Читайте также: |
|
2.1 Создать модель транзистора в соответствии с вариантом задания табл.1. Для этого щелкнуть два раза клавишей указания мыши на изобра-жении транзистора и выбрать в появившемся окне NPN Transistor Proper-ties в разделе Library библиотеку default, а затем в разделе Model – тип транзистора ideal. Выбрать последовательно клавишей указания мыши кнопки Copy и Paste, записать латинскими буквами в появившемся окне тип транзистора в соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК. В результате в разделе Model добавится новый тип транзистора. Для корректировки его параметров нажать кнопку Edit и установить значения параметров Forward current gain coefficient [BF] (коэффициент усиления β), Base ohmic resistance [RB] (сопротивление базы Rб), Emiter ohmic resis-tance [RE] (сопротивление эмиттера Rэ), Collector ohmic resistance [RC] (сопротивление коллектора Rк) в соответствии с таблицей 1. Значения других параметров оставить без изменения.
Таблица 1
№ варианта | Обозначе-ние транзи-стора | Тип транзи-стора | β (BF) | Rб, Ом (RB) | Rэ, Ом (RЕ) | Rк, Ом (RС) |
VТ1 | КТ815A | 2,1 | 0,9 | 0,4 | ||
VТ2 | КТ315Б | |||||
VТ1 | КТ815Б | 0,9 | 0,4 | |||
VТ2 | КТ3102Ж | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ815В | 0,9 | 0,4 | |||
VТ2 | КТ315Г | |||||
VТ1 | КТ815Г | 2,1 | 0,9 | 0,4 | ||
VТ2 | КТ3102А | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ817А | 1,5 | 0,7 | 0,3 | ||
VТ2 | КТ3102Д | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ817Б | 1,5 | 0,7 | 0,3 | ||
VТ2 | КТ315Е | |||||
VТ1 | КТ817В | 1,5 | 0,7 | 0,3 | ||
VТ2 | КТ3102А | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ817Г | 1,5 | 0,7 | 0,3 | ||
VТ2 | КТ503Б | 2,5 | 1,2 | 0,5 | ||
VТ1 | КТ831А | 1,8 | 0,6 | 0,3 | ||
VТ2 | КТ3102В | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ831Б | 1,5 | 0,7 | 0,3 | ||
VТ2 | КТ503Г | 2,5 | 1,2 | 0,5 | ||
VТ1 | КТ698А | 0,5 | 0,2 | |||
VТ2 | КТ503Д | 2,5 | 1,2 | 0,5 | ||
VТ1 | КТ698Б | 0,5 | 0,2 | |||
VТ2 | КТ503Е | 2,5 | 1,2 | 0,5 | ||
VТ1 | КТ698В | 0,5 | 0,2 | |||
VТ2 | КТ3102А | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ698Г | 0,5 | 0,2 | |||
VТ2 | КТ3102Б | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ6117А | 1,9 | 0,8 | 0,5 | ||
VТ2 | КТ3102В | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ6114А | 1,5 | 0,8 | 0,4 | ||
VТ2 | КТ503Б | 2,5 | 1,2 | 0,5 | ||
VТ1 | КТ6110В | 1,8 | 0,9 | 0,5 | ||
VТ2 | КТ3102А | 0,6 |
Таблица 1 (продолжение)
VТ1 | КТ639А | 2,4 | 1,5 | 0,7 | ||
VТ2 | КТ3102В | 0,6 | ||||
VТ1 | КТ815Б | 0,9 | 0,4 | |||
VТ2 | КТ503Г | 2,5 | 1,2 | 0,5 | ||
VТ1 | КТ6117А | 1,5 | 0,7 | 0,3 | ||
VТ2 | КТ315А | |||||
VТ1 | КТ6117А | 1,9 | 0,8 | 0,5 | ||
VТ2 | КТ503Б | 2,5 | 1,2 | 0,5 | ||
VТ1 | КТ639А | 2,4 | 1,5 | 0,7 | ||
VТ2 | КТ315А | |||||
VТ1 | КТ6110В | 1,8 | 0,9 | 0,5 | ||
VТ2 | КТ503Е | 2,5 | 1,2 | 0,5 | ||
VТ1 | КТ698Б | 0,5 | 0,2 | |||
VТ2 | КТ3102В | 0,6 |
2.2 Создать модель стабилитрона в соответствии с вариантом задания табл.2. Для этого щелкнуть два раза клавишей указания мыши на изображении стабилитрона и выбрать в появившемся окне Zener Diode Prop-erties в разделе Library библиотеку default, а затем в разделе Model – тип стабилитрона ideal. Выбрать последовательно клавишей указания мыши кнопки Copy и Paste, записать латинскими буквами в появившемся окне тип стабилитрона в соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК. В результате в разделе Model добавится новый тип стабилитрона. Для корректировки его параметров нажать кнопку Edit и установить значения параметров Zener test voltage at IZT [VZT] (напряжение стабилизации Uст), Zener test current [IZT] (максимальный ток стабилизации Iст max), Ohmic resistance [RS] (дифференциальное сопротивление rд) в соответствии с таблицей 2. Значения других параметров оставить без изменения.
