Порядок выполнения практической части.

I. АНАЛИЗ СХЕМЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ.

Выявить элементы схемы, которые будут реализованы в пле­ночном и в объемном (навесные элементы - компоненты) исполнении; выбрать марку компонента исходя из заданных технических характе­ристик с учетом его размеров и вида его выводов (гибкие, шарико­вые).

Транзистор выбирается из табл. I с учетом вида (n-p-n, p-n-p) и граничной частоты fг, которая должна удовлетворять условию fг»10 fр (fр - рабочая частота схемы). Диод выбирают из табл.2 с учетом Uобр( принять равным Uраб). а Конденсатор выбирают в соответствии с заданным рабо­чим напряжением Uраб, его габаритами, видом выводов и температурным коэффициентом.

На рис. I, 2 и 3 представлены способы ус­тановки транзисторов, диодов и конденсаторов в зависимости от вида и количества выводов.

Преобразовать принципиальную схему путем уменьшения числа возможных пересечений проводников, вносящих дополнительную пара­зитную емкость в схему. Разместить выводы схемы по периферии ее с одной, с двух противоположных или с четырех сторон в зависи­мости от удобства размещения выводови их количества. Вычертить коммутационную схему.

Таблица I

Бескорпусные транзисторы

Марка	fT, МГц	Вид	Ск пФ	Габариты, мм	Тип выводов (способ уста-ювки по рис.1)
КТ 307 А,Б,В,Г		п-р-п		0,86 х 0,86 х 0,8	Гибкие (а)
КТ 317 А,Б,В		п-р-п		1,3 х1,3 x l,l	Гибкие (а)
КТ 332 А,Б,В,Г	250...500	п-р-п		1,2 x l,2 x 0,8	Гибкие (а)
КТ 333 А...Е	450...550	п-р-п		0,75 x 0,75 x 0,34	Шариковые (б)
КТ 348 А,Б,В		п-р-п		0,75 x 0,75 x 0,34	Шариковые (б)
КТ 364 А,Б,В		р-п-р		3 x l,25 x l	Гибкие на
					кристаллодерж
КТ 380 А,Б,В		р-п-р	б	0.75 x 0,75 x 0.34	Шариковые (б)
КТС 395 А,Б		п-р-п		4 x 4 x l,8	Гибкие (а)

Рис. I. Способы установки транзисторов.

Таблица 2

Диоды, диодные сборки

Марка	Uобр В	Iпр мА	Кол-во диодов	Схема сое­динений	Габарит, мм	Способ ус­тановки по рис. 2
а.	6	Н
2Д918Б				С общим	1,15	1.15	1,0	а)
				Анодом
2Д904Е				Общим	1,0	1.0	1,0	б)
				Катодом
2ДС408А				Диоды, не	0,9	1,1	0.7	в)
				Связанные
				м/с
2Д912А				С общим	0,75	0,75	0,34	г)
				Анодом
КД913А				С общим	0,75	0,75	0,75	г)
				Катодом

Рис. 2. Способы установки диодов и диодных сборок

Рис. 3. Способы установки конденсаторов

2. ТОПОЛОГИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГИС

Разработать топологию пленочной схемы, включающую опреде­ление геометрических размеров пленочных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников, контактных площадок), размещение пленочных элементов на подложке и последовательность слоев при изготовлении пленочной части ГИС.

2.1. Тонкопленочные резисторы.

Топологический расчет пленочного резистора заключается в определении его формы, геометрических размеров и площади, зани­маемой резистором на подложке.

Исходные данные для расчета:

- номиналы резисторов Ri, Ом;

- мощности рассеяния Ррас i, Вт;

- технологические ограничения (табл.3);

- допустимые отклонения сопротивления резисторов от номи­нала gRi, %.

При расчете тонкопленочных резисторов принять мощностьихрассеяния, если она не задана, Ррас £15 мВт, допустимые отклонения сопротивления ре­зисторов от номинала gR = ± 10%.

