Читайте также:
|
Термины и определения
Полупроводниковая интегральная микросхема - микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
Полупроводниковая пластина - заготовка из полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковых ИМС.
Кристалл интегральной микросхемы - часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.
Элемент интегральной микросхемы - часть микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла и не может быть выделена как самостоятельное изделие. К электрорадиоэлементам относят резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы и т. д.
Для характеристики сложности микросхем используют два параметра: степень интеграции и плотность упаковки.
Степень интеграции К определяют по формуле:
К = lg N, (1)
где: N - число элементов полупроводниковой ИМС.
Обычно величину К округляют до ближайшего целого числа по известному правилу.
По степени интеграции микросхемы разделяют на:
- малые интегральные схемы (ИС) — схемы со значением К от 1 до 2;
- большие интегральные схемы (БИС) — схемы со значением К от 3 до 4;
- сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) — схемы со значением К от 5 и выше.
Плотность упаковки К определяют по формуле:
К = N / V [см-3 ]; где V - объем микросхемы без учета выводов.
Элементы
Основным элементом аналоговых микросхем являются транзисторы (биполярные или полевые). Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Поэтому нередко в описании микросхемы указывают технологию изготовления, чтобы подчеркнуть тем самым общую характеристику свойств и возможностей микросхемы. В современных технологиях объединяют технологии биполярных и полевых транзисторов, чтобы добиться улучшения характеристик микросхем.
Микросхемы на униполярных (полевых) транзисторах — самые экономичные (по потреблению тока):
МОП-логика (металл-оксид-полупроводник логика) — микросхемы формируются из полевых транзисторов n-МОП или p-МОП типа;
КМОП-логика (комплементарная МОП-логика) — каждый логический элемент микросхемы состоит из пары взаимодополняющих (комплементарных) полевых транзисторов (n-МОП и p-МОП). Существует также смешанная технология BiCMOS.
Микросхемы на биполярных транзисторах:
РТЛ — резисторно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ);
ДТЛ — диодно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ);
ТТЛ — транзисторно-транзисторная логика — микросхемы сделаны из биполярных транзисторов с многоэмиттерными транзисторами на входе;
ТТЛШ — транзисторно-транзисторная логика с диодами Шоттки — усовершенствованная ТТЛ, в которой используются биполярные транзисторы с эффектом Шоттки;
ЭСЛ — эмиттерно-связанная логика — на биполярных транзисторах, режим работы которых подобран так, чтобы они не входили в режим насыщения, — что существенно повышает быстродействие;
ИИЛ — интегрально-инжекционная логика.
Дата добавления: 2015-11-28; просмотров: 99 | Нарушение авторских прав