Увага! ! !

Модулі оперативної пам'яті DDR, DDR2 і DDR3 несумісні між собою, а їх конструкція розрізняється місцем розташування ключового вирізу.

При установці великої кількості оперативної пам'яті може опинитися, що операційна система не бачить всю встановлену пам'ять.

Основних причин може бути дві:

1. Кожна системна плата має свій максимально можливий об'єм оперативної пам'яті, який складає 2,4 або 8 Гбайт. Дізнатися максимальний об'єм пам'яті можна з інструкції до плати.

2. Максимальний об'єм оперативної пам'яті, підтримуваний 32-розрядними версіями Windows ХР і Windows Vista, складає 4 Гбайт. Проте на практиці він може складати 3-3,5 Гбайт у зв'язку з тим, що частина адрес використовується відеоадаптером і іншими пристроями.

Для підвищення швидкості обміну даними може застосовуватися двоканальний режим роботи пам'яті. Всі материнські плати, призначені для створення високопродуктивних систем, підтримують його, а в материнських платах для недорогих комп'ютерів підтримка двоканального режиму може бути відсутньою.

Для роботи в двоканальному режимі модулі оперативної пам'яті слід встановлювати на системну плату тільки парами. На системних платах з підтримкою двоканального режиму зазвичай є чотири слоти для установки модулів пам'яті, два з яких відносяться до першого каналу (А), а два інших — до другого (В). Перший модуль пам'яті слід встановити в перший слот каналу А, а другий такий самий модуль — в перший слот каналу В. Прі наявності ще однієї пари однакових модулів оперативної пам'яті їх можна встановити в слоти, що залишилися.

Для налаштування параметрів оперативної пам’яті використовується базова системи вводу-виводу BIOS. Як правило налаштування оперативної пам’яті знаходяться в розділі Chipset Features Setup. Але в залежності від версії біос назва цього розділу може бути іншою.

Розглянемо основні параметри налаштування BIOS:

Як правило, саме тут можна змусити танцювати під свою дудку оперативку, кеш, отконфигурировать роботу шин PCI, ISA і AGP, а також побудувати по зростанню порти введення/виводу. Спочатку йдуть настройки пам'яті, ось ними-то ми і займемося.

AUTO Configuration (назва говорить само за себе). Займається банальною справою — автоматично настроює основні параметри пам'яті. Тонші настройки цей пункт не зачіпає. Як тільки ви вибираєте значення, відмінні від Manual (ручна настройка) або Disabled (відключено), деякі параметри відразу стають недоступними для зміни. Має інтуїтивно-зрозумілі настройки:

60 ns — конфігурація, в більшості випадків відповідна для пам'яті на 60 нс;

70 ns — те ж, але для пам'яті на 70 нс;

Disabled (відключено) або Manual (ручна) — дозволяє уручну встановити бажані значення.

DRAM RAS# Precharge Time (час попереднього заряду по RAS). Параметр, що визначає кількість тактів системної шини для формування сигналу RAS. Чим менше це значення, тим швидше працюватиме пам'ять. Проте не всяка пам'ять витримає такий маленький час попереднього заряду, тому може спостерігатися «Глюк». Можливі варіанти:

3 — краще, швидше, вище. Загалом, переміг;

4 — тихіше їдемо, далі будемо.

DRAM R/W Leadoff Timing (затримки, вони ж waitstate — при підготовці виконання операцій з пам'яттю). Тут визначається число тактів шини до виконання операцій читання і запису. Спочатку йде значення для читання, а через слэш (/) — для запису.

8/7 — для пам'яті з «ручником»;

7/5 — для пам'яті з «розпальцівкою».

DRAM RAS to CAS Delay (затримка між сигналами RAS і CAS). Банально, чи не так? Що ж це за демони такі — CAS і RAS? Пам'ять організована як матриця, і відповідно, щоб дістатися до потрібного осередку, слід вказати рядок і стовпець. Так от RAS (Row Access Strobe) і CAS (Column Access Strobe) і є ті самі сигнали, завдяки яким стає можливим дістатися до осередку. Ці сигнали йдуть не паралельно, а даний параметр якраз і визначає затримку в тактах між ними. Слово «затримка» вже немає добре, тому чим вона менша — тим краще.

3 — однозначний тугодум, три такти на усвідомлення команди;

2 — те, що потрібне.

Fast RAS# to CAS# Delay (інтервал між сигналами RAS і CAS). Має той же сенс як і DRAM RAS to CAS Delay. Проте тут завдання йде неявне, тому немає ніякої можливості зрозуміти, які значення має на увазі BIOS під:

Enabled — ймовірно, два такти затримки;

Disabled — стандартні три такти.

DRAM Read Burst Timing (тайминги для читання з пам'яті в пакетному режимі). Пакетний режим це просто — в першій частині відбувається звернення до конкретної області пам'яті, а в тих, що залишилися відбувається само читання. Менше — краще. Приймає значення:

x2222;

x3333;

x4444.

Speculative Leadoff (видача сигналу читання з випередженням). Якщо вирішити, то контроллер пам'яті зможе видавати сигнал читання трохи раніше, чим адреса буде декодована. Значення стандартні:

Enabled — дозволити контролеру таку вільність;

Disabled — дотримувати режим!

Turn-Around Insertion (затримка між послідовними операціями). Включає додатковий такт між двома послідовними циклами поводження з пам'яттю. Якщо вирішити (Еnabled), то швидкодія трохи зменшиться, але можуть бути випадки, коли пам'ять ідеально працює з мінімальними затримками в решті настройок тільки за наявності цього додаткового такту. У такому разі краще за неї залишити, чим збільшувати затримки на читання і запис. Якщо все і так «пучком», то краще відключити. Може реагувати таким чином:

Enabled — відпочину;

Disabled — оратиму як стахановець.