Выбрать материал резистивной пленки (табл. 4), полагая, что в ГИС должно быть реализовано не менее 2-х резисторов типа меандр, для которых Кф> 10. При этом необходимо также стремиться к тому, чтобы ТКR материала был минималь­ным, а удельная мощность рассеяния P0 - максимальной. Следует иметь в виду, что такoй материал,как кермет является труднообрабатываемым а тантал – требует специальной технологии.

Конструкция резисторов определяется по коэффициенту формы

Кфi = Ri / rs (1)

При 1£ Кф <10 рекомендуется конструировать резистор прямо­угольной формы, изображенной на рис. 4а; при Кф> 10 резистор сложной формы типа меандр (см. рис. 4б); при 0,1< Кф < 1 резистор прямоугольной формы, у которого длина меньше ширины. Конструировать резистор Кф <0,1 нецелесообразно. В этом случае рекомендуется выбрать материал с меньшим значением rs.

Если в одной схеме содержатся низкоомные и высокоомные резисторы, можно использовать два резистивных материала, разбивая резисторы на две группы с близкими номиналами и выбирая матери­ал для каждой группы резисторов в отдельности.

Ширина резистора выбирается из условия:

bрасч ³ MAX{ bтехн; bточн; bp } (2)

Таблица 3

Технологические ограничения при изготовлении резисторов

Содержание ограничения	Размер ограничения, мм
Тонкопленочные	Толстопленочные
М	Ф	М, Ф
I. Точность изготовления линейных размеров	±0,01	± 0,01	±0,1
2. Минимальный размер резистора, мм: ширина	0,1	0,1	0.8
длина	0,3	0,1	0,8
3. Минимально допустимое расстояние между пленочными
Элементами:
Расположенными в одном слое	0,3	0,1	0,3
Расположенными в разных слоях	0,2	0,1	0,4
4. Перекрытие для совмещения пленочных элементов,
Расположенных в разных слоях	0,2	0,1	0,2
5. Минимальное расстояние от пленочных элементов до края платы	0,5	0.2	0,2
6. Минимальная ширина пленочных проводников	0,1	0,05	0,2
7. Минимальная площадь перекрытия обкладок конденсатора, мм	0,5х0,5	0,5х0,5	1х1
8. Минимальные размеры контактных площадок для монтажа
Навесных компонентов:
С шариковыми или столбиковыми выводами	0,2х0,1	0,2х0,1	0,2х0,1
С гибкими выводами	0,2х0,2	0,2х0,2 0,3х0,4
9. Минимальное расстояние между навесным компонентом и:
Краем платы	0,4	0,4	I,I
Другим навесным компонентом	0,6	0,6	1,0
Контактной площадкой	0,6	0,6	0.8
Пленочным элементом	0,2 0,2	0,2

где bтехн минимальная ширина резистора, определяемая разрешающей способностью метода изготовления (табл.3);

bp - минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная мощность рассеяния

bp= (3)

Дальнейший расчет резисторов выполнять с учетом точности изготовления резистора (см. пример расчета в лекциях или в книге Коледова)

Таблица. 4

Основные параметры материалов тонкопленочных резисторов

Материал	Параметры
Резистивной пленки	Контактных площадок	rs Ом/’	Диапазон R, Ом	P0 Вт/см²	TKR При Т=60..125°С
Нихром X20H80 (ГОСТ 12766-67)	Медь		50...30000		I
Нихром проволока (ГОСТ 8803-58)	Золото с подслоем хрома		1...10000 5...50000		-2,25
Хром (ГОСТ 5905-67)	Медь		50...30000		0,6
Сплав МЛТ-ЗМ	Медь с подслоем ванадия		50...50000
Кермет К-50С (ЕТО.021.013 ТУ)	Золото с подслоем хрома (нихрома)	3000 5000 10000	1000...10000 500...200000 10000...10000000		-4 -5
Тантал ТВЧ (РЭТУ 1244-67)	1. Алюминий с под­слоем ванадия 2. медь с подслоем нихрома 3. Тантал	20..100	100... 10000   50...100000   10...15000		-2
Сплав PC 300I (ЕТО.021.019 ТУ)	Золото с подсло­ем нихрома	10002000	100...50000 200...100000		-0,2 -3
Сплав РС 3710 (ЕГО.021.034 ТУ)		1000...200000

Дальнейший расчет зависит от формы резисторов.