Таблица 2
№ варианта | Тип стабили-трона | Uст, В (VZT) | Iст max, А (IZT) | rд, Ом (RS) |
КС133А | 3,3 | 0,081 | ||
КС139А | 3,9 | 0,07 | ||
КС147А | 4,7 | 0,058 | ||
КС156А | 5,6 | 0,055 | ||
КС162А | 6,2 | 0,022 | ||
КС168А | 6,8 | 0,02 |
Таблица 2 (продолжение)
КС170А | 7,0 | 0,018 | ||
КС175А | 7,5 | 0,018 | ||
КС182А | 8,2 | 0,017 | ||
КС191А | 9,1 | 0,015 | ||
КС210Б | 10,0 | 0,014 | ||
КС211И | 11,0 | 0,013 | ||
КС212В | 12,0 | 0,012 | ||
КС213Б | 13,0 | 0,01 | ||
КС215Ж | 15,0 | 0,01 | ||
КС216Ж | 16,0 | 0,0094 | ||
КС218Ж | 18,0 | 0,0083 | ||
КС220Ж | 20,0 | 0,0075 | ||
КС222Ж | 22,0 | 0,0068 | ||
КС224Ж | 24,0 | 0,0062 | ||
КС210Б | 10,0 | 0,014 | ||
КС211И | 11,0 | 0,013 | ||
КС212В | 12,0 | 0,012 | ||
КС213Б | 13,0 | 0,01 |
2.3 Для исследования транзисторного компенсационного стабилизатора напряжения собрать схему в соответствии с рисунком 1.
Рисунок 1 – Схема исследования
2.4 Установить напряжение на входе стабилизатора (Uвх) и сопротивление нагрузки (Rн) в соответствии с вариантом таблицы 3.
Таблица 3
№ варианта | Uвх, В | Uвых, В | Rн, Ом |
2.5 Установить значения резисторов R1 – R4 в соответствии с предварительным расчетом.
2.6 Экспериментально уточнить значение сопротивления резистора R3, при котором значение выходного напряжения стабилизатора Uвых будет соответствовать таблице 3.
2.7 Для исследования коэффициента стабилизации компенсационного стабилизатора напряжения величину входного напряжения Uвх последовательно задавать равным (0,9Uвх, 0,94Uвх, 0,97Uвх, Uвх, 1,05Uвх, 1,1Uвх, 1,15Uвх, 1,2Uвх). Результат занести в таблицу 4.
Таблица 4
Uвх, В | 0,9Uвх | 0,94Uвх | 0,97Uвх | Uвх | 1,05Uвх | 1,1Uвх | 1,15Uвх | 1,2Uвх |
Uвых, В |
2.8 Для исследования нагрузочной характеристики стабилизатора величину сопротивления нагрузки Rн последовательно задавать равным (0,4Rн, 0,6Rн, 0,8Rн, Rн, 1,2Rн, 1,4Rн, 1,6Rн, 2Rн). Результат занести в таблицу 5.
Таблица 5
Дата добавления: 2015-08-09; просмотров: 82 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Тема. Исследование компенсационных стабилизаторов напряжения | | | Но все перечисленные повороты темы рассмотрены глазами невропатолога, преломляются сквозь призму современных нейрофизиологических и психофизиологических представлений. |