Лабораторные схемы. В данной лабораторной работе снимаются статические характеристики и по

В данной лабораторной работе снимаются статические характеристики и по ним рассчитываются малосигнальные параметры биполярных транзисторов 3 различных типов. Все исследуемые образцы установлены на единой плате и подключаются перестановкой соответствующей перемычки. Нумерация образцов на плате следующая:

1. Кремниевый транзистор Дарлингтона п-р-п типа КТ3102Е.

2. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа КТ315Е.

3. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа ВС547.

4. Германиевый сплавной биполярный транзистор р-п-р типа МП41А.

В данной лабораторной работе исследуется кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа КТ315Е.

Исследование статических характеристик биполярного транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером проводится с помощью лабораторного стенда, упрощенная схема которого приведена на рис.3.1.

Требуемый исследуемый биполярный транзистор подключается к измерительному стенду с помощью установки перемычки J1. Переключатель К4 позволяет изменять полярность напряжения U_КЭ, приложенного к коллектору относительно эмиттера. Величина этого напряжения устанавливается потенциометром R1. Переключатель К5 позволяет изменять полярность напряжения U_БЭ, приложенного к базе относительно эмиттера. Величина этого напряжения определяет величину базового тока I_Б и устанавливается потенциометром R2. Измерение напряжения U_КЭ и величины коллекторного тока I_К, осуществляется вольтметром V1. Измерение напряжения U_КЭ проводится прямым методом в положении «U» переключателя К1. Измерение коллекторного тока I_К проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R3 известного сопротивления в положении «U_R» переключателя К1. Измерение базового тока I_К проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R4 известного сопротивления в положении «U_R» переключателя К2.

Дата добавления: 2015-08-13