Резистор типа полоска.

Расчетная длина

l = bKф (4)

Полная длина резистора с учетом перекрытия контактных площадок

lполн = l+2e (5)

где e - размер перекрытия резистора и контактных площадок (см. табл. 3).

Рис. 4. Резисторы типа полоска и меандр.

Площадь, занимаемая резистором на подложке:

S = lполнb (6)

Для резисторов, имеющих Kф <1, сначала определяют длину, а затем ширину.

Расчетную длину резистора находятиз условия:

l = max{ lтехн, lр }

где lтехн - минимальная длина резистора, определяемая разреша­ющей способностью выбранного метода изготовления (масочный, фо­толитографический) (см. табл. 3);

lр - минимальная длина резистора, при которой рассеивается заданная мощность:

lр=

Расчетная ширина резистора

b = l / Kф

Полная длина резистора с учетом перекрытия контактных пло­щадок и площадь резистора определяют соответственно по формулам (5), (6).

Резистор типа меандр рассчитывается из условия минимальной занимаемой площади.

Меандр рассчитывается после определения ширины b (формулы (2), (3)) резистора в такой последовательности.

Длина средней линии

lср = bKф

Далее задается расстояние между резистивными полосками a. (рис. 46).

С учетом технологических ограничений (см. табл. 3) при масочном методе amin = 300 мкм при фотолитографическом amin = 100 мкм. Для удобства расчета выбирают обычно a = b.

Шаг одного звена меандра:

t = a + b

Оптимальное число звеньев меандра nopt определяется из условия, что площадь, занимаемая таким резистором,минимальна.Очевидно, это будет в случае, когда меандр вписывается в квадрат, т.е. при L = B. Если lср / b> 10, то оптимальное число звеньев меандра может быть вычислено по приближенной формуле:

nopt»

при L = В и a = b выражение упрощается:

nopt =

nopt округляется до ближайшего целого.

Ширина меандра

B =

где n - оптимальное число звеньев меандра, округленное до бли­жайшего целого.

Коррекция размеров резистора типа меандр. Приведенные расчетные соотношения не учитывают, что в меандре плотность тока в изгибах неравномерна (рис. 5). Это приводит к сокращению электрической длины пленочного резистора и умень­шению его сопротивления. Неравномерное распределение плотности тока наблю­дается в пределах трех квадратов области изгиба (см. рис. 6).

Рис. 5. Распределение

плотности тока

в резисторах типа

меандр.

Для приближенной оценки сопро­тивления меандра можно воспользоваться соотношением:

R = rs(lср / b) = rsKф

Для уточнённого расчета с учетом изгибов конструкцию резистора типа меандр можно представить в виде по­следовательно соединенных прямолинейных участков и изгибов. При этом его сопротивление можно определить как сумму сопротивления прямолинейных участков и изгибов:

R = Rиm+ rs

где Rи - сопротивление изгибов; т - число изгибов; ln - длина прямолинейных участков; n - число звеньев меандра;

Rи = 2,55 rs – для изгиба под прямым углом (рис. 6а);

Rи = 4 rs для П-образного изгиба (рис. 6б).

Рис. 6. К расчету резистора типа меандр.

Отсюда длина прямолинейного участка одного звена меандра:

ln=

Уточненный размер ширины B резистора (рис. 6в):

B = ln + 4 b

Габаритная площадь резистора:

S = L * B

Квадратная или близкая к ней форма резистора типа меандр часто оказывается неудобной при компоновке пленочных элементов на подложке микросхемы, например, из-за отличной от квадрата площади, отводимой под резистор. Тогда, зная габаритную площадь меандра и задавшись одним из размеров меандра (например B'), определяют второй размер L' и число звеньев меандра л':

L' = S/B'; л' = L'/t

2.2. Проводники и контактные площадки

Проводники и контактные площадки ГИС должны иметь хорошую адгезию к подложке, малое удельное сопротивление. Поэтому эти элементы обычно выполняются в виде двух- или трехслойных струк­тур (см. табл. 5) с толщинами порядка (0,5...1) мкм.

