Читайте также:
|
|
При нагревании тела энергия сообщается как ядрам, так и электронам. Если при этом квантовое состояние электронной подсистемы кристалла не изменяется, то можно говорить только об увеличении колебательной энергии, которая равна сумме кинетической энергии ядер и энергии электронов ξn(R), которая при движении ядер играет роль потенциальной энергии. Будем использовать для ξn(R) обозначение U(R) и полагаем, что в узлах решетки находятся целые атомы.
Максимальное значение U(R) равно полной энергии колебаний Е. Минимальное значение можно принять равным нулю (т. е. U(R0) = 0). Отсюда видно, что при нагревании изменяются расстояния между атомами, т. е. нагрев приводит к тепловому расширению образца. Для численной оценки эффекта найдем среднее расстояние между атомами в одномерной цепочке, изображенной на рис. 3: .
Положения атомов задаются их смещениями ξi относительно положения равновесия (узла решетки). Можно считать, что величины ξi изменяются беспорядочно, хаотически. Вероятность того, что эти параметры примут значения ξi задается каноническим распределением Гиббса. В нашем случае его можно записать в виде:
[10] |
Где |
[11] |
Это означает, что сила взаимодействия между соседними атомами не пропорциональна изменению расстояния между ними, а следует более сложному закону
Именно второй, ангармонический член в формуле для силы ответствен за удлинение образца.
Воспользовавшись распределением (10) и произведя ряд преобразований, получим zn - среднее значение изменения расстояния между атомами:
Зная средние значения расстояний между атомами zn в зависимости от температуры T можно рассчитать коэффициент теплового расширения, который определяется соотношением:
Где l — длина образца. Расстояние dn между п-м и (n - 1)-м атомами равно
Учитывая, что
Получаем |
Отсюда (при zn << a) имеем:
Рис. 4. |
Дата добавления: 2015-07-11; просмотров: 86 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Дебаевская теория теплоемкости кристаллов | | | Теплопроводность кристаллической решетки |