Читайте также:
|
В этих методах совмещаются методы изоляции обратно смещённым p‑n -переходом и изоляции диэлектриком. Изопланарный процесс применяется в основном для изоляции элементов ИС при изготовлении интегральных микросхем памяти.
В настоящее время самым распространенным комбинированным методом является так называемая изопланарная технология (изопланар).
В основе изопланарного процесса лежит локальное сквозное окисление тонкого 
(1…2 мкм) эпитаксиального слоя кремния n ‑ типа со скрытым слоем n +-типа, выращенного на подложке p ‑типа проводимости. Технология изготовления следующая.
Исходная пластина маскируется слоем нитридом кремния Si3N4, в котором создаются окна для последующего локального прокисления n ‑эпитаксиального слоя (рис.1.41, а)
Последующее сквозное окисление эпитаксиального слоя n ‑Si с целью создания изолированных областей (рис.1.41, б)
В результате окисления эпитаксиальный n ‑слой оказывается разделенным на два кармана n ‑типа, так же, как и в методе изоляции обратно-смещенным p‑n -переходом. Оба кармана соединены через скрытый n +-слой. Однако в данном случае боковые изолирующие слои не полупроводниковые, а диэлектрические. Донные части карманов также разделены p‑n -переходами. Именно поэтому изопланарный метод относится к комбинированным методам.
Заключительной частью изопланарного процесса является создание эмиттерной и базовой областей в главной части кармана и вывода коллекторного вывода из бокового кармана.
ПОДЛОЖКИ ИС
Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.
Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоёв с помощью процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д.
При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.
Полупроводники в виде пластин или дисков, вырезанных из монокристаллов, называются подложками. В их объеме и на поверхности методами травления, окисления, диффузии, эпитаксии, имплантации, фотолитографии, другими технологическими приемами формируются элементы микросхем электронных приборов и устройств.
25 Интегральные транзисторы. Планарно-эпитаксиальный транзистор со скрытым слоем.
Особенностью интегральных транзисторов является плнарность структуры, их выводы обязательно должны выходить на 1 плоскость т.к. на верхней рабочей плоскости крсталла выполняется система метализации и выводы транзистора комутируются в соответствии с принципиальной электро схемой. Это обстоятельство ухудшает усилительные свойства и переключающие параметры транзистора т.к. увеличивается R коллекторного слоя за счёт того что:
1. Удлиняется путь электронов от эмитора к колекторному контакту
2. Носители должны проходить узкую область коллектора находящуюся под базой коорая имеет большое R.
Для того чтобы устранить недостатки предпринимается 2 меры:
1. К транзистору не может быть диффузированна областью, он выполняется на основе эпитаксиального слоя. Слой легирован равномерно у него нету градиента концентрации => не возникает внутреннего поля колектора который тормозит электроны пр переносе их через манолит коллектора.
2. Под коллектором формируется скрытый высоколегированный слой.
Скрытый слой имеет очень высокую концентрацию примесей => уменьшается R. При подключении транзистора он шунтирует основной монолит коллектора и суммарное его R начинает уменьшаться, но сохраняется высокая рабочее U на коллекторном переходе, что позволяет использовать транзистор на более высоковольтных системах.
База транзистора средняя по уровню легирования между эмитором и коллектором.
Эмитор транзистора формируется одностадийной диффузией с max возможным уровнем концентрации.
Чем выше концентрация в эмиторе, тем большее количество примесей может инжектироваться с эмитора и тем больше коэффициент усиления умеет транзитор.
Под выводом коллетра формируется высоко легированная область, под контактное легирование, которое обеспечивает омический контакт между Al и n - облатью. Если концентрация примесей контакта будет уменьшаться, то на границе Al - ППМ образуется диод Шотки.
Дата добавления: 2015-11-28; просмотров: 170 | Нарушение авторских прав