Таблица 5

Характеристики материалов, применяемых для проводников и контактных площадок ГИС.

Материал проводников, контактных площадок и подслоя	Толщина слоя, А	Удельное сопротив­ление rs, Ом/€
Подслой - нихром Слой - золото	100...300 6000...8000	0,03...0,04
Подслой - нихром Слой - медь Покрытие - никель	I00...300 6000...8000 800...1200	0,02...0,04
Подслой - нихром Слой – медь Покрытие – серебро	100...300 4000...10000 800...1000	0,02...0,04
Подслой - нихром Слой - медь Покрытие - золото	100...300 6000...800	0.02...0,04
Подслой - нихром Слой – алюминий Покрытие – никель	400...500 2500...3500	0,1...0,2
Подслой - МЛТ-ЗМ Слой – медь Покрытие - припой ПОС-61	300...500 I000...2000 Св. 10000	менее 0,2

Минимальная ширина тонкопленочных проводников и геометри­ческие размеры контактных площадок ограничиваются методом изго­товления (см. табл. 3), а максимальные - габаритами ГИС, удобст­вом размещения этих элементов на плате, удобством монтажа навес­ных компонентов на контактных площадках.

Контактные площадки под выводы схемы выбираются в пределах 0,7*0,7 …1*1 мм.

В местах пересечений проводники разделяются слоем диэлект­рика с малыми значениями удельной емкости C0 (см. табл. 6).

2.3. Тонкопленочные конденсаторы.

Топологический расчет пленочного конденсатора заключается в определении его формы, геометрических размеров и площади, за­нимаемой конденсатором на подложке.

Исходные данные для расчета:

- номиналы конденсаторов C1, C2, … Cn, пФ, нФ;

- допустимое отклонение емкости конденсатора от номинала gC,%;

- рабочее напряжение Uраб;

- технологические ограничения.

Таблица 6

Характеристики материалов, применяемых для межслойной изоляции.

Материал диэлект­рика	Удельная емкость C0, пФ/см	tgd при 1 кГц	Удельное объемное сопротивление	Электричес­кая проч­ность, мВ/см	TКE 1/°С при Т = 60...85°С
Моноокись кремния Халько-генидное стекло		0,03   0,01		0,4

Емкость тонкопленочных конденсаторов определяется площадью перекрытия его обкладок (или площадью верхней обкладки).

На рис.7а,б приведена конструкция трехслойного конденсато­ра с площадью верхней обкладки S > 5 мм².

Рис. 7. Конструкция тонкопленочного конденсатора.

Предпочтительной формой обкладок является квадрат (рис. 46). При активной площади пленочного конденсатора от I до 5 мм обкладки конденсатора можно выполнять в виде двух взаимно пересекающихся полосок (рис. 7в).

Таблица 7

Основные параметры материалов тонкопленочных конденсаторов.

Материал	Параметры
Диэлектрика	обкладок	rs, Ом/–	C0 нФ/см²	Uраб, В	e, f =1кГц	tgd, f =1кГц	Eпр, МВ/см²	fр, МГц	ТКС, 1/°C
Моноокись Кремния	Алюминий А99	0,2			5…6	0,01...0,02	2...3
Моноокись Германия			11...12	0,005...0,007
Боросиликатное стекло	Алюминий А99					0,001...0,0015			0,35
		0,2				,..	3...4
Стекло		12,6
Электровакуумное				10...12,6	5,2	0,002...0,003			0,5…1
				6,3…10 6,3					1,5…1,8
Пятиокись Тантала	Тантал ТВ4 (Ниж. обкладка)	1…10
						0,02		0,1
Алюминий С подслоем ванадия (верх. обкладка)	0,2

Чтобы конденсатор занимал как можно меньшую площадь, нужно выби­рать материал с возможно более высокими диэлектрической проница­емостью, электрической прочностью, а также малыми значениями ТКЕ и tgd.

1) Выбрать материал диэлектрика по рабочему напряжению (табл.7).

