Читайте также:
|
Комбинированное смещение предполагает наличие двух видов смещения – фиксированного и автоматического. В ГВВ на транзисторе могут встречаться следующие комбинации:
1. Фиксированное смещение на базе и автоматическое смещение по базовому току.
2. Фиксированное смещение на базе и автоматическое смещение по току эмиттера.
3. Фиксированное смещение по базе и автоматическое смещение по базовому и эмиттерному токам.
В мощных оконечных ГВВ чаще всего встречается первый вариант комбинированного смещения.
В промежуточных каскадах усиления, работающих в классе «А», третий и реже второй варианты комбинированного смещения.
Для приведенной схемы напряжение смещения на базе будет равно
В целом оно может быть как отпирающим, так и запирающим и обеспечить любой класс работы АЭ.
В данной схеме используется третий вид комбинированного смещения. Однако фиксированный источник формируется от источника коллекторного питания. Результирующее смещение на базе относительно эмиттера рассчитывается по формуле
Достоинством комбинированного смещения является возможность обеспечения любого класса работы АЭ ГВВ и лучшая стабильность положения рабочей точки АЭ при работе в диапазоне температур.
Дата добавления: 2015-07-24; просмотров: 251 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Базовое автоматическое смещение | | | Влияние инерционности носителей заряда и паразитных параметров АЭ на усилительные возможности ГВВ. |