Data Integrity (PAR/ECC) (цілісність даних, дозвіл парності або ECC). Для більшості з нас неактуально. Пам'ять з корекцією помилок (ECC) коштує невиправдано дорого для домашнього використання, а пам'ять з контролем парності (parity) вже давно віджила своє. Проте якщо ви стягнули з робочого сервера пару модулів такої пам'яті, то має сенс поставити в Еnabled (дозволено). Невелике зауваження — по деяких експертних оцінках така пам'ять працює на 3-5% повільніше звичайною.

Enabled — якщо пам'ять ECC, то, можливо, виправить помилку в один біт;

Disabled — ні за що не відповідаю, це все космічне випромінювання винне, а воно само прийшло.

DRAM ECC/PARITY Select (вибір режиму корекції помилок). Здається, і так все зрозуміло. Приймає значення:

Parity — звичайна парність: якщо помилка, то машина просто «встане» з повідомленням про збій;

ECC — Error Control Correction. Якщо один біт «кривої», то виправляємо і працюємо далі, інакше — «вис».

Деякі системи мають як звичайні слоти SIMM, так і DIMM, тому далі йдуть спеціалізовані настройки для SDRAM-памяти.

SDRAM Configuration (конфігурація SDRAM). Тут BIOS визначається — чи самому займатися настройками, або залишити це на совісті користувача. Варіантів достатні багато:

By SPD — дані беруться з SPD (мікросхема на модулі пам'яті, що містить всі дані про таймингах);

7 ns — дивимося на модуль, видимий 7 нс, ставимо це значення. Можна поставити і для хороших модулів (8 нс), але стабільність буде на вашій совісті. BIOS розраховує ці параметри, виходячи з того, що пам'ять здатна працювати на частоті 143 Мгц;

8 ns — те ж саме, але для 8 нс пам'яті (здатною працювати на частоті 125 Мгц);

Disabled або Manual — ручна настройка.

SDRAM RAS Precharge Time (час попереднього заряду RAS для синхронної пам'яті). Цей параметр схожий за значенням з DRAM RAS# Precharge Time, проте не має явних значень. Приймає наступні значення:

Fast — быстрая зарядка (краще);

Slow — медленнная зарядка.

SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS) (затримка сигналів CAS і RAS до CAS). Комбінований параметр, що визначає тривалість сигналу CAS і затримкою між сигналами RAS і CAS. Швидкість процесора, а також якість пам'яті сильно впливають на можливість зміни цього параметра, так що будьте пильні:

2/2 — максимальна продуктивність;

3/3 — більше надійності.

SDRAM CAS to RAS Delay (затримка між CAS і RAS). Абсолютно така ж розшифровка як для DRAM CAS to RAS Delay.

SDRAM CAS# Latency (затримка CAS для синхронної пам'яті). Знайомий нам CAS теж іноді потребує відпочинку. Можна поставити одне з двох:

2T — два такти;

3T — три такти.

SDRAM Banks Close Policy (як правильно закривати банки). Але не ті, в яких огірки маринують. Виникненню цього параметра ми зобов'язані проблемам чіпсета 440LX, в яких двохбанкова пам'ять працювала, скажімо так, хрін. Якщо у вас все і так добре, то залиште цей параметр у спокої, якщо немає — експериментуйте. Значення, що приймаються:

Page Miss — значення для двохбанкової пам'яті;

Arbitration — для чотирьохбанкової пам'яті.

DRAM Idle Timer (таймер пасивного стану). Визначає час закриття сторінок пам'яті. Особливого впливу на продуктивність не робить. Приймає значення від 0 до 32 (у тактах).

Snoop Ahead (підглядання вперед). Займається тим, що вирішує (Еnabled) або забороняє (Disabled) потоковий обмін даними між PCI і пам'яттю. Для ефективнішої роботи периферії на шині PCI краще вирішити.

Host Bus Fast Data Ready (швидка готовність даних на основній шині). Дозволяє знімати дані з шини одночасно з їх вибіркою. Інакше між цими двома операціями буде затримка в один такт. Краще вирішити (Enabled), але у разі виникнення проблем поставити в Disabled.

Refresh RAS# Assertion (кількість тактів для регенерації пам'яті). Архітектура DRAM (Dynamic Random Access Memory) отримала свою назву за те, що кожен її осередок виконаний у вигляді конденсатора, який при записі одиниці заряджає, при записі нуля — розряджається. Після того, як схема прочитування розряджає цей конденсатор, і його значення стає рівним одиниці — відбувається зарядка до колишнього рівня. Якщо всі забули про бідний осередок, і ніхто до неї не звертається, то незабаром вона чахне, а конденсатор — розряджається. Ясна річ, інформація втрачається, тому вся пам'ять вимагає постійного заряджання. Відповідно, із-за цієї особливості пам'ять і називається динамічною, оскільки її постійно доводиться заряджати. У цьому параметрі виставляється значення кількості тактів для заряджання. Бажано його не чіпати або встановлювати в значення, відповідне характеристикам пам'яті. Існує повір'я, що чим воно нижче, тим швидше працює пам'ять.

MA Wait State (очікування до початку читання з пам'яті). Параметр визначає, чи вводити додатковий такт перед початком читання з пам'яті. Приймає значення:

Slow — додається додатковий такт;

Fast — без додаткових затримок (рекомендується).

SDRAM Speculative Read (випереджаюче читання для синхронної пам'яті). Параметр, схожий по суті з Speculative Lead Off. Приймає значення:

Enabled — дозволено (краще);

Disabled — заборонено.

Дата добавления: 2015-07-11