Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Пример решения задачи № 3

Читайте также:
  1. I Цели и задачи изучения дисциплины
  2. II. Большие инновационные циклы: пример России и сравнение с другими странами
  3. II. Основные задачи и функции деятельности ЦБ РФ
  4. II. Основные задачи и функции медицинского персонала
  5. II. ОСНОВНЫЕ ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ БЮДЖЕТНОЙ ПОЛИТИКИ НА 2011–2013 ГОДЫ И ДАЛЬНЕЙШУЮ ПЕРСПЕКТИВУ
  6. II. Основные цели и задачи, сроки и этапы реализации подпрограммы, целевые индикаторы и показатели
  7. II. ХУДОЖЕСТВЕННЫЕ ПРИНЦИПЫ РЕШЕНИЯ ЦВЕТНИКА

На рис. 5 представлена принципиальная электрическая схема однокаскадного полупроводникового усилителя напряжения, реализованная на биполярном транзисторе, КТ503Г типа n-p-n обратной проводимости, включённого по схеме с ОЭ.

Рассчитать все элементы схемы для максимального усиления выходного переменного напряжения и максимально возможной колебательной выходной мощности, а также коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, потребляемую мощность в режиме покоя (отсутствия входного переменного сигнала) и кпд усилителя.

Исследовать изменение указанных выше усилительных свойств усилителя при изменении коллекторного сопротивления.

Для исследования усилительных свойств данного БТ требуются входные и выходные статические характеристики именно данного биполярного транзистора КТ503Г типа n-p-n, которые можно получить в лабораторных условиях, либо воспользоваться изданными справочниками на биполярные транзисторы с обязательным наличием входных и выходных статических характеристик и многочисленных параметров на транзисторы. Подготовка к исследованиям начинается с расчёта режима транзистора по постоянному току с использованием статических характеристик для задания смещения и расчёта сопротивлений по (рис. 4) и построения в их семействах динамических характеристик для исследования усилительных свойств БТ с ОЭ по рис. 5.

Экспериментальные данные биполярного транзистора КТ503Г типа n-p-n, полученные в лабораторных условиях в статическом режиме БТ по схеме на рис. 1 приведены в табл. 1 и табл. 2. В соответствии с табличными данными на рис. 2 построены соответственно входные и выходные статические характеристики (далее излагается построение здесь же динамических характеристик).

Рис. 1 Схема для снятия статических характеристик БТ

Таблица 1

Iб,мкА                          
UK=0 В Uб,В   0.49 0.51 0.53 0.54 0.55 0.55 0.58 0.59 0.6 0.61 0.62
UK=5 В   0.58 0.6 0.62 0.63 0.64 0.65 0.66 0.68 0.69 0.7 0.71

Таблица 2

UК,В     0.5                
Iб,=5 мкА IК,мА   0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0,1
Iб,=50мкА   4.1 4.2 4.2 4.3 4.3 4.3 4.3 4.3  
Iб,=100мкА   9.2 9.3 9.4 9.6 9.7 9.7 9.7    
Iб,=150мкА   14.7 14.9 15.2 15.5 15.6 15.6      
Iб,=200мкА     20.6   21.2 21.2        
Iб=250мкА   25.1 26.4 27.1 27.6          
Iб,=300мкА 2.2 29.3 30.8              

Рис. 2

Дата добавления: 2015-07-18; просмотров: 91 | Нарушение авторских прав

Читайте в этой же книге: Краткие сведения о символическом методе | Пример решения задачи № 1 | Решение. | Анализ динамического режима работы биполярного транзистора по схеме включения с общим эмиттером | Исследования динамического режима БТ по экспериментальным данным |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Решение| Расчёт режима БТ по постоянному току
mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)