Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Вольтамперная характеристика (ВАХ) реального электронно-дырочно! о перехода

Читайте также:
  1. I. Краткая характеристика группы занимающихся
  2. I. Общая характеристика работы
  3. IV. Внешняя скоростная характеристика двигателя
  4. IV. ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ БАКАЛАВРОВ
  5. IV. Характеристика профессиональной деятельности бакалавров
  6. IV. Характеристика профессиональной деятельности бакалавров
  7. IV. Характеристика профессиональной деятельности выпускников

При выводе ВАХ идеализированного /7-«-перехода учитывались лишь самые главные физические эффекты: инжекция, экстракция не­основных носителей заряда и их диффузия в нейтральных областях, прилегающих к переходу. В реальных /^-«-переходах, кроме указан­ных, наблюдаются другие физические эффекты, влияющие на ВАХ.

6.5,1. Прямая ветвь ВАХ. На прямую ветвь ВАХ оказывала влияние следующие процессы:

1) Рекомбинация основных носителей в переходе.

2) Изменение сопротивления базы.

Рекомбинация носителей заряда происходит не только в ней­тральных областях полупроводника, но и в области р-«-перехода.

Некоторые основные носители (электроны из «-области). во­шедшие в обедненный слой, но не имеющие достаточной энергии дл* преодоления потенциального барьера, могут быть захвачены рекоМ' бинационными ловушками и рекомбинировать с носителями, прихо­дящими таким же образом из другой области (дырки из р-области Реколшинация электрона и дырки в самом переходе означает лояв-'К'' ние дополнительного тока рекомбинации Im, противоположного г* направлению.

J


\

I

fii___________________________

< 10>'

Фл„
ф*

Рис. 6.17. Процессы рекомбинации в переходе


 

 


Приложение к переходу прямого напряжения ведет к пониже- Hgjo потенциального барьера и к увеличению концентрации основ­ных носителей в области перехода. В результате этого усиливается рекомбинация, так как носители, не способные преодолеть барьер, проникают в переход гораздо глубже (рис. 6.17).

При этом электроны уходят из «-области, а дырки из р-области. Вследствие такого движения возникает дополнительный прямой ток, называемый током рекомбинации!нкс.

Полный прямой ток складывается из тока инжекции, определяе-

и


 

 


-1
и тока рекомбинации. Следо-

МОП) по формуле (6.28) I = 10


 

 


вательно, в реальных переходах прямой ток больше, чем в идеализи­рованном.

Ток рекомбинации определяется по формуле:

(Лф0-Г/)-т гДет- время жизни носителей в переходе.

и
IR1IC ~
(6.35)

Отношение значений тока рекомбинации и тока инжекции зави- сит °т ширины запрещенной зоны, чем она больше, тем меньше ток "вжекции I.

Поэт.

В полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны (Si) ^-за большой высоты потенциального барьера инжекция затруднена.

'ому в них прямой ток, при малых U ПР, будет определяться то­
ком рекомбинации. Но при увеличении прямого напряжения ток иц- жекции возрастает более резко и превышает ток рекомбинации.

Сопротивление базы. При выводе В АХ идеализированного р-н-перехода сопротивление базы принимали равным нулю. В реаль­ных переходах оно составляет десятки и сотни Ом. При этом внешнее напряжение будет распределяться между обедненным слоем (перехо­дом) и базовой областью ик = / -гг>. Тогда в (6.28) и (6.32) вместо ве­личины U нужно подставить (U -I г,-):


 

 


+ (6.36)
j
f

Ф.-'-'ь)

/ = /„ С- * -1; U - ф у 1п


 

 


При малых прямых гоках вторую составляющую I -rF можно не учитывать. Однако с увеличением прямого тока падение напряжения иЕ -1 ■ г!; может превысить падение напряжения на р-н-переходе, так как напряжение ин растет линейно, а напряжение на переходе U- ло­гарифмически, и на ВАХ появится квазилинейный (омический) уча­сток.

Определим значение тока, при котором наступает вырожде­ние экспоненциальной характеристики. Условием вырождения явля­ется: гоиф = гБ, так как в этом случае при изменении тока на величину

Д/ получаются одинаковые приращения AU и ДUH. Используя

Фт

формулу (6.33), получим условие начала вырождения: 1И = —. Оми­

ческий участок может составлять значительную рабочую часть ВАХ.

/


 

 


h

Шеатп. BAY

Реал. ВАХ


 

 


Рис. 6.17. Влияние сопротивления базы при прямом смещении


щ При высоком уровне инжекции (6.23) наблюдается эффект мо- йгЯЯЦИИ сопротивления базы, т.е. уменьшение сопротивления (в 2 - 3 с ростом тока из-за увеличения концентрации носителей заряда

,>базе.

6.5.2. Обратная ветвь ВАХ. В реальных ^-«-переходах обрат­ив ток не остается постоянным и равным /0 (как следует из 6.28), он всегда растет с увеличением обратного напряжения.

Основными причинами отличия обратной ветви реальной ВАХ оТ идеализированной являются:

1) процессы термогенерации носителей в переходе;

2) поверхностные утечки;

3) пробой перехода.

Генерация носителей в переходе. В реальных ^-«-переходах при обратном напряжении электроны и дырки, образующиеся в обед­ненном слое вследствие термогенерации, движутся в электрическом пСЙе в противоположных направлениях: электроны - в сторону п- области, а дырки - в /^-область. Дрейфовое движение этих носителей образует ток генерации 10.

Электрическое поле существует и в равновесном состоянии при U=0; обратное напряжение лишь усиливает это поле; ток генерации компенсируется равным ему током рекомбинации. В неравновесном состоянии взаимная компенсация токов нарушается: при (/<0 прева­лирует ток генерации 1а, так как высота потенциального барьера увеличивается и проникновение носителей в переход с последующей рекомбинацией затрудняется, а при U>О превалирует ток рекомбина­ции.

Е

'г,      
<— |р < -I- -— > 1)  
-     >  

 


Дата добавления: 2015-11-26; просмотров: 134 | Нарушение авторских прав



mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)