Первичные поверхности роста кристаллов

Их всего три типа.

Идиоморфная поверхность - собственная поверхность роста кристаллов - полногранная, скелетная, антискелетная, многоглавая регенерационная и другие. Однозначно определяется при рассматривании ростовых скульптур индивида, при объёмных наблюдениях.

Ксеноморфная поверхность - поверхность отпечатывания чужой формы. Индукционная поверхность (термин А.Е. Ферсмана), иначе компромиссная поверхность совместного роста, возникающая в процессе борьбы за пространство растущих, то есть увеличивающихся в объёме индивидов. Если два или более минеральных тела = индивида (сферолита…) совместно и одновременно увеличиваются в объёме, то в месте их соприкосновения возникают индукционные поверхности, форма которых определяется соотношением скоростей передвижения поверхностей рассматриваемых минеральных индивидов в различных направлениях. На образование тпких поверхностей не оказывает влияние «кристаллизационная сила» или «кристаллизационная способность» минералов. Нет «наведения», «особого влияния» одного кристалла на другой. Индукционные поверхности совместного одновременного роста имеют одинаковые морфологические проявления как при росте минеральных агрегатов в открытых полостях, так и при метасоматическом росте – в метасоматитах и в метаморфитах.

Индукционные поверхности – это ступенчатые блестящие поверхности, покрытые характерной штриховкой, образуемой ритмическим перемещением ребра между двумя возможными в месте соприкосновения гранями того и другого индивида. Индукционная поверхность между индивидами аналогична поверхности, разделяющей пирамиды нарастания разных граней в самом кристалле, т.е. с поверхностью, образованной ребром между двумя гранями при росте кристалла. Элементы строения индукционной поверхности – псевдограни (индукционные грани - плоские. округлые, более сложные), псевдорёбра (индукционные рёбра). Эти грани – псевдограни как правило блестящие узкие полоски или неправильные треугольники и т.п. Для большинства изученных образцов поверхности псевдограней принадлежат к рациональным и часто достаточно важным в структурном отношении зонам кристалла. Между индукционными гранями нередко входящие углы различной величины. Индукционные рёбра – граница между двумя индукционными гранями. Индукционные поверхности представляют наглядный пример проявления антисимметрии А.В. Шубникова на кристаллах.

Синхронно могут расти обычные кристаллы, скелетные кристаллы, расщеплённые, блочные кристаллы, сферокристаллы, сферолиты, сфероидолиты… Имеются указания на зависимость густоты расположения индукционных рёбер от степени пересыщения раствора. Синхронно могут расти гигантские индивиды и мелкие кристаллы, в этом случае могут возникать индукционные поверхности нескольких порядков.

Рассмотрим индукционные поверхности роста кристалл – кристалл.

Индукционные поверхности роста кристалл – сферолит. Рисунки совместного роста непрерывного и с остановками. Существенное замечание о механизие роста сферолитов нитевидных кристаллов (халцедона…). При наличии индукционных поверхностей совместного роста сферолит – кристалл (например, халцедон – кальцит) или зон геометрического отбора в основании сферолитовых корок вариант образования из коллоидных растворов, гелей исключается.

Индукционные поверхности роста сферолит – сферолит.

Бывают ли агрегаты совместно и одновременно выросших кристаллов, где отсутствуют индукционные поверхности между соприкасающимися индивидами? Да, таковы агрегаты совершенных нитевидных кристаллов (асбесты, цилиндрит…). Причина отсутствия индукционных поверхностей с таких агрегатах в том, что нитевидные кристаллы растут основаниями и получающиеся волокна в начале не соприкасаются. Такой рост нитевидных кристаллов происходит на пористом, полупроницаемом основании, на мембранах, в том числе возникающих при раскристаллизации коллоидных растворов. Так, гипс-селенит и сходные агрегаты галита и эпсомита растут среди и на пористых глинах и аргиллитах, мергелистых известняках. Данный механизм роста нитевидных кристаллов широко распространён – так образуются разнообразные агрегаты растворимых солей в месторождениях осадочных солей и боратов, в коре выветривания рудных месторождений, в пещерах, подземных горных выработках.

Дата добавления: 2015-08-18