Результаты испытаний тестовых танзисторов.

По отработанному маршруту были изготовлены пластины с тестовыми п канальными МОП транзисторами. Транзисторы собирались в металлокерамические корпуса. Были собраны 20 образцов из трех партий по три - четыре прибора с пластины. Испытания проводились на у установке с источником Со при мощности дозы 3* рад/сек. На затворы транзисторов подавалось положительное напряжение +5В. На рис. 11 приведена гистограмма распределения сдвига пороговых напряжений п канальных транзисторов. Видно, что сдвиг порогового напряжения не превышает 0.3 В при дозе рад. Таким образом, разработанный технологический маршрут обеспечивает получение КМОП микросхем, устойчивых к воздействию ионизирующего излучения с дозами до рад.

Рис. 11 Гистограмма распределения сдвига пороговых напряжений п канальных транзисторов для дозы облучения рад.

Дата добавления: 2015-08-13