2) Минимальная толщина диэлектрика из условия электричес­кой прочности

dmin = Kз Uраб/Eпр

где Кз - коэффициент запаса электрической прочности, для пленоч­ных конденсаторов Кз = 2…3;

Uраб - рабочее напряжение, В;

Eпр - электрическая прочность материала диэлектрика, В/мм.

Толщина диэлектрика должна быть в пределах 0,1...1 мкм, в противном случае следует выбирать другой материал диэлектрика.

3) Удельная емкость конденсатора исходя из условия элект­рической прочности, пФ/см²,

С0v = 0,0885 e / d;

здесь d измеряется в сантиметрах.

4) Минимальная удельная емкость конденсатора с учетом электрической прочности

С0 £ С0v

5) Коэффициент, учитывающий краевой эффект,

К= 1 при С/C0 ³ 5 мм²

К = (1,3…0,6) С/C0 при 1£ С/C0 < 5 мм²

6) Площадь верхней обкладки

S = С/ (C0K)

Если площадь перекрытия обкладок меньше 1 мм², необходимо взять другой диэлектрик с меньшим значением С0, или увеличить толщину диэлектрика d в возможных пределах, или выбрать навес­ной конденсатор. Если площадь перекрытия обкладок больше 200мм², требуется взять другой диэлектрик с большим значением

С0, либо уменьшить толщину диэлектрика d в возможных преде­лах, либо использовать навесной конденсатор.

7) Размеры верхней обкладки конденсатора:

для обкладок квадратной формы

L= B =

8) Размеры нижней обкладки определяются с учетом минималь­но допустимого расстояния между краями верхней и нижней обкладок конденсатора и между краем диэлектрика и нижней обкладкой кон­денсатора (е = 0,2мм):

Lн = Bн = L + 2 е

9) Размеры диэлектрика

LД = BД = Lн + 2 е

10) Площадь, занимаемая конденсатором на подложке,

Sк = Lк*Bк

Наилучшим материалом для обкладок конденсатора является алюминий, имеющий малое поверхностное сопротивление 0,2 Ом/ž. Минимальная допустимая площадь перекрытия обкладок конденсато­ров 0,5*0,5мм², а максимальное отклонение емкости кон­денсатора от номинального значения ±12 % для всех способов изготовления.

2.4. Площадь подложки

После расчета пассивных элементов подсчитывается общая площадь,занимаемая ими на подложке:

Sобщ = K(SåR +Såc +SåK +Såнк)

Где К - коэффициент запаса по площади, определяемый количеством элементов в схеме, их типом и сложностью связи между ними; для ориентировочных расчетов можно принять К = 2...3;

SåR +Såc +SåK – площади, занимаемые всеми резисторами, кон­денсаторами» контактными площадками;

Såнк - суммарная площадь навесных компонентов, занимающих площадьна плате.

Для определения числа контактных площадок целесообразно на основе заданной принципиальной схемы составить коммутационную схему. Коммутационная схема (КС) представляет собой преобразован­ную принципиальную электрическую схему, на которой не изобража­ются навесные элементы, аих выводы показываются контактными площадками. При создании КС намечают порядок расположения пле­ночных элементов и навесных компонентов.

После вычисления ориентировочной площади платы выбирают согласно табл. 8 ее типоразмер.

Таблица 8

Типоразмеры плат ГИС

№ типо­размера	Ширина	Длина	№ типо­размера	Ширина	Длина
I
				2.5
		80.
			1Б

Платы № 3...10 используют в стандартных корпусах, остальные в бескорпусных ГИС и микросборках. Допуски (-0,1...+0,3) мм. Материал подложки выбирается исходя из электрических параметров схемы и требований, предъявляемых к микросхеме (табл. 9). Одновременно выбирают типоразмер корпуса для размещения платы с учетом расположения контактных площадок под выводы схемы 16.

