Читайте также:
|
| Проводники | Провода и кабели с резиновой и пластмассовой изоляцией при прокладке | ||
| по воздуху | в земле | ||
| Расчетная температура среды, °С | |||
| Поправочные коэффициенты при фактической температуре среды, °С | -5 +5 +10 +15 +20 +25 +30 +35 +40 +45 +50 | 1,29 1,24 1,20 1,15 1,11 1,05 1,00 0,94 0,88 0,81 0,74 0,67 | 1,18 1,14 1,10 1,05 1,00 0,95 0,89 0,84 0,77 0,71 0,63 0,55 |
Самостоятельная работа №25 (3 часа)
Тема 9.4. Электронные устройства
Составить сводную таблицу электронных устройств и приборов
Цель работы: повторение сведений об электронных устройствах и приборах, их условного обозначения и принципа действия.
Критерии оценки: «5» - своевременно в полном объеме выполненная работа
«4», «3» - в работе имеются недочеты, работа сдана позднее установленного срока
Теория
Полупроводник – вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры., а это значит, что электрическая проводимость (1/R) увеличивается. Наблюдается у кремния, германия, селена.
Механизм проводимости у полупроводников
Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями.
При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и он ведет себя как диэлектрик.
Полупроводники чистые (без примесей) обладают собственной проводимостью, которая невелика. Собственная проводимость бывает двух видов:
1) электронная (проводимость "n " - типа) При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл.поля. Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.
2) дырочная (проводимость " p" - типа) При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка". Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.
Кроме нагревания, разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением (фотопроводимость) и действием сильных электрических полей
Общая проводимость чистого полупроводника складывается из проводимостей "p" и "n" -типов
и называется электронно-дырочной проводимостью.
Дата добавления: 2015-12-08; просмотров: 91 | Нарушение авторских прав