Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Термоэлектронная эмиссия

Читайте также:
  1. Взрывная эмиссия
  2. Вторичная эмиссия
  3. Выпуск и эмиссия ценных бумаг
  4. Глава 5. ЭМИССИЯ ЦЕННЫХ БУМАГ 1 страница
  5. Глава 5. ЭМИССИЯ ЦЕННЫХ БУМАГ 2 страница
  6. Глава 5. ЭМИССИЯ ЦЕННЫХ БУМАГ 3 страница
  7. Глава 5. ЭМИССИЯ ЦЕННЫХ БУМАГ 4 страница

 

Эмиссия электронов и ионов – это выход заряженных частиц, происходящий на границе твердого тела с вакуумом или газом при воздействии на эмиттер теплового нагрева, светового излучения, электронной или ионной бомбардировки, постоянного или высокочастотного электрического поля и т.д.

Явление испускания в вакуум электронов нагретым телом называется термоэлектронной эмиссией.

Установлено, что при Т = 0 не может быть эмиссии электронов из кристалла, поскольку энергии даже самых быстрых электронов недостаточны для преодоления потенциального барьера на его границе.

При нагревании твердого тела возрастают амплитуды колебаний атомов кристаллической решетки. С повышением температуры все большее число электронов (рис.2.10) приобретает энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера на границе твердого тела с вакуумом.

Если в каждом кубическом метре металла содержится dnu ,u , u свободных электронов с компонентами скоростей от uх до uх + duх, от uy до uy + +duy и от uz до uz + duz, (где uх – компонента скорости в направлении, перпендикулярном поверхности тела), то поток таких электронов, приходящий к поверхности равен

За пределы поверхности кристалла в вакуум могут выйти только электроны, у которых компонента скорости в направлении х достаточна для преодоления потенциального барьера, т.е.

 

 

Для определения числа электронов, покидающих в единицу времени 1 м2 поверхности металла при данной температуре, надо в формулу подставить функцию распределения электронов по скорости в металле и проинтегрировать полученное выражение.

Согласно квантомеханической теории, не все электроны выходят в вакуум, есть вероятность отражения их от потенциального барьера. Поэтому вводится понятие прозрачности барьера D.

Уравнение Ричардсона-Дешмана определяет плотность тока термоэмиссии:

 

,

 

где является универсальной постоянной и не зависит от рода эмиттера.

Энергия Ферми определяется соотношением Видно, что не зависит в первом приближении от температуры и поэтому можно заменить эффективной работой выхода , тогда

 

 

где – работа выхода, выраженная в джоулях.

Уравнение Ричардсона-Дешмана показывает, что плотность тока термоэлектронной эмиссии с поверхности металла зависит от температуры и эффективной работы выхода материала.

Уравнение определения плотности тока термоэмиссии применимо не только к металлическим, но и к полупроводниковым катодам любого типа. Специфика состоит, однако, в том что, если у металлов положение уровня Ферми можно было в первом приближении считать не зависящим от температуры и рассматривать jэфф. как постоянную данного материала, то у примесных полупроводников положение уровня Ферми зависит от температуры. Температурный коэффициент работы выхода (a) был определен для металлов êa½ ~ 10 –5 . и полупроводников a ~ 10 –4 . Учитывая, что на коэффициент влияет большое количество факторов и нет точного определения его, что вносит незначительную часть при определении плотности тока термоэмиссии, мы будем использовать формулу Ричардсона-Дешмана для всех типов термокатодов.

Распределение по скоростям эмиттированных из металла электронов (при термоэмиссии) описывается функциями распределения Максвелла-Больц-мана, т.е. эмиттированные электроны можно рассматривать как невырожденный идеальный газ.


Дата добавления: 2015-07-17; просмотров: 178 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: ВВЕДЕНИЕ | Особенности газовой среды | Средняя длина свободного пробега частиц в газе | Твердое тело | Жидкие кристаллы | Энергия электронов в кристалле | Собственные и примесные полупроводники | Плотность энергетических уровней | Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия | Взрывная эмиссия |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Поверхностный потенциальный барьер| Влияние внешнего ускоряющего поля на термоэмиссию

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)