Таблица 9

Материал подложки	e отн f= 1МГц	tgd *10^-4	Коэффициент Теплопроводности.	ТКЛР*10^-4
Кварц	3,78		0,059...0,096
Ситалл СТ-38-1	7,3...8,0		0,038
Ситалл СТ-50-1	8,3...8,5	12...20	0,0I4...0,04
Поликор	9,8		0,251
Стекло С 48-3	7,1	I2...I5	0,015
Сапфирит	9,3...9,6		0,209...0,251	-
Сапфир	9,9	<1	0,251	50...67
22ХС	9,3		0,134
Брокерит	6,8		1,67	75...92

2.5. Эскиз топологии

На этом этапе решают задачу оптимального размещения на пла­те пленочных элементов, навесных компонентов и соединений между ними, а также между внешними контактными площадками на подложке и выводами корпуса. Эскиз выполняют на миллиметровой бумаге в масштабе 10:1 или 20:1. Масштаб выбирают исходя из удобства ра­боты, наглядности и точности. Эскиз топологии ГИС выполняют сов­мещенным для всех слоев. При размещении пленочных элементов ру­ководствуются следующими правилами;

1) пленочные элементы должны по возможности равномерно размещаться по площади платы;

2) соединения между элементами схемы, а также элементов с контактными площадками должны быть наикратчайшими;

3) минимально допустимые расстояния между соседними пленочными элементами составляют неменее 100мкм для фотолитогра­фического способа изготовления и неменее 300мкм для масочного метода;

4) соединительные проводники, контактные площадки должны располагаться на расстоянии не менее 200 мкм от краев подложки для фотолитографического способа изготовления и не менее 500 мкм для масочного метода; резисторы и обкладки конденсаторов – не менее чем на 700...1000мкм для обоих способов изготовления;

5) Перекрытия для совмещения пленочных элементов, распо­ложенных в разных слоях, должны быть удалены не менее чем на 100мкм для фотолитографического способа изготовления и не менее 200 мкм для масочного;

6) места на подложке, отводимые под объемные элементы, должны быть свободными от пленочных элементов;

7) количество пересечений соединительных проводников должно быть сведено к минимуму.

2.6 Последовательность слоев

Топологический расчет предусматривает разработку строгой последовательности слоев, составляющих схему. Число и последова­тельность слоев, количество элементов в каждом слое определяются, прежде всего, методом изготовления. Наиболее широко распространен следующий порядок нанесения слоев:

1) резисторы;

2) контактные площадки и соединительные проводники;

3) нижние обкладки конденсаторов и соединительные проводники;

4) диэлектрик конденсаторов, изоляция в местах пересечения соединительных проводников;

5) верхние обкладки конденсаторов и соединительные провод­ники поверх изоляции в местах пересечения;

6) диэлектрик - защитное покрытие для всех пассивных эле­ментов микросхемы, кроме контактных площадок.

Все элементы схемы, выполняемые из одного и того же мате­риала, должны располагаться в одном слое. Необходимо стремиться к разработке конструкции с минимальным количеством слоев. Так, при применении алюминия в качестве материала для соединительных проводникови нижних обкладок конденсаторов можно обойтись одним слоем.

Разработка последовательности слоев заканчивается составле­нием таблицы слоев, которая должна содержать следующие столбцы;

- номер слоя;

- наименование слоя (резистивный, проводящий и т.п.);

- материал слоя;

- толщина слоя.

3. Сборочный чертеж.

После изготовления платы - подложки с нанесенными на нее пленочными элементами - производят подгонку пленочных резисторов и конденсаторов и выполняют сборку ГИС, а именно монтаж навесных компонентов, размещение и крепление платы в корпусе (обычно клеение на монтажной площадке корпуса), распайку выводов (соеди­нение контактных площадок ГИС с выводами корпуса проволочными проводниками из меди марки ММ диаметром 0,1 мм).

Корпус для размещения ГИС выбирают из числа стандартных, приведенных в справочной литературе или методических материалах кафедры, исходя из размеров подложки, числа выводов ГИСи ихрасположения (контактные площадки под выводы ГИС).

Для полного представления о ГИС в сборе и выполняемых сбо­рочных операциях разрабатывают сборочный чертеж.

