.2.7 для последующих значений стокового напряжения UСИ и напряжения на затворе U согласно табл.4.1.

2.2.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях напряжения на затворе U. Графически из этих характеристик найти выходное сопротивление при UЗИ =0 и UЗИ =−0,5 В.

2.2.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения UСИ. Из этих характеристик графически найти крутизну при U =0,5 В и 10 В. Аппроксимируя графики переходных характеристик до значения IC =0 определить напряжение отсечки UЗИотс. По данным характеристикам определить величину начального тока стока IСнач при U =0,5 В и 10 В и напряжении UЗИ =0 В.

3. Сделать выводы по работе, в которых поясните различие в передаточных характеристиках разных типов униполярных транзисторов.

 

Таблица 4.1 Статические характеристики полевого транзистора управляемого

р-переходом и каналом п-типа КТ303И

 

Ток IС = 10*UR, мА

UСИ, В UЗИ, В
  -0,25 -0,5 -0,75 -1
           
0,5          
           
1,5          
           
           
           
           
           

 

В табл.4.2 приведены основные параметры исследуемых униполярных транзисторов.

 

Таблица 4.2 Основные параметры исследуемых униполярных транзисторов

Транзистор Тип IСнач, мА S, мА/В UЗИотс, В UЗИмах, В UСИмах, В IСмах, мА Рмах, мВт
КП303И р-п переход, п-канал 1,5-5,0 2-6 −0,5… −2,0        
КП306А Изолированный затвор, встроенный п-канал 2-8 −0,5… −3,0 ±20      
КП301Б Изолированный затвор, индуцированный р-канал 5·10−4 1,0-2,6 2,7-5,4 (UЗИпор)        

 

 

Контрольные вопросы

 

1. Нарисуйте схематическую конструкцию полевого транзистора с р-п переходом. Объясните принцип его действия.

2. Нарисуйте схематическую конструкцию МДП-транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом. Объясните принцип его действия.

3. Нарисуйте схематическую конструкцию МДП-транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом. Объясните принцип его действия.

4. Приведите систему обозначений униполярных транзисторов.

5. Что такое ток и напряжение насыщения? Напряжение отсечки?

6. Нарисуйте и объясните выходную характеристику полевого транзистора.

7. Нарисуйте и объясните переходную характеристику полевого транзистора.

8. Охарактеризуйте малосигнальные параметры униполярных транзисторов.

9. Как определить крутизну и внутреннее сопротивление по статическим характеристикам униполярного транзистора в схеме с общим истоком?

10. Приведите классификацию униполярных транзисторов.

 


Дата добавления: 2015-08-13; просмотров: 202 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА | Методика проведения эксперимента | Лабораторная схема | Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1N5201. | Лабораторные схемы | Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа КТ315Е. | Задание к лабораторной работе | Лабораторные схемы | Задание к лабораторной работе | Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Лабораторные схемы| Лабораторные схемы

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)