Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Задание. 4.1 Обработку наружной поверхности шестерни Ø115 производят при установке с зазором

Читайте также:
  1. I. Задание для самостоятельной работы
  2. Государственное задание с субсидиями
  3. Домашнее задание
  4. Домашнее задание
  5. Домашнее задание
  6. Домашнее задание
  7. Домашнее задание

4.1 Обработку наружной поверхности шестерни Ø115 производят при установке с зазором на жесткой шпиндельной оправке. Диаметр базового отверстия втулок Ø65+0,035мм. Цилиндрическая рабочая поверхность оправки, выполненная в размер Ø65-006мм. Выявить схему базирования шестерни на оправке (рисунок 9). Вывести погрешность базирования для размера Ø115.

Рис. 9 Базирование шестерни на валу

 

Поскольку задача касается определения положений самой детали в сборочной единице, то речь может идти лишь о конструкторских основных базах. Базирующей деталью является вал, с ним связана система отсчета OXYZ. В базировании шестерни участвуют ее цилиндрическая поверхность (центральное отверстие) при соотношении L/d > 1 и левая торцовая поверхность. Отверстие лишает шестерню четырех степеней свободы: перемещений вдоль осей X, Z и поворотов тех же осей. Левый торец лишает шестерню перемещения вдоль оси Y. Поворота вокруг оси Y шестерня лишается за счет сил трения между шейкой вала и отверстием при соединении с натягом.

Такому сочетанию баз соответствует типовой комплект, в состав которого входят двойная направляющая и две опорные базы. По характеру проявления двойная направляющая база будет явной, первая опорная — явной и вторая опорная - скрытой. Таким образом, в состав комплекта основных баз, с помощью которых определено положение шестерни на валу, входят двойная направляющая явная, опорная и опорная скрытая базы. представлена на рисунке 10.

Рис. 10. Схема базирования шестерни на валу

 

Погрешность базирования для размера Ø115

εб = λ2[ Td (D) + TD (d)] + Smin,

где λ2 вероятностный коэффициент, учитывающие распределение размеров в пределах поля допуска (λ2 = 0,517);

Td ( D ), TD ( d ), - поля допусков соответствующих размеров (0,06 и 0,035);

Smin – минимальный зазор (0).

εб = 0,517(0,035+0,06) + 0 = 0,049 мкм

 

Выявить схему базирования и вывести возможные погрешности базирования согласно заданию (таблица 1).

Таблица 1

Схема установки заготовки в приспособлении Теоретическая схема базирования
1 Установка втулки на цилиндрической оправке с зазором
   
2 Установка диска на оправке с зазором
   
3 Установка вала в центрах с использованием переднего плавающего центра
   
4 Установка вала в патроне в упор и с поджатием заднего центра
       
5 Установка трубы в грибковых центрах
   
6 Установка диска в призмах
   
7 Установка вала на плоскости с закреплением подвижной призмой
8 Установка вала в призме с поджимом к плоскости
   
9 Установка вала в тисках
10 Протягивание длинного отверстия
11 Протягивание короткого отверстия
12 Установка детали в тисках
       
13 Закрепление рычага с одной подвижной призмой
14 Закрепление рычага в самоцентрирующихся призмах
15 Установка детали для расточки отверстий в корпусе
16 Закрепление головки рычага в самоцентрирующихся призмах
   
17 Установка втулки на разжимной оправке (с тарельчатыми пружинами)
   
18 Установка диска на конической оправке

 

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ

1. Индивидуальные характеристики заготовок

2. Суммарная погрешность обработки, её составляющие

3. Погрешность базирования

4. Классификация баз

5. Три принципа базирования

6. Чем руководствуются при выборе баз

7. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ ОТЧЁТА:

1) Название практической работы;

2) Цель;

3) Задание;

4) Краткие теоретические сведения;

5) Методика выполнения работы;

6) Выводы

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Технология машиностроения: проектирование технологии изготовления изделий / В.А. Лебедев, М.А. Тамаркин, Д.П. Гепта. – Ростов н/Д: Феникс, 2008. – 361 с.: ил. – (Высшее образование).

2. Клепиков В.В. Технология машиностроения: Учебник. – М.: ФОРУМ: ИНФРА-М. 2004. – 860 с.: ил. – (Серия «Профессиональное образование»).

3. Технология машиностроения: В 2 кн. Кн. 1. Основы технологии машиностроения: Учеб. пособ. Для вузов/Э.Л. Жуков, И.И. Козарь, С.Л.Мурашкин и др.; Под ред. С.Л. Мурашкина. – 2-е изд., доп. – М.: Высш.шк., 2005. – 278 с.: ил.

4. Технология машиностроения: Сборник задач и упражнений: Учеб. пособие / В.И. Аверченков, и др.; под общ. ред. В.И. Аверченкова и Е.А.Подольского. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: ИНФРА-М, 2005. – 288 с. – (Высшее образование)


Дата добавления: 2015-07-18; просмотров: 322 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Основы базирования| Правила определения степени окисления

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)