Сборочный чертеж ГИС выполняют в масштабе 10:1, 20:1 на миллиметровой бумаге в виде двух проекций ГИС, размешенной в корпусе. Одна проекция ГИС - в корпусе без крышки с разведенными на плате навесными компонентами, вторая - вид слева, ни котором должны быть указаны позиции для выполнения операций монтажа:

- клеение платы ко дну корпуса;

- клеение навесных компонентов (при необходимости), пайка или сварка выводов и т.п.;

- операции соединения контактных площадок ГИС с выводами корпуса (пайка, сварка), в качестве соединительных проводников используется проволока марки ММ Æ0,1мм;

- сварка, пайка крышки с корпусом, герметизация места со­единения клеем, компаундом и т.п.

На поле чертежа должны быть указаны используемые в монтаж­ных операциях материалы, а также размещен корпус ГИС в масштабе 2:1 с указанием месторасположения первого вывода.

Практическая часть должна содержать:

1) электрическую и коммутационную схемы узла;

2) характеристики выбранных материалов длявсех пленочных элементов;

3) топологический расчет пленочнойчасти схемы;

4) таблицу слоев;

5) сборочный чертеж ГИС.

Все схемы и чертежи необходимо выполнять в соответствии с требова­ниями ЕСКД.

4. Исходные данные

Таблица 15

Значение сопротивлений резисторов (кОм), их мощностей рассеивания (мВт), емкостей конденсаторов (нФ), их рабочих напряжений (В) для расчета тонкопленочных ГИС.

Пара- метры	Номер схемы
		2
R1			6,8		8,2	5,1	5,1
R2	5,1		12,2		8,2	5,1	5,1				5,1	6,8
R3	5,1	4,7		4,7		4,7		5,1	6.8		0,18
R4	8,2	5,1	0,21				4,7	0,6	6,8
R5	5,1	0.51			4,7	0,68
R6	0,51	0,33		4,7		-	0,51	-	-		-	-
R7		-	-	5,66		-	-	-	-		-	-
R8	-	-	-	0,68	-	-	-	-	-		-	-
R9	-	-	-	0,3	-	-	-	-	-		-	-
R10	-	-	-	-	-	-	-	-	-		-	-
C1	0,2 (5)	4,7 (5)	0,47 (5)	3,3 (5)	0,1 (4)	4,7 (4)	0,5 (4)	1,8 (5)	3,3 (5)	0,27 (4)	0,15 (5)	0,2 (5)
C2	0,51 (5)	-	-	-	-	-	2,5 (4)	1,8 (5)	3,3 (5)	-	6,8 (5)	3,9 (5)
C3	5 (5)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	3,9 (5)
C4	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10 (5)
f раб кГц

	Номер схемы
R1				3,3	5,6			7,5	0,082	8,2	0,33	5,1
R2					5,6	0,33		2,4	0,33	1,8	5,6	3,6
R3		0,43	2,1			1,5	2,5		1,5	0,33	4,3	1,6
R4		2,2		5,1	0,51			0,56	6,8		4,3	7,5
R5	5,5			6,8	0,33			0,56		0,33	0,75	5,1
R6	0,68				0,68		8,2			0,75	-	0,1
R7	0,3	0,33	0,18	0,1	6,8	-	3,9	-	-	0,22	-	2,2
R8	-	1,8	0,22			-	4,7	-	-	-	-	3,2
R9	-		-		-	-	-	-	-	-	-	0,51
R10	-	-	-	0,033	-	-	-	-	-	-	-	0,75
C1	1(4)	0,47(4)	0,1(5)	0,15(3,7)	0,1(5)	5,1	0,39(4)	0,33(5)	0,27(3,7)	4,7(3,7)	2,2(3,7)	0,22(4)
C2	-	10(4)	0,051(5)	2,2(3,7)	3,3(3,7)	5,1(5)	20(4)	5,1(5)	0,27(3,7)	4,7(4)	2,2(3,7)	0,33(4)
C3	-	-	3,3 (5)	-	5,1(3,7)	22(5)	1(4)	-	4,7(3,7)	22(4)	3,3(3,7)	-
C4	-	-	3,3 (5)	-	5,1(3,7)	22(5)	47(4)	-	0,47(3,7)	22(4)	3,3(3,7)	-
f раб кГц

Мощность рассеяния резисторов Р рас £15 мВт; gR =±10%; gC =+15%

В скобках указаны рабочие напряжения конденсаторов U раб (В).

Дата добавления: 2015-07-26