Розрахунок реактивних елементів

Нерівномірність амплітудно-частотної характеристики в межах робочого діапазону частот в реальних підсилювачів складає десяті частки децибела, що досягається за рахунок використання глибоких негативних зворотних зв'язків і спеціальних коригувальних ланцюгів. В навчальному проекті з метою спрощення розрахункової частини величина спотворень трохи завищена, що не позначилося істотно на відмінності розрахункових даних від реальних параметрів елементівсхем лінійних підсилювачів.

Для оцінки спотворень використовують коефіцієнт частотних спотворень М:

, (56)

де К₀ — модуль коефіцієнта підсилення в області середніх частот;

К_f - модуль коефіцієнта підсилення на довільній частоті.

В підсилювачі виду рис. 1 спотворення в області нижніх частот виникають за рахунок трансформаторів, конденсаторів ланцюгів міжкаскадного зв'язку і конденсаторів в емітерних колах транзисторів. Якщо задано величину спотворень в області нижніх частот М_н=0,25 дБ то доцільно їх розподілити в такий спосіб: по 0,05 дБ на кожний із трансформаторів, а частину, що залишилася, між усіма чотирма ланцюгами, що спотворюють, розподілити порівно. Сумарна величина спотворень (у децибелах) не повинна перевищувати М _н. Розподіливши спотворення між колами, необхідноїхню оцінку в децибелах замінити абсолютними одиницями відповідно до виразу (56). Також з достатнім ступенем точності можна скористатися наближеною перерахунковою формулою (справедлива тільки для М 2дБ):

(57)

У розрахункові формули підставляються спотворення, виражені тільки в абсолютних одиницях.

Далі починають розрахунок параметрів реактивних елементів схеми.

Індуктивність первинної обмотки вихідного трансформатора L₄:

(58)

Гн,

де f_н - нижня робоча частота;

М_НТ - спотворення, внесені трансформатором на частоті f_н.

Індуктивність розсіювання Т2 вибирають орієнтовно:

L_s4=0,005L₄ =0,005×7,85=0,039 Гн.

Індуктивність первинної обмотки вхідного трансформатора:

(59)

де R_{н экв} - еквівалентний опір трансформатора в області нижніх частот.

Отже Гн,

L_s1 = 0,005L₁=0,005×0,3423=0,00171 Гн.

З врахуванням кіл місцевих негативних зворотних зв'язків можна прийняти великі коефіцієнти частотних спотворень при розрахунку перехідних і блокувальних конденсаторів

(60)

де `- прийнятий при розподілі спотворень коефіцієнт частотних спотворень, без врахування ланцюгів ЗЗ, виражений в абсолютних одиницях

;

M_Н, М_НЕ - коефіцієнти частотних спотворень відповідно за рахунок перехідних кіл і кіл R_Е С_Е;

F=F₁=F₃ - глибина місцевого НЗЗ.

.

Ємність перехідних конденсаторів

(61)

де R_K - опір резистора в ланцюзі колектора попереднього каскаду;

R_вх - вхідний опір наступного каскаду з обліком паралельно включених резисторів базових дільників.

= 3,273×10^-9 Ф=4,675 нФ,

= 0,81×10^-10 Ф=0,081 нФ,

Ємність блокувального конденсатора вихідного каскаду

(62)

де - крутизна струму емітера; (63)

- опір джерела сигналу стосовнобази;

R_K2=270 Ом - опір резистора в ланцюзі колектора попереднього каскаду;

R_вх5 - вхідний опір каскаду (152 Ом)без врахування ланцюга НЗЗ.

Із формули (32) маємо R_E3=125,3 Ом,

Ом,

,

=2,824×10^-6 Ф= 2,824 мкФ.

Конденсатор С_е в першому каскаді розраховується так же, як і в кінцевому, але в формулі (63) треба замінити на і R_{вх V5} на R_вхV3 (49).

Для першого каскаду опір джерела сигналу стосовно бази транзистора

Ом (64)

,

=1,617×10^-10 Ф= 16,17 нФ.

Фільтр в колі живлення розраховується на основі даних про рівень завад, які попадають в коло живлення, а також з врахуванням коефіцієнта передачі напруги живлення в колі з мінімальним рівнем сигналу.

Ємність високочастотних конденсаторів вибирають так, щоб частота зрізу вхідного та вихідного кола перевищувала верхню робочу частоту f _в в 3 – 5 раз:

,

розраховується за формулою (64).

Отже

Ф=2,12 пФ.

;

,

R₁ розраховується за формулою (55).

Оберемо

Ф=0,159 нФ,

Ф=0,349 нФ.

Всі діоди в нормальному робочому режимі знаходяться в зачиненому стані. Вони не повинні помітно шунтувати сигнальні ланцюги ємністю р-n переходів. Тому діоди вибираються високочастотні, із прохідною ємністю при зворотному зсуві близько 0,5 пФ, наприклад Д-220.

Додаток.

Характеристики транзисторів КТ315Б

КТ 315 Б

Дата добавления: 2015-10-28