Волго-Вятский Филиал

Московский Технический Университет Связи и Информатики

Кафедра математических и естественнонаучных дисциплин

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Отчет по лабораторной работе

«Исследование полевого транзистора с управляющим переходом»

Выполнил

студент 2 курса

группа 210400

Т.В.Толстова

«24» ноябрь 200 8 г.

Принял

Н.Ф.Перепеченков

«» ноябрь 200 8 г.

Нижний Новгород

2008

Цель работы: изучить статические характеристики и дифференциальные параметры полевого транзистора, исследовать влияние температуры на работу транзистора.

Рабочие формулы:

Схема для измерений:

Управляющие характеристики транзистора:

Uзи, В	Iс, мА
Uси = 1/3Uси доп = 8 В	Uси = 2/3Uси доп = 16 В
	6,65	6,48	6,65
0,5	4,56	4,6	4,256
	2,75	2,89	2,394
1,5	1,26	1,4	1,064
	0,24	0,33	0,266
2,5		0,01
		0,01	0,266

ΔIc = 2,09*0,001 А; ΔUзи = 0,5 В; S = 0,004 А/В

Iс мах = 6,65*0,001 А; Uпор = 2,5 В; Uзи = 0,5Uпор = 1,25 В; S = 0,003 А/В

Выходные характеристики транзистора:

Uси, В	Iс, мА
Uзи = 0	Uзи = 0,25Uпор = 0,63 В	Uзи = 0,5Uпор = 1,25 В
0,5	2,33	1,61	0,92
	4,05	2,65	1,35
1,5	5,15	3,23	1,53
	5,78	3,51	1,63
	6,55	3,9	1,81
	6,68	4,03	1,91
	6,71	4,1	1,98
	6,7	4,14	2,03
	6,65	4,16	2,07
	6,58	4,17	2,1
	6,5	4,18	2,13
	6,44	4,18	2,16
	6,35	4,21	2,18

РЛ – режим линейный; РН – режим насыщения

Выходное сопротивление транзистора:

Uзи, В	rвых, Ом
Uси = 1/3Uси доп = 8 В	Uси = 0
Uзи = 0		125,313
Uзи = 0,25Uпор = 0,63 В	862,069	251,631
Uзи = 0,5Uпор = 1,25 В		427,845

Заключение: в ходе данной работы мы изучили статические характеристики и дифференциальные параметры полевого транзистора. Убедились в том, что выходное сопротивление в режиме насыщения велико, а в линейном режиме меньше. Рассчитали крутизну транзистора, пользуясь управляющими характеристиками и по формуле.

Дата добавления: 2015-08-18